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Fターム[5F173SA12]の内容

半導体レーザ (89,583) | 駆動におけるレーザーのタイプ (1,411) | 駆動タイプ (938) | 連続発振 (102)

Fターム[5F173SA12]に分類される特許

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【課題】光アイソレータを用いることなく、反射戻り光の影響を抑制することが可能な光送受信システムを提供する。
【解決手段】電気変調信号を変調出力光に変換して出力するEA変調器集積半導体レーザ101を備える光送信機1と、光送信機1から出力された変調出力光を入力して電気変調信号に変換する光受信機3とを備える光送受信システムにおいて、光送信機1にバイアス・ティー115を設け、駆動用の直流電流I11に加えて電気アッテネータ116によって減衰された減衰電気変調信号V25を半導体レーザ111に印加する構成とした。 (もっと読む)


【課題】電源装置ごとに光パワーメータを設ける必要を無くし、光パワーの検出タイミングを一定に揃えることにより検出精度を高める。
【解決手段】レーザ接合電源10に予め記憶したP−I特性に基づいて、レーザビームを出力する一方、レーザビームを受光する光パワーメータ40の出力をシリアルポート44を介してレーザビーム射出開始後の所定タイミングで光パワーメータ40のレーザ出力測定値を読み込み、このレーザ出力測定値が誤差許容範囲に入るようにレーザ駆動電流を設定し前記P−I特性を校正する。 (もっと読む)


【課題】周波数安定化レーザ・システムを提供する。
【解決手段】レーザー安定化システム100は、第1の端部及び第2の端部を備えたレーザー源104と、第1の端部及び第2の端部を備えた第1の導波管部であって、第1の導波管部の第1の端部がレーザー源104の第1の端部に結合される第1の導波管部と、第1の端部及び第2の端部を備えた第2の導波管部であって、第1の導波管部の第1の端部がレーザー源104の第2の端部に結合される第2の導波管部と、第1の導波管部の第2の端部と第2の導波管部の第2の端部との間に結合された共鳴振動数を備えたマイクロキャビティ102から成る。さらに、マイクロキャビティ102とレーザー源104との間に結合された電子ロッキングループ108が、レーザー源104をマイクロキャビティ102の共鳴振動数に電子的にロックする。 (もっと読む)


【課題】発光電圧の異常により半導体レーザ素子が破壊されることを防止する。
【解決手段】
光ディスク装置の半導体レーザ素子破壊防止回路が、半導体レーザ素子の発光を指示する旨の発光指示信号を出力する発光指示回路部と、半導体レーザ素子を発光させるために半導体レーザ素子用電源から光出力制御回路部に供給される発光電圧を監視し、発光電圧に異常がないと判断するとき、半導体レーザ素子の発光を許可する旨の発光許可信号を出力する電圧監視回路部と、発光指示信号及び発光許可信号が入力されるときのみ、光出力制御回路部に半導体レーザ素子を発光させる発光許可回路部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】レーザダイオードの劣化を好適に抑制する。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置(1、2)は、レーザダイオード(LD)、及びレーザダイオードの発光出力を検出する発光出力検出手段(MD)を有する光源部(20)と、光源部に電気的に接続され、発光出力検出手段の出力に応じて、レーザダイオードの発光出力を制御する出力制御回路(11)の少なくとも一部を有する制御部(10)と、を備える。光源部は、更に、出力制御回路に電力を供給する第1電力供給路の一部(L11、L12、L13)と、一端が第1電力供給路の一部に電気的に接続されると共に、他端が発光出力検出手段に電気的に接続され、発光出力検出手段に電力を供給する第2電力供給路(L2)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置の制御方法は、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含みヒータによって屈折率が制御される第1波長選択部と、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含む第2波長選択部とを備える半導体レーザと、半導体レーザの発振波長の測定結果に基づいて半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備える半導体レーザ装置の制御方法であって、半導体レーザの再起動時に、固定された初期設定値を用いて半導体レーザを発振させる第1ステップと、第1ステップの後に、ヒータの発熱量が固定された規定範囲に入るまで発熱量を調整する第2ステップと、第2ステップの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、半導体レーザの波長を補正する第3ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】電源電圧或いは半導体レーザ素子の特性がばらついても、降圧回路のみで使用可能なレーザ発光装置を提供する。
【解決手段】直流電源と、前記直流電源の電圧を降圧するチョッパ回路と、前記チョッパ回路により駆動され複数の半導体レーザ素子が直列に接続された半導体レーザ素子群と、を備えるレーザ発光装置であって、前記半導体レーザ素子群の個数は、前記直流電源の所定の電圧変動に対して前記チョッパ回路が、前記半導体レーザ素子群の所要駆動電圧を降圧とする個数である。 (もっと読む)


