【課題】発振スペクトル分布が狭いレーザ光を実現可能なモード同期レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
注入電流Iが注入されてキャリアが生成されかつキャリアの消費によりレーザ光Pのパルスを増幅すると共にキャリアの密度変化によりレーザ光Pのパルス強度に依存する自己位相変調と等価な位相変調を生じる半導体光増幅器１と、半導体光増幅器１から射出されるレーザ光Pのパルスの発振波長を可変とする掃引用変調部３と、掃引用変調部３により変調されたレーザ光Pのパルスを半導体光増幅器１に帰還させてレーザ発振現象を生じさせるリング共振器６と、異常分散領域で用いられかつリング共振器６を導波中のレーザ光Pのパルスの波長に依存してレーザ光Pのパルスの帰還時間を変化させる分散補償器５とを有する。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光効率を向上することができる半導体発光装置。
【解決手段】半導体発光素子Ｄ１と、半導体発光素子Ｄ１に流れるパルス電流を遮断して半導体発光素子Ｄ１の発光量を制御し且つパルス電流の遮断に伴って発生する半導体発光素子Ｄ１の拡散容量の放電が終了する前に半導体発光素子Ｄ１にパルス電流を流すように、半導体発光素子Ｄ１に印加すべきパルス信号のオン／オフのタイミングを制御するパルスタイミング制御部１とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】パイロット信号を用いずに消光比を制御する。
【解決手段】Ａ／Ｄ変換器３７は、制御データを制御信号に変換し、ＬＤＤ１２は、ビット列である送信情報に応じた駆動電流を制御信号に基づいて生成し、ＬＤ１４は駆動電流の入力を受けて光信号を送信し、ＭＰＤ１６は、ＬＤ１４から送信された光信号を電圧信号に変換し、フィルタ３０はこの電圧信号から一部の周波数帯域を抽出する。振幅検出部３２は、フィルタ３０により抽出された電圧信号の振幅を検出し、比較部３８は、検出された振幅に基づく比較対象振幅と、基準振幅と、を比較し、出力コントローラ４０は、比較結果に基づいて制御データのデータ値を所定値ずつ増加又は減少させる。 （もっと読む）

【課題】回路部分の小型化や省電力化が容易な原子発振器を提供する。
【解決手段】原子発振器１は、アルカリ金属原子に共鳴光対を照射することにより生じる電磁誘起透過現象を利用する原子発振器であって、光源１０、気体状のアルカリ金属原子２０、光検出部３０、周波数制御部４０を含む。光源１０は、可干渉性を有し、周波数が異なる第１の光と第２の光を含む複数の光を発生させて、アルカリ金属原子２０に照射する。光検出部３０は、アルカリ金属原子２０を透過した複数の光２２を受け取り、当該複数の光２２の干渉により得られる所定の周波数のビート信号を含む検出信号３２を生成する。周波数制御部４０は、検出信号３２に含まれる所定の周波数のビート信号に基づいて、第１の光と第２の光がアルカリ金属原子２０に電磁誘起透過現象を起こさせる共鳴光対となるように、第１の光及び第２の光の少なくとも一方の周波数制御を行う。 （もっと読む）

