【課題】性能に優れた多数の光半導体装置をウェハ単位で安価に一括製造しうる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各光半導体装置形成領域に受光素子１３２が形成された第１の基板１３０と、側面の一部が反射面または反射面の下地面となる突起部１２３を有する第２の基板１２０とを対向させて、突起部の底面と第１の基板の一部とを接合する。第２の基板１２０のうち突起部１２３を残して残部を除去してから、第１の基板１３０を受光素子基板ごとに分断する。 （もっと読む）

光学的に積み重ねられたレーザダイオードアレイモジュール（１０）には、ステップ状で平行なダイオード取付面（１０１）を自身の一フェースに有する取付ブロック（１００）が含まれ、各ダイオード取付面は、ブロックにおける基準面（１０２、１０３）の各ペアと協働して各外側ブロックコーナーを形成し、一連のレーザダイオード（３００）がブロックに付着され、ダイオードのファセットが、ダイオードが配置された取付面とともに外側ブロックコーナーを形成している基準面と整列されて、各ダイオードのコーナーがブロックの各コーナーと整列するようにされ、またビーム反射器（２００）がブロックに固定され、かつ一連のステップ状で平行な面を有し、各面がレーザダイオードからの各ビーム（５００）の１つを遮って反射するように配置されて、反射ビームが平行になりかつ積み重ねられるようにする。レーザダイオード（３００）から放射されたビーム（５００）はマイクロレンズ（４００）によって視準され得る。
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【課題】高精度のレーザピッチを有する幅広の印刷ヘッドを構成するのに適した複合半導体レーザアレイを提供すること。
【解決手段】 モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３のそれぞれは、レーザ素子３４−１を有している。レーザ素子３４−１は、多重平行出力ビームを生じるように構成されている。多重平行出力ビームは、モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３内において、実質的に一定のピッチを有している。モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３のそれぞれは、共通担体３３に取り付けられ、それによって、多重平行出力ビームが、担体３３上のモノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３において実質的に一定のピッチに保たれる。 （もっと読む）

出射される波長の制限が緩和されたコヒーレント光源を提供することを課題とする。本発明のコヒーレント光源は、第１の光（３）と、第１の光（３）より波長の短い第２の光（４）を同時に出射するコヒーレント光源であり、少なくとも第１の光（３）を出射する光源本体と、第１の光（３）を透過又は反射するミラー（５）と、ミラー（５）の少なくとも一部に設けられた機能性膜（６）と、を備えている。機能性膜（６）は、第２の光（４）により光触媒効果を発現する。 （もっと読む）

本発明は、光学活性構成部品が少なくとも部分的に内部に埋め込まれる回路基板、ならびに光学活性構成部品を回路基板内に埋め込む方法に関する。少なくとも部分的に回路基板内に埋め込まれる構成部品は、構成部品の光学活性領域が回路基板の平面と本質的に直角であるように、回路基板内の光信号と光学活性接触をする。
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【課題】 発光素子と光モニタ素子等の光結合系の結合損失を低く抑えると同時に、高速信号の損失や反射の影響による劣化を抑えて動作することが可能な光電気複合モジュールを提供する。
【解決手段】 光信号を発生する導波路型光素子（１）と、前記光信号を伝送する光導波路を内蔵した絶縁層（７）と、前記導波路型光素子（７）に電流増幅信号を供給する駆動ＬＳＩ（３）とを基板（４１）に有している。前記導波路型光素子（１）と前記駆動ＬＳＩ（３）とを立体構造の線路で接続して、前記導波路型光素子と前記駆動ＬＳＩとを接近させる。 （もっと読む）

