厚膜導体形成用組成物
【課題】 半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供する。
【解決手段】 導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、該酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含む厚膜導体形成用組成物を用いる。ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であり、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部、Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部である。
【解決手段】 導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、該酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含む厚膜導体形成用組成物を用いる。ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であり、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部、Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物に関し、特に、チップ抵抗器、抵抗ネットワークおよびハイブリッドＩＣなどを製造する際、セラミック基板上などに、厚膜導体を形成するために使用する厚膜導体形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
厚膜技術を用いて厚膜導体を形成する場合、一般には、導電率の高い導電粉末を、ガラス粉末などの酸化物粉末と共に、有機ビヒクル中に分散させて、導電ペーストを得て、該導電ペーストを、アルミナ基板等のセラミック基板上に、スクリーン印刷法等により、所定の形状に塗布し、５００℃〜９００℃で焼成することにより、厚膜導体を形成する。
【０００３】
導電粉末としては、導電率の高いＡｕ、Ａｇ、ＰｄまたはＰｔからなり、平均粒径１０μｍ以下の粉末が用いられており、特に、安価なＡｇ粉末およびＰｄ粉末が、一般的に使用されている。
【０００４】
ガラス粉末としては、軟化点の制御が容易で、化学的耐久性の高いホウケイ酸鉛、またはアルミノホウケイ酸鉛系が用いられてきた。しかしながら、環境汚染を防止する昨今の観点から、鉛を含有しない導電ペーストが望まれている。
【０００５】
得られた厚膜導体を使用して、チップ抵抗器、抵抗ネットワークまたはハイブリッドＩＣ等の電子部品を製造する際の製造工程、あるいは実装工程では、厚膜導体に半田付けが行なわれる。この半田付けの際に、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄまたはＰｔが、半田中に溶け出し、導体部分が消失し、断線してしまうことがある。この現象を、半田食われと呼んでいる。半田食われは、チップ抵抗器、抵抗ネットワークまたはハイブリッドＩＣ等の電子部品の歩留まりを低下させたり、これらの電子部品の信頼性を低下させる原因になるという問題がある。
【０００６】
さらに、前述のように環境汚染を防止するため、半田も、６３Ｓｎ／３７Ｐｂの共晶半田から、鉛を含有しないＳｎ含有量の高い組成の半田に変わりつつあり、Ｓｎ系半田の融点が高いことから、半田付け温度も高くなる傾向がある。このような半田組成の変更や、半田付け温度の上昇に伴い、半田食われが今まで以上に発生しやすくなったという問題もある。
【０００７】
半田食われを防ぐ方法の一つとして、厚膜導体形成用組成物中のガラス粉末の量を増やし、得られる厚膜導体の表面にガラス成分を浮かせる方法がある。しかしながら、この方法では、厚膜導体と電子部品の接触が不完全となったり、電子部品の特性値を測定するためのプローブと、厚膜導体との接触が不完全となる問題がある。
【０００８】
また、特開平６−２２３６１６号公報には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末と、ＳｉＯ2粉末と、導電粉末とを、有機ビヒクルに分散させて、ペースト焼成時に、アノーサイト（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8）と呼ばれる針状の結晶相を厚膜導体の内部に析出させることにより、半田食われを防ぐ方法が記載されている。しかしながら、特開平６−２２３６１６号公報に記載の導電ペースト用組成物は、鉛を含有しているガラス粉末を用いており、環境汚染の観点から好ましくない。また、特開平６−２２３６１６号公報には、ガラス粉末中のＰｂＯが１５質量％未満では、アノーサイトが十分に析出しないと記載されているように、鉛を含有しない導電ペーストでは、半田食われを防ぐことが困難であった。
【０００９】
一方、特開平７−９７２６９号公報および特開平２００１−１１４５５６号公報には、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末との混合物を加熱することによって、アノーサイトを析出させている。しかしながら、これらの場合には、十分な大きさのアノーサイトを析出させるためには、その結晶化温度が高い（ガラスの軟化温度が高い）ことから、９００℃以上の高温が必要である。９００℃以上の温度で電極ペーストを焼成すると,電極膜が過焼結となったり、融点が低いＡｇを主成分とする電極ペーストでは電極膜が島状になってしまい,均質な電極膜が形成できなくなるという問題がある。
【００１０】
【特許文献１】特開平６−２２３６１６号公報
【００１１】
【特許文献２】特開平７−９７２６９号公報
【００１２】
