【課題】電気的性能とはんだの接着性の両方を改善する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）導電性銀粉末と、（ｂ）Ｍｎ含有添加剤と、（ｃ）軟化点が３００から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、（ｄ）有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、ｐ−ｎ接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、（ａ）前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まない抵抗ペ−スト、及びこの抵抗ペーストを用いて形成され、高い抵抗値を有しながらも、良好な電気的特性を有する鉛フリーの抵抗体を提供する。
【解決手段】 導電性粒子と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとで実質的に構成される抵抗ペ−ストであって、導電性粒子が平均粒径１.０μｍ以下の二酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）単独であるか又は二酸化イリジウムと二酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）であり、且つガラスフリットが平均粒径は５μｍ以下のホウケイ酸ガラスなどの鉛を含まないガラスフリットからなる。 （もっと読む）

【課題】 一回の塗布作業で十分な厚さの塗布膜あるいは十分な高さのバンプを形成させることが可能な導電性ペースト組成物の提供。
【解決手段】 エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂およびポリエステル樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種のバインダー樹脂（成分（Ａ））、粒径２．９７６〜１０．１０μｍの粒子が４０〜８０％を占める導電性粉末（成分（Ｂ））、平均粒径が１〜１１ｎｍであるマイクロシリカ（成分（Ｃ））及び溶剤（成分（Ｄ））からなることを特徴とする、導電性ペースト組成物、およびこの導電性ペースト組成物を用いたことを特徴とするプリント配線板。 （もっと読む）

【課題】ＰｂフリーかつＴＣＲやＳＴＯＬを広範な組成において確実に小さな値とすることが可能な高抵抗厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】下記の組成を有することを特徴とする厚膜抵抗体用ガラス組成物である。ガラス組成物は、導電性材料および有機ビヒクルと混合されて厚膜抵抗体用ペーストとされ、これをたとえば印刷して焼き付けることで、厚膜抵抗体とされる。
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上：１３モル％〜４５モル％、
Ｂ_２Ｏ_３：０〜４０モル％（ただし、０は含まず）、
ＳｉＯ_２：１７モル％〜７２モル％（ただし、７２モル％は含まず）、
ＺｒＯ_２：０〜１０モル％（ただし、０は含まず）、
Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種若しくは２種以上：０〜１０モル％（ただし、０は含まず）。 （もっと読む）

【課題】乾燥初期の粘度が高くなるようにして凹凸を生じにくくした導体ペースト及びそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】
導電性粉末と樹脂と溶剤とから成る導体ペーストにおいて、樹脂がアクリル樹脂とブチラール樹脂とを混合したものから成る導体ペーストである。また電子部品は、この導体ペーストを用いて端子電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたＴＣＲ特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 導電性材料及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属を含む複合酸化物を含有する。前記複合酸化物は、アルカリ金属と、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種とを含む。前記複合酸化物は、ＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３、Ｌｉ_２ＴｉＯ_３、ＮａＮｂＯ_３、ＮａＴａＯ_３、Ｎａ_２ＴｉＯ_３、Ｎａ_２Ｔｉ_３Ｏ_７、ＫＮｂＯ_３、ＫＴａＯ_３、Ｋ_２ＴｉＯ_３から選択される少なくとも１種である。前記導電性材料としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。導電性材料としての前記化合物がＣａＲｕＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３から選ばれる少なくとも１種である。前記抵抗体組成物が添加物としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。添加物としての前記化合物がアルカリ土類金属とＴｉとを含む複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたＴＣＲ特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 Ｒｕ複合酸化物及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属酸化物を含有する。前記ガラス組成物の成分として前記アルカリ金属酸化物を含有することが好ましい。前記アルカリ金属酸化物がＬｉ酸化物、Ｋ酸化物、Ｎａ酸化物から選ばれる少なくとも１種であり、前記ガラス組成物における前記アルカリ金属酸化物の含有量が、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ又はＮａ_２Ｏに換算して、０〜２０モル％（ただし０は含まず。）である。 （もっと読む）