波長安定化のため複数の光検出部によって光信号を検出する光検出装置において、各光検出部からの電流の大きさおよびその比を所望の範囲内に収める。
本発明は、入射光を受光する第１の小受光器１１０、第１の大受光器１１１を有し入射光の光出力を検出するための第１の光検出部５１と、入射光を受光する第２の受光器１１３を有し入射光の波長を検出するための第２の光検出部５２と、第２の光検出部５２に入射する光の光路上に設けられ入射光を透過するエタロン１１２と、第１の光検出部５１の各受光器１１０，１１１、および第２の光検出部５２の受光器１１３にそれぞれ接続される複数のＡｕワイヤとを備える。複数のＡｕワイヤは、第１および第２の光検出部５１，５２に入射する光の光強度に応じて、選択的に接続または切断される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、選択的に可変である、共鳴波長の光線を反射することの出来るチューナブル共鳴格子フィルタに関する。該フィルタは、回折格子３と、平面状導波路４と、フィルタをチューニングすることを許容し得るよう選択的に可変の屈折率を有する、光透過性材料とを備え、該光透過性材料は、導波路に対するチューナブルクラッディング層５、好ましくは、液晶ＬＣ材料を形成する。回折格子３が平面状導波路４に対してチューナブル層５の反対側部に配置され、これによりフィルタのチューニング可能性に顕著に影響を与えずに、格子の構造的パラメータを所望のフィルタ応答性の帯域幅に特に合わせることを可能にする。本発明の共鳴構造体１内にて、コア層、すなわち導波路４をチューナブル層と直接接触するか又はコアとチューナブル層との間に介在された相対的に薄い中間層と直接接触するチューナブル層５に近接する位置に配置することができる。コア層４がチューナブル層５に近接していることは、伝搬モードがチューナブル層５内に顕著に伸びて、チューナブル層５の屈折率の変化により導波路４内の基本モードの有効屈折率が効率的に影響を受けることになる。
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本発明のレーザ光源（１０）は、複数の半導体レーザ（１）と、該複数の各半導体レーザ（１）からの出射光を伝搬する導波管（３）とを備え、前記複数の各半導体レーザからの出射光（４）が、前記導波管の一つの端面（３１）から前記導波管内に入射され、前記導波管の他の端面（３２）から出射されるよう、該複数の半導体レーザが前記導波管の入射面３１側上端に配置されているものである。 これにより、高出力で、且つ均一な出射光強度分布を有する出射光を出力可能な小型のレーザ光源を実現することができる。 （もっと読む）

本発明の半導体レーザ装置は、水平方向の上面（Ｓ）を備えるベース部（２）と、垂直方向の素子配置面（７）を有するとともにベース部（２）の上面（Ｓ）よりも上方に位置するヒートシンク部（３）と、素子配置面（７）に固定される半導体レーザ素子（４）とを備え、半導体レーザ素子（４）の直下に位置するベース部（２）に窪み（９）を設け、この窪み（９）に半導体レーザ素子（４）の一部を配置した。素子配置面（７）は、窪み（９）の内側面よりも内方向に位置している。 （もっと読む）

本発明は、波長選択同調可能ミラーを備える外部空洞同調可能レーザを制御する方法に関し、波長選択性は交流電圧で供給される電気信号で実現される。本発明の同調可能ミラーは、液晶材料、回折格子および回折格子と光学的に相互作用する平面導波路を備える。回折格子および導波路は、入射する他の全ての波長の中から選択された共振波長だけを反射する共振構造を形成する。同調可能ミラーに加えられた電圧Ｖ_ＴＭの振幅に依存して、同調可能ミラーは所与の波長λ_ＴＭだけで放射を反射する。レーザのレイジング出力波長は、同調可能ミラーの共振波長λ_ＴＭに対応するように選ばれる。同調可能ミラーによる同調可能レーザの発光波長（周波数）の正確な選択は、同調可能ミラーに加えられた交流電圧によって引き起こされた信号変調の分析から得ることができる。
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光ネットワーク・ユニットは、第１及び第２の波長で双方向に伝送される低出力デジタル信号、並びに、第３の波長で伝送される高出力アナログ・ビデオ信号を運ぶ、多波長光ファイバ通信システムに関係している。このユニットは、光ファイバ用の接続を有するハウジングと、光学フィルタと、第１及び第２の光学ユニットと、ハウジングに取り付けられたビーム・スプリッタと、を含む。光学フィルタは、ファイバ終端と第２の光学ユニットとの間に挿入され、第３の波長の光を阻止するように適合されるが、第１及び第２の波長の光を双方向に伝送する。システムは、容易に実装され、データ・サービスとビデオ・サービスとのどんな組合せも選択することができる。得られたサービスの組合せを変更するのに、高いレベルの技能は、必要とされない。 （もっと読む）

基板５０上に密集して配置された半導体光源５２、例えばＬＥＤ、レーザダイオード、またはＶＣＳＥＬのマイクロアレイによって高強度光源４６が形成され、少なくとも５０ｍＷ／ｃｍ²の出力濃度の電力出力が実現する。半導体装置は通常、基板上の導電性パターンに対する接合処理によって接着され、マイクロプロセッサ制御電源によって駆動される。光学系要素５８をマイクロアレイを覆うように配置し、出力ビームの指向性、強度、及び／または、スペクトル純度を高めることができる。光モジュールは、例えば、蛍光発光、検査及び測定、光重合、イオン化、殺菌、屑除去及び他の光化学作用による処理に使用できる。 （もっと読む）