【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造からなるオプトエレクトロニクスデバイスおよびその製作方法を提供する。
【解決手段】
非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造であって、発光デバイス構造の活性領域は、一つ以上の非極性インジウム含有ＩＩＩ族窒化物層からなり、発光デバイス構造は、最大外部量子効率と比べて、１１１Ａ／ｃｍ² の直流密度での外部量子効率が２０％減少することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス構造を製作するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するＧａＮのａ面：＜１１−２０＞面やｍ面：＜１−１００＞面を主面とする基板、或いは＜１１−２２＞面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたＧａＮ積層基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア下地基板１０と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板１０の主面に複数本形成された溝部の各側壁２１から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、ａ面やｍ面などの無極性面、＜１１−２２＞面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が２×１０^８個／ｃｍ^２未満、好ましくは１．８５×１０^８個／ｃｍ^２以下、特に好ましくは１．４×１０^８個／ｃｍ^２以下である窒化ガリウム結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、ＧａＮ基板１１を準備する工程と、前記ＧａＮ基板上に、ＧａＮと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層１２を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記ＧａＮ基板が露出された第１領域、および、前記バッファ層が形成された第２領域にＧａＮを成長させてＧａＮ層を形成する工程と、前記ＧａＮ層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】安定した自励発振動作をする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１１０と、基板１１０の上に形成された第１導電型の下地層１１４と、下地層１１４の上に順次形成された、ｎ型クラッド層１１５、ｎ型ガイド層１１６、活性層１１７、ｐ型ガイド層１１８、ｐ型クラッド層１２０及びｐ型コンタクト層１２２によって構成された窒化物半導体からなる積層構造体と、ｐ型コンタクト層１２２に電気的に接続されたｐ側電極１２３と、ｎ型クラッド層１１５に電気的に接続されたｎ側電極１２４とを備える。積層構造体は、ｐ側電極１２３の下方の領域であって第１の転位密度となるように構成された領域である第１転位領域と、第１の転位密度とは異なる第２の転位密度となるように構成された領域である第２転位領域とを含む。第２の転位密度は、第１の転位密度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ａ面またはｃ面サファイア基板上に、平坦性、結晶性に優れたｃ面ＧａＮを成長させること。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。凸部１は、側面がｍ面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸１ｂの回りに反時計回りに１５°回転させたものである。したがって、凸部１の側面１ａは、低指数面であるａ面やｍ面ではない高指数面である。次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。これにより、結晶性、平坦性に優れたＧａＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の劈開面の平坦性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、支持基板１と、支持基板１の表面上に形成されるとともに一対の共振器面６０を有する半導体レーザ素子部５０と、支持基板１と半導体レーザ素子部５０とを接着する半田層１４とを備え、半導体レーザ素子部５０の共振器面６０の支持基板１側の端部近傍に、半田層１４が存在しない領域である空隙部７０を有している。 （もっと読む）

【課題】４４０ｎｍ以上の発光波長で、高発光効率かつ高信頼性のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体レーザ素子１０は、サファイア基板１２の表層、バッファ層１４、及び第１のＧａＮ層１６からなるストライプ状の凸部１８、及びサファイア基板上に、第２のＧａＮ層２０、ｎ側クラッド層２２、ｎ側ガイド層２４、活性層２６、劣化防止層２８、ｐ側ガイド層３０、ｐ側クラッド層３２、及びｐ側コンタクト層３４の積層構造を備える。活性層は、ＧａＩｎＮ障壁層３６と、ＧａＩｎＮ井戸層３８との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にＡｌＧａＮ層からなる面状結晶欠陥抑制層４０を介在させている。 （もっと読む）

【課題】ウェハー面内の特性の均一化を図り歩留まりを向上させる窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に積層された窒化物半導体層１３とを備え、基板１０が、欠陥集中領域１１と欠陥集中領域１１を除いた領域である低欠陥領域１２とを有し、基板１０の欠陥集中領域１１を含む部分に、低欠陥領域１２の表面よりも掘り込まれた掘り込み領域１４を有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の突出領域上にバッファ層を形成し、その上部に半導体層を形成し、基板の突出領域を除外した領域とバッファ層とを分離させることを特徴とする基板構造体である。これにより、基板と接触していないバッファ層上の半導体層は、フリー・スタンディング特性を有することになり、転位及びクラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１１〜１８は、Ｉｎを含む活性層１４と、ＧａＮ基板１０と活性層１４との間に形成されたＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層１１、下部ガイド層１３）とを有している。そして、上記ＧａＮ層のトータル層厚が０．７μｍ以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】選択横方向成長を用いた場合であっても、結合領域での欠陥を含む選択横方向成長領域上に共振器を構成でき、大型化を抑制することが可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層と２次元フォトニック結晶層を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記基板上に設けられたパターンを有する構造体と、
前記構造体をマスクとして、前記基板が露出している面から該構造体を覆うように選択横方向成長によって半導体同士を結合させて形成された半導体層と、を備え、
前記活性層と前記２次元フォトニック結晶層は、前記半導体層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層には、フォトニック結晶欠陥が導入されており、
該フォトニック結晶欠陥によって、前記半導体同士を結合させた領域に発生した結晶欠陥の上部における前記２次元フォトニック結晶層中の共振光の電界強度を弱める構成を備えている。 （もっと読む）