【課題】対象への密着性、はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性に優れた導体膜を形成することが可能な導電ペーストおよび該導電ペーストを用いて導体膜が形成された信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】導電性粉末と、軟化点が３５０〜４５０℃で、結晶化温度が脱脂温度より低く、結晶が再融解する再融解温度が脱脂温度より高く焼成温度以下である低軟化点結晶化ガラスと、軟化点が６００〜１０００℃で、低軟化点結晶化ガラスより軟化点の高い高軟化点ガラスとが含有された組成とする。
導電性粉末と低軟化点結晶化ガラスの体積比を、導電性粉末１００に対して、低軟化点結晶化ガラス６〜１０の範囲とし、導電性粉末と高軟化点ガラスの体積比を、導電性粉末１００に対して、高軟化点ガラス０．５〜４の範囲とする。
低軟化点結晶化ガラスにＢｉ₂Ｏ₃を７０重量％以上含有させ、高軟化点ガラスにＳｉＯ₂を５０重量％以上含有させる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＣＲの調整が可能であり、微細で粒径が揃っていて分散性に優れ、厚膜抵抗体用として好適なＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末とその製造方法、及びそのＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を用いたＴＣＲの調整可能な厚膜抵抗体組成物を提供する。
【解決手段】 Ｒｕ化合物とＭｎ化合物を酸化ホウ素又はホウ酸と混合し、得られた混合物を５００〜１０００℃で熱処理した後、得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去して、Ｒｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を製造する。このＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末は、ルチル構造を有するＲｕＯ_２中にＭｎが固溶したＲｕ−Ｍｎ−Ｏの単一相からなり、ＲｕとＭｎの割合を変えることでＴＣＲを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を抑制することが可能な導電性ペースト、電子部品、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 一対の端子電極１１，１３は、第１の電極層１１ａ，１３ａ、第２の電極層１１ｂ，１３ｂ、及び、第３の電極層１１ｃ，１３ｃをそれぞれ有している。第１の電極層１１ａ，１３ａは、コンデンサ素体３の外表面に形成されており、且つ導電性ペーストの焼付により形成されている。第２の電極層１１ｂ，１３ｂは、第１の電極層１１ａ，１３ａ上に電気めっきにより形成されている。第３の電極層１１ｃ，１３ｃは、第２の電極層１１ｂ，１３ｂ上に電気めっきにより形成されている。導電性ペーストは、金属粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、ＺｎＯとを含み、当該ＺｎＯの添加量は金属粉末に対して５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂフリーで、ＴＣＲに優れた厚膜抵抗体を実現し得る厚膜抵抗体用ガラス組成物及び厚膜抵抗体ペーストを提供する。
【解決手段】 下記に組成を示すように、ＡｇやＰｄ等の貴金属元素を含有することを特徴とする厚膜抵抗体用ガラス組成物である。ガラス組成物は、導電性材料及び有機ビヒクルと混合されて厚膜抵抗体用ペーストとされ、これを例えば印刷して焼き付けることで、厚膜抵抗体とされる。
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上：１３〜４５モル％
Ｂ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２から選択される１種若しくは２種：３５〜８０モル％
ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３から選択される１種若しくは２種：０〜１１モル％
Ｔａ_２Ｏ_５，Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種若しくは２種：０〜８モル％
ＭｎＯ：０〜１５モル％
貴金属元素から選択される１種若しくは２種以上：０．１〜１０モル％ （もっと読む）

【課題】 半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供する。
【解決手段】 導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、該酸化物粉末が、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とを含む厚膜導体形成用組成物を用いる。ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ₂：２０〜６０質量％、Ｂ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ₂Ｏ：０．１〜１０質量％であり、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部、Ａｌ₂Ｏ₃粉末が０．１〜８質量部である。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型化合物をガラスと接触させた状態で熱処理を行った場合に、確実にペロブスカイト型化合物の分解を抑制する。
【解決手段】 Ａサイト元素とＢサイト元素を含みＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物をガラスと接触した状態で熱処理するに際し、陽イオンの電場を作る強度がＡサイト元素よりも小さな元素を含む分解抑制化合物を添加する。陽イオンの電場を作る強度は、原子価／（イオン半径）^２により求められる。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂフリーで、温度特性（ＴＣＲ）に優れた厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】 ガラス組成物中に導電性材料が分散されてなる厚膜抵抗体である。厚膜抵抗体構造中に、ガラス組成物とは異なる分布でＴａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種が含まれている。Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種の少なくとも一部は、ガラス組成物中のＺｒＯ_２と反応または混合した状態で存在してもよい。このような厚膜抵抗体を形成するには、ガラス組成物とは別に、添加物としてＴａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種を含む厚膜抵抗体ペーストを用いる。 （もっと読む）