【課題】簡明な構成で、出力光のスペクトル幅を調整可能なレーザ装置、光源装置これらの調整方法を提供する。
【解決手段】光源装置１は、レーザ装置１０と波長変換部３０とを備えて構成される。レーザ装置１０は、単一波長のパルス光を発生するレーザ光発生部１１と、レーザ光発生部１１により発生されたパルス光Ｌsを増幅する光増幅部１２と、光増幅部１２により増幅されたパルス光Ｌaの一部を時間的に切り出して短パルス光Ｌp出射するパルス光変調部１５と、パルス光変調部１５による切り出しタイミングを調整する遅延調整器８７およびトリガパルス遅延部８４からなるタイミング調整部と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】環境温度が変化した場合でも、物体の遠近を精度良く判定する。
【解決手段】反射型光電スイッチは、半導体レーザ１と、レーザ１から放射されたレーザ光と戻り光との自己結合効果によって生じる干渉波形を含む電気信号を検出するフォトダイオード２および電流−電圧変換増幅部５と、干渉波形から物体１２までの距離が距離しきい値より遠いか近いかを判定する周期分別部７および判定部８と、干渉波形の周期の度数分布を作成し、反射壁面１１との距離に対応する干渉波形の周期の規定値をＴｂとしたとき、度数分布から規定値Ｔｂ以下の所定の範囲にある周期の度数の総和Ｎａと規定値Ｔｂ以上の所定の範囲にある周期の度数の総和Ｎｂを求め、ＮａとＮｂが等しくなるようにレーザ１の発振波長変調の搬送波の振幅または周波数を調整する調整部１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】広帯域な光周波数変調信号を発生する光信号発生器を提供する。
【解決手段】光信号発生器は、所定のバイアスを加えた所定の振幅を有し、変調された信号電流からなる変調信号を出力する変調信号発生器１１と、当該変調信号に応じて変調された単一スペクトルの光信号を出力するレーザ光源１２と、レーザ光源１２の出力光信号を所定の通過特性でフィルタリングする光フィルタ１３とを備える。光フィルタ１３は、フィルタ動作領域の最小周波数からの周波数離調に従って光の透過率が低減する通過特性を有し、当該通過特性は、当該変調信号の周波数範囲に対応する光周波数領域ではほぼ一定の透過率を有する。 （もっと読む）

【課題】光信号の劣化を防止するレーザ装置およびその制御方法を提供すること。
【解決手段】波長可変フィルタ２４と、位相調整領域３２と光増幅領域３４とを有する半導体光増幅器３０と、を含む共振器を備え、波長可変フィルタ２４の透過ピーク波長からモードホップが生じる波長までの波長マージンが長波側よりも短波側で小さい波長可変レーザモジュール１０の波長可変レーザモジュール制御部５０は、共振器から出力される光の光強度を検出する光出力サンプリング部６８と、検出される光強度が最大となるよう位相調整領域３４に印加される位相調整信号を変動させるディザ信号を生成するディザ信号源５８と、ディザ信号の変動周期より短い周期で位相調整領域３４に印加される位相調整信号を振動させるＦＭ信号を生成するＦＭ信号源６０と、を含み、光出力サンプリング部６８は、ＦＭ信号による位相調整信号の振動に同期して光強度を検出する。 （もっと読む）

