【課題】隣り合ったリードフレーム同士の間隔を狭く設定することが可能であり、回路基板が有する多様なリード接続部の配置パターンに対して実装可能なリードフレームを備える光電変換モジュールの提供。
【解決手段】本発明の光電変換モジュール２は、光電変換素子５１を含む電気回路部品５を内部で保持するパッケージ部３１と、一端がパッケージ部３１内において電気回路部品５と電気的に接続され、他端がパッケージ部３１内から一方向に沿って外側へ延びる複数の第１リードフレーム４１と、一端がパッケージ部３１内において電気回路部品５と電気的に接続され、他端がパッケージ部３内から第１リードフレーム４１と逆方向に沿って外側へ延びつつ、途中で曲がって第１リードフレーム４１と同じ方向に沿って延びる複数の第２リードフレーム４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発熱に起因する活性層の劣化を抑制することの可能な半導体レーザ素子、光電変換装置および光情報処理装置を提供する。
【解決手段】活性層を含むと共に上面に第１電極を有するメサ部と、前記メサ部を覆うと共に前記第１電極に達する第１接続孔を有する埋め込み部と、前記埋め込み部上に前記第１接続孔を跨がるよう設けられると共に前記第１接続孔を介して前記第１電極に電気的に接続された第１配線とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】光モジュール外部のインターフェース設計／構成を簡単にし、光モジュール外部の電気基板の製造コストを低減し、かつ光モジュールの小型化を図れる並列光伝送装置を提供する。
【解決手段】モジュール基板３３の最下層パターン面において、各組の信号入出力端子ｐ１〜ｐ１２は、モジュール基板３３の外周端部に配置されている。各組の信号入出力端子ｐ１〜ｐ１２は、モジュール基板３３の最下層パターン面において、コの字に配置されている。モジュール基板３３において各組の信号入出力端子より外周端部側にはグランド端子が無いので、１チャネルあたりの電気端子数が減る。また、光モジュール３０が実装される電気基板において、各組の信号入出力端子から高周波の差動信号を入出力させる高周波信号線外周部に容易に引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ｐダウン形態における放熱特性とｐアップ形態における放熱特性との差を低減可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体リッジ４９及びオーミック電極１５を介して活性層２５からの熱ＴＥ３が金属電極４５に伝わる。オーミック電極１５からの熱ＴＥ３は、オーミック電極１５の幅より大きい幅の金属電極４５を伝搬して、半導体リッジ４９から離れた半導体リッジ４９外側に伝わる。熱伝搬金属層４７は金属電極４５に接触を成すので、熱伝搬金属層４７は金属電極４５から熱ＴＥ５を受ける。この熱の一部ＴＥ６は、金属電極４５の幅より大きい幅の熱伝搬金属層４７を伝搬して、半導体リッジ４９及び金属電極４５から離れた熱伝搬金属層４７に伝わる。熱伝搬金属層４７からの熱ＴＥ６は再びレーザ構造体に伝わり、この熱ＴＥ６はレーザ構造体１３を伝搬して基板裏面１７ｂに向けて伝搬する。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールの設計自由度を向上する。
【解決手段】 同じ向きに光出射するように複数の光素子がアレイ状に並んで集積された光素子アレイを備えた光モジュールにおいて、前記複数の光素子のそれぞれが前記光素子が並んだ方向に第1電極と第2電極とを備えさせ、隣接する光素子の前記第1電極と前記第2電極を鏡像配置にする。 （もっと読む）

【課題】簡単に転用されることを防止可能なレーザダイオードモジュール、前記レーザダイオードモジュールを備えたレーザダイオード装置、及び前記レーザダイオードモジュール又は前記レーザダイオード装置を備えた画像投射装置を提供すること。
【解決手段】本レーザダイオードモジュールは、レーザダイオードと、前記レーザダイオードに流れる電流を制御する電流制御手段と、を１つのモジュールとして一体化したことを要件とする。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールにおいても、高周波特性を向上する。
【解決手段】リード端子２ａ,２ｂに電気的に接続されたＬＤ素子５は、ステム１のステムマウント１ｃに搭載される。誘電体基板１０ａでは、表面に形成した配線パタン１０ｂ,１０ｃがリード端子２ａ,２ｂに電気的に接続され、裏面全面に施したメタライズを介してステムマウント１ｃに電気的に接続される。このような誘電体基板１０ａにより容量が付加され、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面での反射を防止して高周波特性を向上している。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールにおいても、高周波特性を向上する。
【解決手段】グランドに接続されたステム１のステムマウント１ｃには、誘電体基板であるヒートシンク６ａがメタライズを介して電気的に接続されている。ヒートシンク６ａにＬＤ素子５が搭載され、そのカソードには、リード端子２ａ，ワイヤ４ａ，オープンスタブ１０ａが一体的に形成された配線パタン６ｂを介して高周波電気信号が供給され、そのアノードには、リード端子２ｂ，ワイヤ４ｂ，オープンスタブ１０ｂが一体的に形成された配線パタン６ｃ，ワイヤ４ｃを介して高周波電気信号が供給される。オープンスタブ１０ａ，１０ｂの導入による容量付加により、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面での反射を防止して高周波特性を向上している。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールにおいても、高周波特性を向上する。
【解決手段】グランドに接続されたステム１のステムマウント１ｃには、ＬＤ素子５が搭載されており、リード端子２ａ，２ｂを介してＬＤ素子５に高周波電気信号が供給される。ステムマウント１ｃにはチップコンデンサ１０ａ，１０ｂの下面が接続されている。リード端子２ａは、チップコンデンサ１０ａを介して、ＬＤ素子５のカソードに接続されており、リード端子２ｂは、チップコンデンサ１０ｂを介して、ＬＤ素子５のアノードに接続されている。チップコンデンサ１０ａ，１０ｂを接続して伝送線路１３ａ，１３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１２ａ，１２ｂ−１３ａ，１３ｂの界面での反射を低減して高周波特性を向上している。 （もっと読む）