【特許文献３】特開２００１−１１４５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前述の事情に鑑み、半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の厚膜導体形成用組成物は、導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、前記酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含む。ここで、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末には、これらの組成からなるもののほか、これらの成分以外に、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｂｉ2Ｏ3等の他の成分を含有するガラス粉末も含まれる。また、酸化物粉末として、該ガラス粉末、Ａｌ2Ｏ3粉末のほか、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ2等を添加することは妨げられない。
【００１５】
前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比が、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であることが好ましい。特に、前記ガラス粉末におけるＬｉ2Ｏの組成比が、０．５〜６重量％の範囲にある場合には、厚膜導体形成用組成物に含まれるガラス粉末の含有量が少ない場合でも、得られる厚膜導体の耐半田性が損なわれることなく、その接着強度を向上させることができる。
【００１６】
なお、前記導電粉末は、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの少なくとも１種類であることが好ましい。
【００１７】
また、前記導電粉末１００質量部に対し、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部であり、前記Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の厚膜導体形成用組成物により、従来の技術では困難であったが、鉛を含有せず、半田食われの少ない導体膜を形成することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の厚膜導体形成用組成物は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含有することを特徴とし、導電ペースト焼成時に前記ガラス粉末とＡｌ2Ｏ3粉末とを反応させることにより、アノーサイトが厚膜導体内部に均一に析出している厚膜導体を得ることができる。かかる厚膜導体を用いると、僅かな量の厚膜導体中の貴金属が、半田に溶け出すことにより、アノーサイトが厚膜導体の表面に棘状に露出する。アノーサイトは針状の結晶であり、これが厚膜導体表面に棘状に露出すると、半田が、表面張力によって貴金属に達しなくなり、半田食われが進行しなくなる。
【００２０】
本発明の厚膜導体形成用組成物において、前記ガラス粉末に、Ａｌ2Ｏ3粉末を混合させない場合、得られた厚膜導体とセラミック基板の界面付近に、アノーサイトが多く析出してしまうため、半田食われを抑制する効果が十分に得られない。すなわち、半田が、表面張力によって貴金属に達しないようにするためには、アノーサイトが厚膜導体内部に均一に析出している必要がある。さらに、半田付けにより露出するアノーサイトの棘の長さが１μｍ以上は必要である。長さが１μｍ未満の微細な結晶相では、該アノーサイト結晶が厚膜導体中から半田中に移動してしまい、半田食われを抑制する効果が十分に得られなくなる。
【００２１】
前述のように、アノーサイトは、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末との混合物を加熱することによっても、析出させることができる。この場合に、十分な大きさのアノーサイトを析出させるには、９００℃以上の高温が必要である。これに対して本発明では、ガラス粉末中にＬi2Ｏが含有されているため、低温でもアノーサイトを析出させることを可能としている。
【００２２】
本発明に用いるＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であることが好ましい。
【００２３】
ガラス粉末の組成において、ＳｉＯ2が、２０質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、半田食われを防止できなくなるおそれがある。また、厚膜導体中のガラスの耐候性、耐水性および耐酸性が低下する傾向となる。一方、ＳｉＯ2が、６０質量％より多くなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎて、アノーサイトが析出する温度が高くなる傾向となる。
【００２４】
Ｂ2Ｏ3が、２質量％より少なくなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎる傾向となる。また、厚膜導体のガラスが脆くなりやすくなってしまう。一方、Ｂ2Ｏ3が、２５質量％より多くなると、ガラスが分相しやすくなり、厚膜導体中のガラスの耐候性、耐水性および耐酸性も低下するおそれがある。
【００２５】
ガラス粉末の組成において、Ａｌ2Ｏ3が、２質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、また、厚膜導体中のガラスが分相しやすくなる。一方、Ａｌ2Ｏ3が、２５質量％より多くなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎ、アノーサイトが析出する温度が高くなりすぎるおそれがある。
【００２６】
ＣａＯが、２０質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくい。ＣａＯが、５０質量％より多くなると、ガラス化しにくくなる。
【００２７】