【課題】CS光パルス列を構成する光パルスの半値幅を変えることが可能であり、かつ小型で消費電力が小さい。
【解決手段】光変調領域10、利得領域12、位相調整領域14及び分布反射鏡領域16を具えて構成される分布帰還型半導体レーザ100である。利得領域には、p側電極26とn側共通電極32とを介して、定電流源38によって電流が注入されて、レーザ発振に必要な反転分布が形成される。光変調領域では、モード同期の発現に必要な光変調がなされる。分布反射鏡領域には回折格子18が形成されている。モード同期半導体レーザの縦モードのうち、分布反射鏡領域のブラッグ波長を周波数に換算した周波数f₀に近接する２つの縦モードが、f₀+(f_rep/2)及びf₀-(f_rep/2)となるように、位相調整領域ならびに分布反射鏡領域の実効屈折率を調整することによって、繰り返し周波数がf_repであるCS光パルス列を発生させる。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、同時に測定する被測定ガスの種類を多くでき、軽量でコンパクトであり、可搬性を必要とする用途にも利便性が高い複数ガス濃度同時測定装置を提供する。
【解決手段】複数の被測定ガスに固有の赤外吸収スペクトルにそれぞれ一致した赤外発光スペクトルを有する赤外光源３を、それぞれ異なった周波数で振幅変調しながら常時発光させ、これらの赤外光を一つの光束５に形成し、光束５を二つの光束７，８に分割し、光束７を周波数を選択して位相敏感検波して、多重反射試料ガスセル１１へのそれぞれの赤外光の入射光強度を測定し、光束１２を周波数を選択して位相敏感検波して、それぞれの赤外光の多重反射試料ガスセル１１からの透過光強度を測定する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の抑制と半導体レーザの長寿命化を図りつつ、レーザ光の照射位置を円滑にモニタできるビーム照射装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００は、パルス発光間の期間において、レーザ発振閾値以下の電流にて自然放出光を発光する。自然放出光は、ビームスプリッタ４００によって分離され、ＰＳＤ６００に受光される。ＰＳＤ６００からの出力電流は、Ｉ／Ｖ変換回路６０にて電圧信号に変換される。ＰＳＤ信号処理回路７０は、この電圧信号をもとに、ＰＳＤ受光面上における分離光の受光位置に応じた位置電圧信号を出力する。ＡＤＣ８０は、自然放出光の発光期間にて位置電圧信号をサンプリングし、サンプル値をＤＳＰ１０に出力する。ＤＳＰ１０は、このサンプル値に基づいて、各パルス発光タイミングにおけるレーザ光の照射位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】原子時計の小型化を図りつつ、量産性を向上させる。
【解決手段】内部に原子ガスを封入した、セラミックパッケージ２００と封止部１１０から形成されるセルと、セル内部に入射して原子ガスを励起させるレーザ光を発振するレーザダイオード１２０と、セルを通過したレーザ光を受光するフォトディテクタ１３０を備え、レーザダイオード１２０およびフォトディテクタ１３０は、セルの内部に面した同一の面に貼付され、封止部１１０は、レーザダイオード１２０から発振されたレーザ光が、４５度の入射角で入射するように形成された反射面１１２と、反射面１１２で反射されたレーザ光が、４５度の入射角で入射するように形成された反射面１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 偏波状態の可変とともに波長の高速可変を可能にする。
【解決手段】 回動ミラーを構成する反射板５２の反射面５２ａを延長した面Ｈ３で区切られてなる２つの空間のうち、回折格子４５が含まれる方の空間に半導体レーザ４２とコリメートレンズ４３を配置し、その出射光を、反射板５２の反射面５２ａを延長した面Ｈ３と回折格子４５の回折面４５ａを回動中心Ｏ側へ延長した面Ｈ１ではさまれた空間で且つ回折面４５の所定入射位置Ｇと回動中心Ｏとの間に配置された固定ミラー４４で受けて回折格子４５の回折面４５ａの所定入射位置Ｇに入射して、回動ミラーと光路が交差しない構造にし、得られた波長可変光の偏波状態を偏波コントローラで可変し、試験光として出射する。 （もっと読む）

入射光の波長を調整する波長調整装置を使用することなく、入射光の波長を半導体レーザの発振光に簡単に共鳴させることができ、短光パルスにおけるパルス発生のタイミングジッタを安定的に抑制することができ、安価に製造できる短光パルス発生装置を提供する。 半導体レーザ２０を間欠的に発振させて、間欠的に光を出力させる短光パルス発生装置１において、半導体レーザ２０から出力される出射光の状態を制御する発光制御部１０と、出射光を分光し、分光された帰還光を半導体レーザ２０に入射する帰還光入射部３０とを備えており、帰還光入射部３０が、帰還光が半導体レーザ２０に入射される帰還タイミング、および半導体レーザ２０に入射されるタイミングにおける帰還光の偏光方向を制御する位相調整手段を備えている。
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ＯＡＤＭ機能の品質及び信頼性の向上を図り、柔軟性に富んだ経済的なＯＡＤＭネットワークの構築を実現する。波長可変フィルタ（１１）は、制御周波数にもとづいて、波長を可変に選択する。フィルタ制御部（１２）は、信号帯域全体に渡って波長スキャンさせた制御周波数を波長可変フィルタ（１１）に印加して、受信した基準波長モニタ信号（ｍ０）により、波長可変フィルタ（１１）が基準波長を選択する際の基準制御周波数を認識して波長合せを行い、波長選択要求の受信時には、基準波長と選択すべき目的の波長との相対位置から基準制御周波数にもとづいて目的制御周波数を求めて波長可変フィルタ（１１）に印加する。基準波長フィルタ（２１）は、基準波長を透過させる。受光素子（２２）は、透過した基準波長をモニタして基準波長モニタ信号（ｍ０）を生成する。
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キャビティ内周波数変換を備えたモード同期レーザが開示される。一実施形態では、基本波周波数のパルスと周波数シフトされた周波数のパルスとの間の時間的、空間的、または偏光のオーバーラップを低減させることによって、変換周波数が改善される。 （もっと読む）