【課題】 所望の光出力を得るための光変換効率が高く、かつ長期信頼性にも優れた高出力2次元面発光レーザアレイの駆動方法等を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数の面発光レーザ素子よりなる、連続発振モードで駆動させて用いる2次元面発光レーザアレイであって、光出力1W以上の高出力用途のものを対象とするものである。本発明では、温度一定の条件の下で光変換効率が最大となる駆動電流値が前記面発光レーザアレイの光出力を最大にする駆動電流値の50%以下となる場合に、前記面発光レーザアレイの光出力がその最大値の50%以下となる電流値で駆動させる。 (もっと読む)


【課題】高調波光を安定して出射することが可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光24を発振するDFBレーザ12と、DFBレーザ12の温度を調節するヒータ14と、レーザ光24をレーザ光24の高調波光34に変換する高調波生成素子18と、を有するレーザモジュール10と、高調波生成素子18で変換された高調波光34の強度を高調波生成素子18で高調波光34に変換されずに高調波生成素子18を通過した非変換光36の強度で規格化した規格化高調波光の強度が所定の強度になるようにヒータ14に注入するヒータ電流28を制御する制御部40と、を具備するレーザシステム100である。 (もっと読む)


【課題】高精度な波長制御を可能にする波長制御装置等を提供する。
【解決手段】第1の光信号を受け付け、所定の波長の光信号を出力する第1のマッハツェンダフィルタと、第2の光信号を受け付け、所定の波長の光信号を出力する第2のマッハツェンダフィルタと、第1のマッハツェンダフィルタが有する導波路の一部と、第2のマッハツェンダフィルタが有する導波路の一部と、を加熱する加熱部と、第1のマッハツェンダフィルタから光信号を受け付け、当該光信号の波長を検出する第1の波長検出部と、第2のマッハツェンダフィルタから光信号を受け付け、当該光信号の波長を検出する第2の波長検出部と、第1の波長検出部から受け付けた波長に基づいて加熱部に供給する電力を制御する電力制御部と、第2の波長検出部から受け付けた波長に基づいて波長の値を出力する出力部と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数のレーザダイオードを液晶バックライトユニットに使用した場合でも均斉度を図るとともに、レーザダイオードの発光効率を高める。
【解決手段】直列に接続されたレーザダイオードLD1〜LDnに対し、周囲温度を検出する温度センサ11およびレーザダイオードLD1〜LDnにそれぞれ対応の光量センサOS1〜OSnを設けて、マイコン12に温度および光量のデータを取り込む。取り込まれた温度データに基づいてレーザダイオードLD1〜LDnを駆動する定電流回路13の定電流値を決定する。光量センサOS1〜OSnから得られるレーザダイオードLD1〜LDnの光量を平均化するために、レーザダイオードLD1〜LDnからの光量に基づきレーザダイオードLD1〜LDnの温度を制御することにより、レーザダイオードLD1〜LDnから得られる光量特性の均斉度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で半導体光源の出力の立ち上がりを常に速くすることができる光源駆動装置を実現する。
【解決手段】本発明に係るレーザーダイオード駆動装置1は、レーザーダイオードLD1〜LDnを駆動するための電圧を出力する可変DC電源3と、電流Ifを流す電流駆動素子4と、電流駆動素子4のON/OFFおよび電流Ifの大きさを制御する電流制御部5と、可変DC電源3の出力電圧を制御する電源制御部7と、備える。電源制御部7は、メモリ部8に記憶されたIf−Vf特性データD2、電圧降下特性データD3およびVds設定データD4に基づいて、電流駆動素子4の端子間電圧が電流Ifの大きさに関わらず一定となるように、可変DC電源3の出力電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構成で、レーザダイオードがショートモードにより故障したのか、オープンモードにより故障したのかを判断することができる励起光源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 励起光源装置1は、複数のレーザダイオードLD1〜LDnが直列に接続されると共に、それぞれのレーザダイオードLD1〜LDnが、レーザダイオードLD1〜LDnよりも降下電圧が大きいバイパス回路BP1〜BPnと並列に接続されている励起光源回路20と、励起光源回路20の一方側に接続される定電圧源10と、励起光源回路20の他方側に接続される定電流回路30と、励起光源回路20全体での降下電圧の変化に基づいてレーザダイオードの故障を検出する故障検出回路40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】温度が変化した場合でも、レーザ光の波長を容易に高調波生成素子で変換可能な波長範囲内にすることが可能なレーザシステムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光36を発振するDFBレーザ12と、DFBレーザ12の温度調節をするヒータ14と、レーザ光36をレーザ光36の高調波光38に変換する高調波生成素子20と、を有するレーザモジュール10と、レーザモジュール10の温度が所定の温度において、DFBレーザ12が発振したレーザ光36の波長が高調波生成素子20で変換可能な波長範囲内になるように、DFBレーザ12を駆動する駆動電流26を制御し、レーザモジュール10の温度が所定の温度から変化した場合に、レーザ光36の波長が高調波生成素子20で変換可能な波長範囲内になるように、ヒータ14に投入するヒータ電流28を制御する制御部40と、を具備するレーザシステムである。 (もっと読む)