Ｌｉ2Ｏは、ガラスの軟化温度を低下させる働きがあり、Ｌｉ2Ｏの含有量を増やすと、それに応じて、アノーサイトの結晶を大きく成長させることができる。従って、ガラス粉末の組成において、Ｌｉ2Ｏが、０．１質量％よりも少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、また、析出したアノーサイトの大きさも小さくなりやすい。一方、Ｌｉ2Ｏが、１０質量％より多くなると、ガラスの耐候性、耐水性および耐酸性が低下するおそれがある。なお、Ｌｉ2Ｏが、４〜８質量％の範囲にある場合には、厚膜導体形成用組成物に含まれるガラス粉末の含有量が少ない場合でも、得られる厚膜導体の耐半田性が損なわれることなく、その接着強度を向上させることができる。
【００２８】
本発明のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比では、Ｌｉ2Ｏは、ペースト焼成中に析出したアノーサイトにほとんど取り込まれて、固定化される。従って、形成された電極間に電位差があっても、Ｌｉイオンがマイグレーションしてしまうことはない。
【００２９】
本発明で使用するガラス粉末は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系であるが、その組成中に他の成分を含むこともでき、軟化点または耐酸性等に応じて、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2またはＢｉ2Ｏ3等の成分を選択し、含有させることができる。
【００３０】
本発明のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましい。平均粒径が１０μｍ以上では、ガラス粉末の軟化が遅れ、電極膜と基板との接着強度が低下する傾向となり、好ましくない。
【００３１】
本発明においては、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末を０．１〜１５質量部、Ａｌ2Ｏ3粉末を０．１〜８質量部、それぞれ添加している。
【００３２】
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が、導電粉末の１００質量部に対して０．１質量部より少なくなると、セラミック基板との接着強度が低下してしまう。また、１５質量部より多くなると、厚膜導体の抵抗値が高くなるばかりでなく、厚膜導体の表面にガラスが浮き、メッキ性、半田の濡れ、および特性評価のためのプローブとの接触抵抗が、劣化するおそれがある。
【００３３】
酸化物粉末に使用するＡｌ2Ｏ3粉末の平均粒径は、３μｍ以下が望ましい。Ａｌ2Ｏ3粉末の平均粒径が３μｍを超えると、アノーサイトが厚膜導体中に均一に析出しにくくなるばかりでなく、厚膜導体の表面が粗くなり、電子部品の特性を測定するためのプローブとの接触抵抗が大きくなるおそれがある。
【００３４】
酸化物粉末に使用するＡｌ2Ｏ3粉末が、導電粉末の１００質量部に対して０．１質量部より少なくなると、アノーサイトの析出が少なく、半田食われを起こしやすくなる。一方、８質量部より多くなると、接触抵抗が大きくなるだけでなく、セラミック基板との接着強度が低下してしまう。
【００３５】
本発明に用いる導電粉末は、通常の厚膜導体の形成に用いられるものでよく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔ等の粉末を、１種類のみで、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。導電粉末の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましく、導電粉末の形状は、粒状またはフレーク状等であってもよく、特に限定されない。
【００３６】
また、有機ビヒクルとしては、従来と同様に、エチルセルロースまたはメタクリレート等を、ターピネオールまたはブチルカルビトール等の溶剤に溶解したもので良い。
【００３７】
なお、本発明では、導電粉末、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末、およびＡｌ2Ｏ3粉末以外にも、厚膜導体の接着強度や半田濡れ性等を向上させる目的で、従来から用いられる各種粉末、例えば、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣｕＯ、ＺｎＯまたはＭｎＯ2等の酸化物粉末を添加することは、何ら差し支えない。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
平均粒径１．５μｍの粒状Ａｇ粉末９９．０質量部、および平均粒径０．１μｍの粒状Ｐｄ粉末１．０質量部からなる導電粉末に対して、表１に示した平均粒径３μｍのガラス粉末Ａを５質量部、および平均粒径０．５μｍのＡｌ2Ｏ3粉末を１質量部、それぞれ添加して、さらに、エチルセルロースのターピネオール溶液をビヒクルとして添加し、３本ロールミルで混練することにより、厚膜導体形成用ペーストを作製した。
【００３９】
作製した厚膜導体形成用ペーストを、９６％アルミナ基板上にスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥した。乾燥した基板を、ピーク温度８５０℃で９分間、トータル３０分間のベルト炉で焼成し、所定のパターンの厚膜導体膜を形成した。
【００４０】
得られた厚膜導体の膜厚の評価は、２．０ｍｍ×２．０ｍｍのパッドについて、触針型の膜厚計により測定することにより行った。
【００４１】
面積抵抗値の評価は、幅０．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの導体パターンの抵抗値をデジタルマルチメータにより測定して、得られた値を面積抵抗値に換算することにより行った。
【００４２】
耐半田性の評価は、次のように行った。まず、幅０．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの焼成した厚膜導体を用いて、２７０℃に保持した９６．５質量％Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ組成の鉛フリー半田浴中に、１０秒間、浸した後、抵抗値を測定する操作を１回として、この操作を繰り返した。測定された抵抗値が１ｋΩ以上になったことにより、半田食われが起きたことを確認し、半田食われが起きるまでの繰返し回数を、耐半田性の評価とした。
