【課題】その部品点数の削減、及び小型化を達成できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１５、半導体レーザの光をモニタする受光素子１４ｂ、半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路１４ａ、及び受光素子のモニタ出力によりレーザ駆動回路を制御する制御回路１４ｃを備えた発光モジュール１０であって、受光素子、レーザ駆動回路及び制御回路は、半導体製造プロセスを経て製造された半導体回路基板１４に集積されており、半導体レーザは、半導体回路基板の受光素子にて半導体レーザの光をモニタ可能な位置に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い部品精度を必要とすることなく、かつ量産性に富む発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の第１の電極２６は凸部２６ａと凸部の周りを囲む底面２６ｂとを有する。第２の電極３０は第１の電極の底面と対向する第１の面３０ａと第２の面３０ｂとを有する。また第２の電極は開口部３０ｃと第２の面から第１の面の方向に後退した段差部３０ｅとを有する。半導体レーザ素子５２は凸部の上方に設けられ、発光層を有する。ボンディングワイヤ５４は半導体レーザ素子と段差部とを電気的に接続可能である。透光性枠部４０は凸部と半導体レーザ素子との周りをそれぞれ囲み、ガラスからなる。また透光性枠部は第１の電極の底面と接着され、かつ第２の電極の第１の面と接着される。また蓋部は第２の電極の第２の面と接着される。さらに、半導体レーザ素子から放出されるレーザ光のうち半値全角内の光成分は、透光性枠部から外方へ出射可能である。 （もっと読む）

【課題】環境信頼性が高く、光量変動の少ない光を出射することのできる光デバイスを低コストで提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザ素子を設置するための領域が設けられて、上面が所定の角度で傾斜したパッケージと、透明な材料により形成された窓部を含み、前記パッケージと接合される平板状リッドと、を有し、前記上面が所定の角度で傾斜したパッケージと前記平板状リッドとを接合することにより、前記面発光レーザが覆われるものであって、前記傾斜部にはシールリングが固定されており、前記シールリングと前記平板状リッドとは溶接により接合されているものであることを特徴とする光デバイスを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高い光学素子パッケージを提供する。
【解決手段】光を出射する光学素子を設置するための凹部が設けられているパッケージと、前記光学素子の光の出射側において前記パッケージと接続される透明基板と、を有し、前記光学素子は、前記凹部に設けられた設置領域に、導電性を有する接着剤により接着されるものであって、前記設置領域の周囲には、前記設置領域の表面エネルギーよりも高い表面エネルギーを有する高表面エネルギー部材が設けられており、前記光学素子は、導電性を有する接着剤により前記設置領域に接着されていることを特徴とする光学素子パッケージを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】熱応力の緩和と冷却効率とが向上された半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子９がサブマウント７ｂに搭載されている。サブマウント７は、銅の金属体７１と金属体７１に含有されダイヤモンドを含む複数の粒状体７２とを有し、粒状体７２はダイヤモンド粒子７２ａとダイヤモンド粒子７２ａの表面を覆う反応層７２ｂとを含み、反応層７２ｂは、４ａ族元素の炭化物、５ａ族元素の炭化物および６ａ族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、複数の粒状体７２におけるダイヤモンド粒子７２ａの平均粒径は６０μｍ未満であり、サブマウント７の熱伝導率は室温において５５０Ｗ／ｍＫ以上６００Ｗ／ｍＫ以下の範囲にあり、半導体レーザ素子９は、六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、半極性主面が用いられ、発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】ｐダウン形態における放熱特性とｐアップ形態における放熱特性との差を低減可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体リッジ４９及びオーミック電極１５を介して活性層２５からの熱ＴＥ３が金属電極４５に伝わる。オーミック電極１５からの熱ＴＥ３は、オーミック電極１５の幅より大きい幅の金属電極４５を伝搬して、半導体リッジ４９から離れた半導体リッジ４９外側に伝わる。熱伝搬金属層４７は金属電極４５に接触を成すので、熱伝搬金属層４７は金属電極４５から熱ＴＥ５を受ける。この熱の一部ＴＥ６は、金属電極４５の幅より大きい幅の熱伝搬金属層４７を伝搬して、半導体リッジ４９及び金属電極４５から離れた熱伝搬金属層４７に伝わる。熱伝搬金属層４７からの熱ＴＥ６は再びレーザ構造体に伝わり、この熱ＴＥ６はレーザ構造体１３を伝搬して基板裏面１７ｂに向けて伝搬する。 （もっと読む）