【課題】 例えば厚膜抵抗体の導体形成用の導体ペーストに用いられたときに、厚膜抵抗体における抵抗値の形状依存性を小さくし、さらには温度特性（ＴＣＲ）に優れる厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】 導電性材料及びガラス組成物を含有する導体組成物が有機ビヒクルに分散されてなる導体ペーストであって、導体組成物がＢｉを実質的に含まず、ガラス組成物が少なくともＣａＯを含有する。導体組成物は、Ｐｂを実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】
透明性と導電性を兼ね備えたＩＴＯ透明導電膜を、塗布法、特にインクジェット印刷法等により形成するのに適した透明導電膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】
導電性酸化物微粒子と、無機バインダーと、溶媒とからなる透明導電膜形成用塗布液であって、前記導電性酸化物微粒子の平均粒径は１０〜１００ｎｍであり、前記無機バインダーの平均重量分子量（ポリスチレン換算）は３０００〜１５００００であり、且つ、前記溶媒には、γ−ブチロラクトンが１０〜９０重量％含有されていることを特徴とするインクジェット印刷に適した低粘性の透明導電膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 セラミックスと同時焼成しても抵抗値変化の少ない抵抗ペーストおよびそれを使用した低温焼成ガラスセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】 セラミックス粉末、ガラス粉末、樹脂、および有機添加剤からなるセラミックスグリーンシートに、導電性粉末とガラス粉末の混合物ペーストを印刷する。そして、印刷後のグリーンシートを複数積層し、焼成して低温焼成ガラスセラミックス回路基板を作製する。その際、導電ペーストに含まれるガラスの転移温度Ｔｇ、セラミックスの焼成温度Ｔｃが、Ｔｃ−１５０≦Ｔｇ≦Ｔｃの関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】緻密で、素体との接着強度が高く、且つ、耐めっき液性が極めて優れ、薄膜化にも対応可能な端子電極を形成することのできる導体ペースト、並びに、この導体ペーストに好適に用いられるガラス粉末を提供することにある。
【解決手段】ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｒ_２Ｏ（Ｒはアルカリ金属）及びＲ’Ｏ（Ｒ’はアルカリ土類金属）、又はこれらの成分に更にＢ_２Ｏ_３を含有するガラス粉末であって、該ガラス粉末中における前記各成分の重量％による含有率が下記式（１）を満たすと共に、該ガラス粉末の軟化点Ｔｓ〔℃〕及びガラス転移点Ｔｇ〔℃〕が、１３０≦（Ｔｓ−Ｔｇ）≦２８０を満たすことを特徴とするガラス粉末、酸化物換算で下記の組成からなる成分を含有し、下記式（１）を満たすことを特徴とするガラス粉末、及び該ガラス粉末用いた導体ペースト。
（Ｒ_２Ｏ＋Ｒ’Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３）／ＳｉＯ_２≦０．９５ ・・・・・ （１） （もっと読む）

【課題】 優れた加工性，耐変質性，高導電性，および耐酸化性などのような優れた物性を有しながらも，低い製造費用で電極パターンを製造することができる感光性ペースト組成物，感光性ペースト組成物を用いた電極およびグリーンシートを提供する。
【解決手段】 本発明によれば，金属−コーティング粉末を含む導電性粉末と，無機バインダと，有機ビヒクルとを含む感光性ペースト組成物およびこの感光性ペースト組成物を用いて製造されるグリーンシートが提供される。 （もっと読む）

【課題】 貴金属元素が熔融はんだ中に溶け出すというはんだ喰われの発生が少ないだけでなく、電気伝導性に優れ、かつ、セラミック基板との接着強度の大きい厚膜導体を形成することができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 導電性ペーストを、導電粉末、ガラス粉末および有機ビヒクルから構成する。前記導電粉末はＡｇ粉末またはＰｄ粉末を含有するＡｇ粉末からなり、該Ａｇ粉末は粒径２．４μｍ以下で、その表面はＳｉまたはＳｉ系化合物で被覆する。前記ガラス粉末は粒径が１４μｍ以下で、軟化点が５８０℃以下で、かつ、その含有量は前記導電粉末１００質量％に対して０．２質量％以上１５質量％以下とする。 （もっと読む）