【００４３】
接着強度の評価は、２．０ｍｍ×２．０ｍｍのパターンの厚膜導体上に、直径０．６５ｍｍのＳｎメッキ銅線を、９６．５質量％Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ組成の鉛フリー半田を用いて半田付けし、垂直方向に引っ張り、剥離させ、剥離時の引っ張り力を測定することにより行った。
【００４４】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、それぞれ表３に示す。
【００４５】
本実施例の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、面積抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無く、耐半田性に優れていた。また、その接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。
【００４６】
（実施例２、３、比較例１、２）
使用量およびガラス粉末の種類を、表１および表２に示したように変更した以外は、実施例１と同様に厚膜導体を得て、実施例１と同様に測定を行った。
【００４７】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、表３に示す。
【００４８】
実施例２の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、面積抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無く、耐半田性に優れていた。また、その接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。
【００４９】
実施例３の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無かった。接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。ガラス粉末Ｃは、ガラス粉末Ａやガラス粉末Ｂよりも、軟化温度が低く、ガラス粉末が少量でも、ガラス粉末Ｃを用いた実施例３のように、得られる厚膜導体の接着強度が高いことが分かる。
【００５０】
一方、比較例１の厚膜導体は、接着強度が低く、４回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になってしまい、耐半田性に劣っていた。
【００５１】
比較例２の厚膜導体は、４回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になってしまい、耐半田性に劣っていた。
【００５２】
（比較例３）
酸化物粉末に対して、Ａｌ2Ｏ3粉末を加えなかった他は、ガラス粉末の種類（ガラス粉末Ａ）および導電粉末とガラス粉末の割合については、実施例１と同様にして、厚膜導体を得て、実施例１と同様に測定を行った。
【００５３】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、表３に示す。
【００５４】
比較例３の厚膜導体は、３回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になり、耐半田性に劣っていた。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【表２】
【００５７】
【表３】
【００５８】
比較例１のように、Ｌｉ2Ｏを含まないガラス粉末Ｄを使用して得た導体ペーストでは、厚膜導体中にアノーサイトが十分に析出および成長しないので、厚膜導体のＡｇまたはＰｄが、完全に半田に食われてしまっている。このことから、Ｌｉ2Ｏがアノーサイトの析出および成長を促進させていることが理解される。
【００５９】
比較例２のように、ＣａＯを含まないガラス粉末Ｅを使用して得た導体ペーストでは、アノーサイトが析出せず、厚膜導体のＡｇまたはＰｄが、完全に半田に食われてしまっている。アノーサイトは、ＳiとＡｌとＣａの複合酸化物であり、Ｃａを含まないガラス組成ではＣａが供給されず、アノーサイトが析出しないためである。
【００６０】
比較例３は、Ａｌ2Ｏ3粉末を含まない比較例である。酸化物粉末として、Ａｌ2Ｏ3粉末を加えない場合では、アノーサイトが厚膜導体中に均一に析出せず、厚膜導体とアルミナ基板の界面部に集中的に析出してしまい、半田から厚膜導体を保護することができないことがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物に関し、特に、チップ抵抗器、抵抗ネットワークおよびハイブリッドＩＣなどを製造する際、セラミック基板上などに、厚膜導体を形成するために使用する厚膜導体形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
厚膜技術を用いて厚膜導体を形成する場合、一般には、導電率の高い導電粉末を、ガラス粉末などの酸化物粉末と共に、有機ビヒクル中に分散させて、導電ペーストを得て、該導電ペーストを、アルミナ基板等のセラミック基板上に、スクリーン印刷法等により、所定の形状に塗布し、５００℃〜９００℃で焼成することにより、厚膜導体を形成する。
【０００３】
導電粉末としては、導電率の高いＡｕ、Ａｇ、ＰｄまたはＰｔからなり、平均粒径１０μｍ以下の粉末が用いられており、特に、安価なＡｇ粉末およびＰｄ粉末が、一般的に使用されている。
【０００４】
ガラス粉末としては、軟化点の制御が容易で、化学的耐久性の高いホウケイ酸鉛、またはアルミノホウケイ酸鉛系が用いられてきた。しかしながら、環境汚染を防止する昨今の観点から、鉛を含有しない導電ペーストが望まれている。
【０００５】