【課題】外力によるパッケージの変形を抑制することができる面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】 面発光レーザモジュール１０は、フラットパッケージ２０、金属リング３０、キャップ、及び面発光レーザアレイチップ６０を有している。金属リング３０は、フラットパッケージ２０に、キャビティ領域を取り囲んで固着されている。キャップは、キャップ本体４１及びガラス板４２を有している。キャップ本体４１は、立ち上がり部と、フランジ部と、傾斜部とを有している。フランジ部と金属リング３０とはシーム溶接されている。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 発光点がチップ端近傍に形成された青紫レーザダイオードと２波長レーザダイオードを並べて実装して３波長半導体レーザ装置を構成する。３つの発光点間を近づけることが出来、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができるレーザダイオード組立体を提供する。
【解決手段】レーザダイオード組立体１Ａは、レーザダイオード１０と、実装面５１ａ上に設けられた金属膜５２を有するマウント部材５０とを備える。レーザダイオード１０は、III族窒化物半導体の半極性面を含む主面１２ａを有する半導体基板１２と、III族窒化物半導体から成り５００ｎｍ以上の波長の光を発光する活性層３４を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４上に設けられたアノード電極１６と、半導体基板１２の裏面上に設けられたカソード電極１８とを有する。レーザダイオード１０のカソード電極１８は、導電性接着剤５３を介して金属膜５２に接合されている。半導体基板１２の裏面１２ｂの面積Ａを光共振器の長さＬで除した値（Ａ／Ｌ）は、２００μｍ以上５００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層３、ｐ型半導体層７及びリッジ部１７を有するリッジ型の半導体レーザ１ａの活性層５は第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃからなり、第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃはｎ型半導体層３の表面に沿って順に配置され、リッジ部１７とｐ型半導体層７とは第２の領域５ｂの上において接続されており、第２の領域５ｂはリッジ部１７に沿って延びており、半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂはリッジ部１７に接続しており、スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは第１の領域５ａの上において接続されており、スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは第３の領域５ｃの上において接続されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させ、かつ、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを合致させる。
【解決手段】 平面光波回路基板３のマウント面６から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子５をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子５の上面高さが平面光波回路基板３の表面高さ３ａと一致する高さまで光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させ、光半導体素子５の上面高さと平面光波回路基板３の表面高さ３ａを一致させる。更に、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値Ａと光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値Ｂの差分Ａ−Ｂだけ光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させることで、光半導体素子５の活性層４の高さを平面光波回路基板３の導波路２の高さに一致させる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ファイバに対して、光ファイバの軸線に垂直な方向の力が加えられた場合でも、光出力の低下が抑制された光コネクタを提供する。
【解決手段】光コネクタ１０は、ハウジング１２と、ハウジング１２内に収容されると共に光電変換素子２７が実装された光電変換回路基板１３と、光電変換回路基板１３の板面に光電変換素子２７を覆うように取り付けられると共に光透過性の合成樹脂材からなり、且つ光ファイバ１８の端末に装着されたフェルール１９が嵌合されるスリーブ３４を備えた樹脂部材と、を備え、スリーブ３４は、スリーブ３４の軸線方向が光電回路基板の板面に対して実質的に垂直に形成されており、樹脂部材には、スリーブ３４の軸線上であって光電変換素子２７と対向する位置に、レンズ３９が一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路デバイスにおける光結合損失の劣化に関する問題を解決すること。
【解決手段】レーザ光を出射する発光部を有する発光素子と、レーザ光を受光する受光部を有する受光素子と、を実装基板上に並列に備えると共に、発光部からのレーザ光を第１の導波路コアに光結合させる第１のレンズと、第２の導波路コアを導通してきたレーザ光を受光部に光結合させる第２のレンズと、を並列に備え、上記発光素子は、発光部である活性層が積層された透明半導体基板を有し、活性層から透明半導体基板を通過させてレーザ光を出射する面発光型半導体レーザである。そして、面発光型半導体レーザと受光素子とは、平坦面に載置された状態においては当該平坦面に対する活性層と受光部との高さ位置が異なるよう構成されているものである場合に、第１のレンズによる焦点位置に活性層が位置すると共に、第２のレンズによる焦点位置に受光部が位置するよう構成した。 （もっと読む）