【課題】共振器から出射される光を高精度かつ適切に調整することができ、長期安定性を確保することができるレーザ光源装置の提供。
【解決手段】レーザ光源装置1は、光源2と、共振器3と、導光手段4と、制御ユニット6とを備える。共振器3は、エタロン35を備える。導光手段4は、共振器3から出射される光の波長、及び強度を検出する。制御ユニット6は、強度調整部と、波長調整部とを備える。強度調整部は、共振器3から出射される光がシングルモードで最大の強度となるように調整する。波長調整部は、導光手段4にて検出される光の波長、及び強度に基づいて、共振器3の光軸に対するエタロン35の角度、及び共振器3における共振器長を同時に調整することによって、強度調整部にて調整された状態を維持しながら共振器3から出射される光の波長を調整する。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザを高い発光効率で駆動しながら、常時安定した光量を長期に渡って確保する。
【解決手段】複数のレーザダイオード(LD)を有する半導体レーザ部21を含む光源部17と、半導体レーザ部21の複数のLD個々の明るさを測定する輝度センサ36と、その測定結果に基づいて半導体レーザ部21の複数のLDを複数のグループに分割し、分割したグループ単位で時分割に発光駆動させる投影光処理部37及びCPU38と、画像信号を入力する入力系11,12と、光源部17からの光を用い、入力系11,12で入力する画像信号に対応した光像を形成して投影する投影系13〜16,18,19とを備える。 (もっと読む)


【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると,半導体ゲインチップ11の前方端面および後方端面から光が出射する。後方端面からの光はフォトダイオード14に入射して受光電流Imを出力する。受光電流Imは,サーミスタ13の近傍に設けられた薄膜抵抗17に通電され,これによって薄膜抵抗17が加熱される。薄膜抵抗17からの熱がサーミスタ13に伝達される。 (もっと読む)


【課題】複数のレーザ光を利用して波長変換を行い出力される複数のレーザ光の出力光強度を各々調整することができる波長変換レーザ光源を提供することを目的とする。
【解決手段】波長変換レーザ光源301は、互いに異なる波長の励起光を出力するレーザ(11−1、2)と、レーザ(11−1、2)からの励起光(L1、L2)を合波して複数の合波光L3を出力する光合分波器12と、光合分波器12から出力される合波光L3毎に波長を変換する波長変換素子を含む波長変換部(14−1、2)と、光合分波器12と波長変換部(14−1、2)との間で光合分波器12が出力する合波光L3の光強度を減衰する可変光アッテネータ(13−1、2)と、波長変換部(14−1、2)から出力される出力光Loの光強度を一定に保つように可変光アッテネータ(13−1、2)の減衰量を調整する減衰制御回路(17−1、2)と、を備える。 (もっと読む)


【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると,半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ4中のFBG4aによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。TEC15上に,半導体ゲインチップ11および温度を測定するサーミスタ13が設けられている。半導体ゲインチップ11に電流が通電されると,同時にサーミスタ13の上面の薄膜抵抗39にも電流が通電される。サーミスタ11はサブマウント21を介して加熱されるとともに,薄膜抵抗39によっても加熱される。半導体ゲインチップ11とサーミスタ13の温度の乖離幅が小さくなる。サーミスタ13を所定温度に保つと,半導体ゲインチップ11(その活性層)の温度も所定温度に保たれる。 (もっと読む)


【課題】コストの上昇を抑えつつ、光源からの光の波長を目標波長に円滑かつ適正に調節することができる発光装置、情報取得装置、および物体検出装置を提供する。
【解決手段】情報取得装置1は、誘電体膜での多光束干渉により光を透過させる発光側フィルタ13と、発光側フィルタ13を透過したレーザ光を受光して信号を出力する第1受光センサ14と、レーザ光源101の温度に応じた信号を出力するサーミスタ103と、レーザ光源101の温度を調整するためのペルチェ素子102と、サーミスタ103からの信号に応じてペルチェ素子102を制御することにより、レーザ光の波長を発光側フィルタ13の半値幅内に引き込む第1PID制御部21bと、第1受光センサ14からの信号に応じてペルチェ素子102を制御することにより、半値幅内に引き込まれたレーザ光の波長を目標波長に収束させる山登り制御部21cおよび第2PID制御部21dとを備える。 (もっと読む)


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