得られた厚膜導体を使用して、チップ抵抗器、抵抗ネットワークまたはハイブリッドＩＣ等の電子部品を製造する際の製造工程、あるいは実装工程では、厚膜導体に半田付けが行なわれる。この半田付けの際に、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄまたはＰｔが、半田中に溶け出し、導体部分が消失し、断線してしまうことがある。この現象を、半田食われと呼んでいる。半田食われは、チップ抵抗器、抵抗ネットワークまたはハイブリッドＩＣ等の電子部品の歩留まりを低下させたり、これらの電子部品の信頼性を低下させる原因になるという問題がある。
【０００６】
さらに、前述のように環境汚染を防止するため、半田も、６３Ｓｎ／３７Ｐｂの共晶半田から、鉛を含有しないＳｎ含有量の高い組成の半田に変わりつつあり、Ｓｎ系半田の融点が高いことから、半田付け温度も高くなる傾向がある。このような半田組成の変更や、半田付け温度の上昇に伴い、半田食われが今まで以上に発生しやすくなったという問題もある。
【０００７】
半田食われを防ぐ方法の一つとして、厚膜導体形成用組成物中のガラス粉末の量を増やし、得られる厚膜導体の表面にガラス成分を浮かせる方法がある。しかしながら、この方法では、厚膜導体と電子部品の接触が不完全となったり、電子部品の特性値を測定するためのプローブと、厚膜導体との接触が不完全となる問題がある。
【０００８】
また、特開平６−２２３６１６号公報には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末と、ＳｉＯ2粉末と、導電粉末とを、有機ビヒクルに分散させて、ペースト焼成時に、アノーサイト（ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8）と呼ばれる針状の結晶相を厚膜導体の内部に析出させることにより、半田食われを防ぐ方法が記載されている。しかしながら、特開平６−２２３６１６号公報に記載の導電ペースト用組成物は、鉛を含有しているガラス粉末を用いており、環境汚染の観点から好ましくない。また、特開平６−２２３６１６号公報には、ガラス粉末中のＰｂＯが１５質量％未満では、アノーサイトが十分に析出しないと記載されているように、鉛を含有しない導電ペーストでは、半田食われを防ぐことが困難であった。
【０００９】
一方、特開平７−９７２６９号公報および特開平２００１−１１４５５６号公報には、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末との混合物を加熱することによって、アノーサイトを析出させている。しかしながら、これらの場合には、十分な大きさのアノーサイトを析出させるためには、その結晶化温度が高い（ガラスの軟化温度が高い）ことから、９００℃以上の高温が必要である。９００℃以上の温度で電極ペーストを焼成すると,電極膜が過焼結となったり、融点が低いＡｇを主成分とする電極ペーストでは電極膜が島状になってしまい,均質な電極膜が形成できなくなるという問題がある。
【００１０】
【特許文献１】特開平６−２２３６１６号公報
【００１１】
【特許文献２】特開平７−９７２６９号公報
【００１２】
【特許文献３】特開２００１−１１４５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前述の事情に鑑み、半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の厚膜導体形成用組成物は、導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、前記酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含む。ここで、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末には、これらの組成からなるもののほか、これらの成分以外に、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｂｉ2Ｏ3等の他の成分を含有するガラス粉末も含まれる。また、酸化物粉末として、該ガラス粉末、Ａｌ2Ｏ3粉末のほか、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ2等を添加することは妨げられない。
【００１５】
前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比が、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であることが好ましい。特に、前記ガラス粉末におけるＬｉ2Ｏの組成比が、０．５〜６重量％の範囲にある場合には、厚膜導体形成用組成物に含まれるガラス粉末の含有量が少ない場合でも、得られる厚膜導体の耐半田性が損なわれることなく、その接着強度を向上させることができる。
【００１６】
なお、前記導電粉末は、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの少なくとも１種類であることが好ましい。
【００１７】
また、前記導電粉末１００質量部に対し、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部であり、前記Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の厚膜導体形成用組成物により、従来の技術では困難であったが、鉛を含有せず、半田食われの少ない導体膜を形成することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の厚膜導体形成用組成物は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含有することを特徴とし、導電ペースト焼成時に前記ガラス粉末とＡｌ2Ｏ3粉末とを反応させることにより、アノーサイトが厚膜導体内部に均一に析出している厚膜導体を得ることができる。かかる厚膜導体を用いると、僅かな量の厚膜導体中の貴金属が、半田に溶け出すことにより、アノーサイトが厚膜導体の表面に棘状に露出する。アノーサイトは針状の結晶であり、これが厚膜導体表面に棘状に露出すると、半田が、表面張力によって貴金属に達しなくなり、半田食われが進行しなくなる。
【００２０】