【課題】 キャリア上に搭載される光学部品の反りを抑制可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本光半導体装置の製造方法は、キャリア３０上に供給されたロウ材４０を溶融させる工程と、溶融したロウ材４０上に、部品保持用のツール５０を用いて半導体レーザチップ６０を搭載する工程と、ロウ材４０を冷却して固化する工程と、ロウ材４０を冷却する工程の後、半導体レーザチップ６０からツール５０を離した状態で、半導体レーザチップ６０が搭載されたロウ材４０を再溶融させる工程と、再溶融されたロウ材４０を再び冷却して固化する工程と、含む。 （もっと読む）

【課題】固定用樹脂の温度変化による光軸ズレや素子の破壊等を抑制でき、信頼性の高い光送受信装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の光送受信装置の製造方法は、平坦なプリント基板の上面に、受発光素子を実装する工程Ａと、前記受発光素子と光結合可能に、光導波路を配置し、前記受発光素子の全体と、前記光導波路の端部とを覆うように、前記プリント基板の上面に内側樹脂層を設ける工程Ｂと、前記内側樹脂層を覆うように、前記内側樹脂層よりも屈折率が低い中間樹脂層を設ける工程Ｃと、前記中間樹脂層を覆うように、熱伝導性フィラーを含有する外側樹脂層を設ける工程Ｄと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外〜青色波長範囲の光照射による劣化が抑制された光装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる光装置は、支持体と、前記支持体に設けられた光素子と、キャップと、第１の接着層と、を有する。前記キャップは、前記光素子を離間して覆い、前記支持体に取り付けられ、前記光素子の光路の一部を構成する窓部を有する。前記第１の接着層は、マルトトリオースがα−１，６結合により連なった多糖を含む。また、前記支持体は、前記光素子および前記キャップの少なくともいずれかと前記第１の接着層を介して接着されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、放熱性に優れた信頼性の高いレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ発振部３と、前記複数のレーザ発振部から発振される各レーザ光を直射され、蛍光を放出する蛍光体５とを円盤形の基板９上に同心に取り付けた支持基体２上に配置する。前記レーザ光の直射は蛍光体の少なくとも２以上の異なる箇所に分散して行い、前記蛍光を支持基体に対向するキャップ１０の上面に取り付けた透光窓１０ｂから取り出す。 （もっと読む）

【課題】第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが同一基板上に搭載される構成において、第１半導体レーザ素子の第１発光領域の高さ位置と、第２半導体レーザ素子の第２発光領域の高さ位置とを近づけることにより、第１半導体レーザ素子からのレーザ光の照射位置（スポット点）と、第２半導体レーザ素子からのレーザ光の照射位置との高さ方向のずれが大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、段差部１１ｃの下側の上面１１ａと段差部１１ｃの上側の上面１１ｂとを含む放熱基台１０と、上面１１ａ上に接合され、上側に発光領域２０ｂを含む青紫色半導体レーザ素子２０と、上面１１ｂ上に接合される赤色半導体レーザ素子３０とを備え、発光領域２０ｂは、上面１１ｂよりも上方に位置する。 （もっと読む）