【課題】伝搬特性の劣化が少なく、低コスト化及び組立作業の簡易化を実現する高周波モジュール及びその高周波線路の接続方法を提供する。
【解決手段】ステム４３を貫通するガラスフィードスルー４４ａと、高周波光デバイス４２を搭載するキャリア基板４９と、ガラスフィードスルー４４ａとキャリア基板４９の中心導体５３ａとを中継する中継基板４８とを備えた高周波モジュール４１において、中継基板４８の中心導体５１がマイクロストリップ線路構造であり、キャリア基板４９の中心導体５３ａがグランデッドコプレーナ線路構造であり、中継基板４８の中心導体５１とキャリア基板４９の中心導体５３ａとを対向して配置すると共に、中継基板４８と対向するキャリア基板４９の側面に、キャリア基板４９裏面のグランド面と中心導体５３ａ脇のグランド面５３ｂとを短絡する側面メタライズ５３ｃを設けた。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールの高周波特性を向上する。
【解決手段】ステム１のステムマウント１ｃには、ヒートシンク６ａの裏面がメタライズにより電気的に接続され、ヒートシンク６ａの表面に配線パタン６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅが形成されると共にＬＤ素子５が搭載される。ＬＤ素子５のカソードには、リード端子２ａ，ワイヤ４ａ，配線パタン６ｂにより高周波電気信号が供給され、そのアノードには、リード端子２ｂ，ワイヤ４ｂ，配線パタン６ｃ，ワイヤ４ｃにより高周波電気信号が供給される。配線パタン６ｄ，６ｅはリード端子２ａ，２ｂに電気的に接続され、その接続点より先がオープンスタブ１０ａ，１０ｂとなり容量付加がされ、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面の反射を防止して高周波特性を向上した。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数応答特性を得ることができる光モジュールを実現する。
【解決手段】リードピン１は、金属ステム２を貫通し、金属ステム２とは絶縁されている。電界吸収型光変調素子５は、金属ステム２上に設けられ、リードピン１の一端に接続されている。フレキシブル基板１０は信号線路１２，１３を有する。信号線路１２の一端はリードピン１の他端に接続されている。信号線路１２の他端は信号線路１３の一端に接続されている。リードピン１の金属ステム２を貫通する貫通部１ａと信号線路１３は、それぞれ信号線路１２より小さいインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】光電気複合ケーブルの接合が可能であり、小型化が可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１の第１主面１１Ａ側に備えられた光素子２１と、基板１１に設けられる基板１１の第２主面１１Ｂ側から光芯線２３を挿入するための貫通孔１２とを備える光モジュール１０を構成する。光モジュール１０は、第２主面１１Ｂ側から電気芯線２４を接続するための第１電極１８と、第１主面１１Ａ側に形成される光素子２１と接続する第２電極１４と、基板１１の側面１１Ｃに設けられる第２電極１４と電気的に接続する第３電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールを、TO-CANパッケージ１３とFPC基板１２を有し、TO-CANパッケージの同軸ピン２２とFPC基板の間隔が0以上0.1mm以下になるように同軸ピンが、FPC基板の表面の高周波信号線に接続され、TO-CANパッケージのDCピンが屈曲してFPC基板の裏側の直流信号線に接続され、同軸ピンがTO-CANパッケージ内部の高周波回路基板３２の高周波信号線に接続され、この高周波信号線とTO-CANパッケージ内部の抵抗３５とTO-CANパッケージ内部の光半導体素子（DML３１）とが電気的に接続され、FPC基板の高周波信号線から、同軸ピンと高周波回路基板の高周波信号線と抵抗とを介して光半導体素子に高周波電気信号を導通し、抵抗の抵抗値が40Ω以上45Ω以下である構成とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】TO-CANパッケージ内部の光半導体素子に供給する直流電流による発熱が光半導体素子に導通する高周波電気信号に影響を与えることを防止することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールの構成を、TO-CANパッケージ１３とFPC基板１２とを有し、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が、FPC基板１２の表面に配されたＲＦ信号線路２６に接続され、ＲＦ信号線路２６から、同軸ピン２６を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、TO-CANパッケージ１３に配された複数のDCピン２３が屈曲し、FPC基板１２の裏面に配された直流信号線路に接続され、前記直流信号線路から、複数のDCピン２３のうちの同軸ピン２２から3mm以上7.4mm以下離れたDCピン２３を介して、前記光半導体素子に直流電流を導通する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電気信号の高周波化が進んでも、高周波信号の入出力時における反射損失を小さくすることにより、電子部品の高周波での作動性を良好なものとすること。
【解決手段】 上面に電子部品７が搭載される基体１と、該基体１の上面の載置部１ａに載置された載置用基台５と、上面に信号線路導体４ａが形成され、下面に接地導体４ｂが形成されているとともに載置用基台５の上面に載置された回路基板４と、載置部１ａを囲繞するように基体１の上面に取着されているとともに側部に貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着されて回路基板４に電気的に接続された同軸コネクタ３とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と載置用基台５の側面側の上面とが導電性接合材６を介して接合されている。インピーダンスの不整合が小さくなり、高周波信号の反射損失が小さく伝送効率が良好なものとなる。 （もっと読む）