本発明の厚膜導体形成用組成物において、前記ガラス粉末に、Ａｌ2Ｏ3粉末を混合させない場合、得られた厚膜導体とセラミック基板の界面付近に、アノーサイトが多く析出してしまうため、半田食われを抑制する効果が十分に得られない。すなわち、半田が、表面張力によって貴金属に達しないようにするためには、アノーサイトが厚膜導体内部に均一に析出している必要がある。さらに、半田付けにより露出するアノーサイトの棘の長さが１μｍ以上は必要である。長さが１μｍ未満の微細な結晶相では、該アノーサイト結晶が厚膜導体中から半田中に移動してしまい、半田食われを抑制する効果が十分に得られなくなる。
【００２１】
前述のように、アノーサイトは、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末との混合物を加熱することによっても、析出させることができる。この場合に、十分な大きさのアノーサイトを析出させるには、９００℃以上の高温が必要である。これに対して本発明では、ガラス粉末中にＬi2Ｏが含有されているため、低温でもアノーサイトを析出させることを可能としている。
【００２２】
本発明に用いるＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％であることが好ましい。
【００２３】
ガラス粉末の組成において、ＳｉＯ2が、２０質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、半田食われを防止できなくなるおそれがある。また、厚膜導体中のガラスの耐候性、耐水性および耐酸性が低下する傾向となる。一方、ＳｉＯ2が、６０質量％より多くなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎて、アノーサイトが析出する温度が高くなる傾向となる。
【００２４】
Ｂ2Ｏ3が、２質量％より少なくなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎる傾向となる。また、厚膜導体のガラスが脆くなりやすくなってしまう。一方、Ｂ2Ｏ3が、２５質量％より多くなると、ガラスが分相しやすくなり、厚膜導体中のガラスの耐候性、耐水性および耐酸性も低下するおそれがある。
【００２５】
ガラス粉末の組成において、Ａｌ2Ｏ3が、２質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、また、厚膜導体中のガラスが分相しやすくなる。一方、Ａｌ2Ｏ3が、２５質量％より多くなると、ガラスの軟化温度が高くなりすぎ、アノーサイトが析出する温度が高くなりすぎるおそれがある。
【００２６】
ＣａＯが、２０質量％より少なくなると、アノーサイトが析出しにくい。ＣａＯが、５０質量％より多くなると、ガラス化しにくくなる。
【００２７】
Ｌｉ2Ｏは、ガラスの軟化温度を低下させる働きがあり、Ｌｉ2Ｏの含有量を増やすと、それに応じて、アノーサイトの結晶を大きく成長させることができる。従って、ガラス粉末の組成において、Ｌｉ2Ｏが、０．１質量％よりも少なくなると、アノーサイトが析出しにくくなり、また、析出したアノーサイトの大きさも小さくなりやすい。一方、Ｌｉ2Ｏが、１０質量％より多くなると、ガラスの耐候性、耐水性および耐酸性が低下するおそれがある。なお、Ｌｉ2Ｏが、４〜８質量％の範囲にある場合には、厚膜導体形成用組成物に含まれるガラス粉末の含有量が少ない場合でも、得られる厚膜導体の耐半田性が損なわれることなく、その接着強度を向上させることができる。
【００２８】
本発明のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比では、Ｌｉ2Ｏは、ペースト焼成中に析出したアノーサイトにほとんど取り込まれて、固定化される。従って、形成された電極間に電位差があっても、Ｌｉイオンがマイグレーションしてしまうことはない。
【００２９】
本発明で使用するガラス粉末は、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系であるが、その組成中に他の成分を含むこともでき、軟化点または耐酸性等に応じて、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2またはＢｉ2Ｏ3等の成分を選択し、含有させることができる。
【００３０】
本発明のＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましい。平均粒径が１０μｍ以上では、ガラス粉末の軟化が遅れ、電極膜と基板との接着強度が低下する傾向となり、好ましくない。
【００３１】
本発明においては、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末を０．１〜１５質量部、Ａｌ2Ｏ3粉末を０．１〜８質量部、それぞれ添加している。
【００３２】
ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が、導電粉末の１００質量部に対して０．１質量部より少なくなると、セラミック基板との接着強度が低下してしまう。また、１５質量部より多くなると、厚膜導体の抵抗値が高くなるばかりでなく、厚膜導体の表面にガラスが浮き、メッキ性、半田の濡れ、および特性評価のためのプローブとの接触抵抗が、劣化するおそれがある。
【００３３】
酸化物粉末に使用するＡｌ2Ｏ3粉末の平均粒径は、３μｍ以下が望ましい。Ａｌ2Ｏ3粉末の平均粒径が３μｍを超えると、アノーサイトが厚膜導体中に均一に析出しにくくなるばかりでなく、厚膜導体の表面が粗くなり、電子部品の特性を測定するためのプローブとの接触抵抗が大きくなるおそれがある。
【００３４】
酸化物粉末に使用するＡｌ2Ｏ3粉末が、導電粉末の１００質量部に対して０．１質量部より少なくなると、アノーサイトの析出が少なく、半田食われを起こしやすくなる。一方、８質量部より多くなると、接触抵抗が大きくなるだけでなく、セラミック基板との接着強度が低下してしまう。
【００３５】
