【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】短波長かつ大出力のレーザ素子を利用した光学モジュールにおいて、気密封止されない光学部品の汚染を防止する。
【解決手段】光学部品（１０、２０、３０、４０、５０）は、波長４６０ｎｍ以下のレーザ光αを出射もしくは透過させるものであって、その表面上には少なくとも一部に誘電体膜からなる第１のコーティングＡが施されており、第１のコーティングＡ上には、貴金属もしくは白金族元素を含有した誘電体膜からなる第２のコーティングＢが施されている。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び信頼性を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｎ型半導体層３、活性層２及びＰ型半導体層１と共に積層され、多層金属からなるＰ側電極層４と、前記積層の側面に形成され、光学的損傷を防ぐための端面保護膜１３と、を備え、前記端面保護膜１３は、前記Ｐ側電極層４の少なくとも１層を拡散質である金属薄膜として、拡散媒となりにくい物質からなる保護膜５と、前記拡散媒となる物質からなり、前記金属薄膜と接しないように前記保護膜５上に形成される拡散媒膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込めを効果的に向上させるとともに、非発光再結合や電流リークを抑制することにより、電力−光変換効率の高い高効率な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型バッファ層１２１やｎ型クラッド層１２２などのｎ型半導体層と、発光層１２４と、ｐ型クラッド層１２６などのｐ型半導体層とを有する窒化物半導体発光素子１００であって、リッジ側面として発光層１２４の側面を含むリッジ構造を備え、発光層１２４の側面は、発光層１２４よりも抵抗が高いＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されるパッシベーション膜１４０によって覆われており、パッシベーション膜１４０は、発光層１２４の屈折率よりも屈折率が低い低屈折率膜１５１によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減することが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。また、活性層１５で生成される所定波長の光に対するレーザ共振器構造において、レーザ光の出力面となる前方端面１２に、レーザ発振光に対する反射率が４０％以上９９％以下の前方反射膜２０を形成し、かつ、後方端面１３に、レーザ発振光に対する反射率が前方反射膜２０よりも高い後方反射膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】端面コート膜の剥離を抑制し、安定性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮからなる基板１の上面上に形成された窒化物系半導体からなる半導体素子層２を備え、レーザ光出射方向に対して直交する一対の共振器端面（出射側共振器面２ａ及び反射側共振器面２ｂ）が形成されている。出射側共振器面２ａ上には、ＡｌＮ層５１、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５２、Ａｌ_２Ｏ_３層５３、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ層５４及びＡｌ_２Ｏ_３層５５が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が結合されている。埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。ハイメサリッジ型変調器１４は、変調層２２を持つハイメサリッジ２４と、ハイメサリッジ２４の側面に接するシリコン窒化膜２６と、シリコン窒化膜２６上に設けられたシリコン酸化膜２８とを有する。シリコン窒化膜２６とシリコン酸化膜２８の合計膜厚は１μｍ以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、端面コート膜８の最表面３ａに配置されたＴｉＯ_２膜３７と、ＴｉＯ_２膜３７と共振器端面２ａとの間に配置されたＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。導波路コア１７、１９の端面はそれぞれ基準面Ｒ１、Ｒ２に沿って延在し、第１の基準面Ｒ１は第２の基準面Ｒ２に対して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドとＢＣＢ樹脂との接合強度を高めることができる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、光を発生、吸収、若しくは導波する層を含む半導体光素子２上にＢＣＢ樹脂領域４を形成する樹脂層形成工程と、酸素原子を含むガスから生成された誘導結合プラズマＰ１によってＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａを処理することにより、ＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａに凹凸を形成するとともにＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上にシリコン酸化膜６を形成するプラズマ処理工程と、金属からなる電極パッドをＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上に形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】 迷光対策された波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザは、１０％以上の反射率を有する第１端面と、第２端面と、前記第１端面と前記第２端面との間に配置された波長選択部と、前記第１端面と前記波長選択部との間に設けられた光吸収領域と、を備えることを特徴とする。前記光吸収領域は、ｐ型半導体とｎ型半導体で挟まれてなり、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを共通に接続する導体を有する構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉｎｔ数が抑制された半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、両端が回折格子によって挟まれたスペース部と回折格子部とが連結されたセグメントが複数設けられた第１反射器と、前記第１反射器に対応して設けられた導波路とを備え、前記導波路は、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する利得領域と、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する屈折率可変領域とを有している。 （もっと読む）