本発明に用いる導電粉末は、通常の厚膜導体の形成に用いられるものでよく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔ等の粉末を、１種類のみで、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。導電粉末の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましく、導電粉末の形状は、粒状またはフレーク状等であってもよく、特に限定されない。
【００３６】
また、有機ビヒクルとしては、従来と同様に、エチルセルロースまたはメタクリレート等を、ターピネオールまたはブチルカルビトール等の溶剤に溶解したもので良い。
【００３７】
なお、本発明では、導電粉末、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末、およびＡｌ2Ｏ3粉末以外にも、厚膜導体の接着強度や半田濡れ性等を向上させる目的で、従来から用いられる各種粉末、例えば、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣｕＯ、ＺｎＯまたはＭｎＯ2等の酸化物粉末を添加することは、何ら差し支えない。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
平均粒径１．５μｍの粒状Ａｇ粉末９９．０質量部、および平均粒径０．１μｍの粒状Ｐｄ粉末１．０質量部からなる導電粉末に対して、表１に示した平均粒径３μｍのガラス粉末Ａを５質量部、および平均粒径０．５μｍのＡｌ2Ｏ3粉末を１質量部、それぞれ添加して、さらに、エチルセルロースのターピネオール溶液をビヒクルとして添加し、３本ロールミルで混練することにより、厚膜導体形成用ペーストを作製した。
【００３９】
作製した厚膜導体形成用ペーストを、９６％アルミナ基板上にスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥した。乾燥した基板を、ピーク温度８５０℃で９分間、トータル３０分間のベルト炉で焼成し、所定のパターンの厚膜導体膜を形成した。
【００４０】
得られた厚膜導体の膜厚の評価は、２．０ｍｍ×２．０ｍｍのパッドについて、触針型の膜厚計により測定することにより行った。
【００４１】
面積抵抗値の評価は、幅０．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの導体パターンの抵抗値をデジタルマルチメータにより測定して、得られた値を面積抵抗値に換算することにより行った。
【００４２】
耐半田性の評価は、次のように行った。まず、幅０．５ｍｍ、長さ５０ｍｍの焼成した厚膜導体を用いて、２７０℃に保持した９６．５質量％Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ組成の鉛フリー半田浴中に、１０秒間、浸した後、抵抗値を測定する操作を１回として、この操作を繰り返した。測定された抵抗値が１ｋΩ以上になったことにより、半田食われが起きたことを確認し、半田食われが起きるまでの繰返し回数を、耐半田性の評価とした。
【００４３】
接着強度の評価は、２．０ｍｍ×２．０ｍｍのパターンの厚膜導体上に、直径０．６５ｍｍのＳｎメッキ銅線を、９６．５質量％Ｓｎ−３質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕ組成の鉛フリー半田を用いて半田付けし、垂直方向に引っ張り、剥離させ、剥離時の引っ張り力を測定することにより行った。
【００４４】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、それぞれ表３に示す。
【００４５】
本実施例の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、面積抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無く、耐半田性に優れていた。また、その接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。
【００４６】
（実施例２、３、比較例１、２）
使用量およびガラス粉末の種類を、表１および表２に示したように変更した以外は、実施例１と同様に厚膜導体を得て、実施例１と同様に測定を行った。
【００４７】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、表３に示す。
【００４８】
実施例２の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、面積抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無く、耐半田性に優れていた。また、その接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。
【００４９】
実施例３の厚膜導体は、１２回、半田に浸しても、抵抗値は１０Ω以下で、断線することは無かった。接着強度も、６０Ｎ以上と高かった。ガラス粉末Ｃは、ガラス粉末Ａやガラス粉末Ｂよりも、軟化温度が低く、ガラス粉末が少量でも、ガラス粉末Ｃを用いた実施例３のように、得られる厚膜導体の接着強度が高いことが分かる。
【００５０】
一方、比較例１の厚膜導体は、接着強度が低く、４回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になってしまい、耐半田性に劣っていた。
【００５１】
比較例２の厚膜導体は、４回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になってしまい、耐半田性に劣っていた。
【００５２】
（比較例３）
酸化物粉末に対して、Ａｌ2Ｏ3粉末を加えなかった他は、ガラス粉末の種類（ガラス粉末Ａ）および導電粉末とガラス粉末の割合については、実施例１と同様にして、厚膜導体を得て、実施例１と同様に測定を行った。
【００５３】
測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、耐半田性および接着強度を、表３に示す。
【００５４】
比較例３の厚膜導体は、３回目に面積抵抗値が１ｋΩ以上になり、耐半田性に劣っていた。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【表２】
【００５７】
【表３】
【００５８】
比較例１のように、Ｌｉ2Ｏを含まないガラス粉末Ｄを使用して得た導体ペーストでは、厚膜導体中にアノーサイトが十分に析出および成長しないので、厚膜導体のＡｇまたはＰｄが、完全に半田に食われてしまっている。このことから、Ｌｉ2Ｏがアノーサイトの析出および成長を促進させていることが理解される。
【００５９】
比較例２のように、ＣａＯを含まないガラス粉末Ｅを使用して得た導体ペーストでは、アノーサイトが析出せず、厚膜導体のＡｇまたはＰｄが、完全に半田に食われてしまっている。アノーサイトは、ＳiとＡｌとＣａの複合酸化物であり、Ｃａを含まないガラス組成ではＣａが供給されず、アノーサイトが析出しないためである。
【００６０】
比較例３は、Ａｌ2Ｏ3粉末を含まない比較例である。酸化物粉末として、Ａｌ2Ｏ3粉末を加えない場合では、アノーサイトが厚膜導体中に均一に析出せず、厚膜導体とアルミナ基板の界面部に集中的に析出してしまい、半田から厚膜導体を保護することができないことがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなる厚膜導体形成用組成物であり、前記酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含むことを特徴とする厚膜導体形成用組成物。
【請求項２】
前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比が、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項３】
前記ガラス粉末におけるＬｉ2Ｏの組成比が、０．５〜６質量％である請求項２に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項４】
前記導電粉末１００質量部に対し、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部であり、前記Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項５】
前記導電粉末が、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの少なくとも１種類である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項６】
導電粉末に、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を含む酸化物粉末、および有機ビヒクルを添加して、これらの材料を混練することにより得た導電ペーストを、セラミック基板に塗布した後、５００℃以上、９００℃未満の温度で焼成することを特徴とする厚膜導体の製造方法。
【請求項７】
組成中にＬｉ2Ｏを含む厚膜導体であって、該厚膜導体内部にアノーサイトが均一に析出しており、かつ、前記Ｌｉ2Ｏがアノーサイトに固定化されていることを特徴とする厚膜導体。
【請求項１】
導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなる厚膜導体形成用組成物であり、前記酸化物粉末が、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ2Ｏ3粉末とを含むことを特徴とする厚膜導体形成用組成物。
【請求項２】
前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末の組成比が、ＳｉＯ2：２０〜６０質量％、Ｂ2Ｏ3：２〜２５質量％、Ａｌ2Ｏ3：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ2Ｏ：０．１〜１０質量％である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項３】
前記ガラス粉末におけるＬｉ2Ｏの組成比が、０．５〜６質量％である請求項２に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項４】
前記導電粉末１００質量部に対し、前記ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部であり、前記Ａｌ2Ｏ3粉末が０．１〜８質量部である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項５】
前記導電粉末が、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの少なくとも１種類である請求項１に記載の厚膜導体形成用組成物。
【請求項６】
導電粉末に、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｌｉ2Ｏ系ガラス粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を含む酸化物粉末、および有機ビヒクルを添加して、これらの材料を混練することにより得た導電ペーストを、セラミック基板に塗布した後、５００℃以上、９００℃未満の温度で焼成することを特徴とする厚膜導体の製造方法。
【請求項７】
組成中にＬｉ2Ｏを含む厚膜導体であって、該厚膜導体内部にアノーサイトが均一に析出しており、かつ、前記Ｌｉ2Ｏがアノーサイトに固定化されていることを特徴とする厚膜導体。
【公開番号】特開２００６−２２８５７２（Ｐ２００６−２２８５７２Ａ）
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−４１０４８（Ｐ２００５−４１０４８）
【出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（０００１８３３０３）住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Ｆターム（参考）】
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