【課題】基材との密着性が高く、かつ10^-6Ωcmオーダーの低い電気抵抗率を有する電極/配線を300℃以下の低温焼成で形成することができる導電性ガラスペーストを提供する。また、該導電性ガラスペーストを用いて電極/配線が形成された電気電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性ガラスペーストは、無鉛ガラス粒子とAg粒子と有機溶剤とを含有する導電性ガラスペーストであって、前記導電性ガラスペーストは、更にAg₂O粒子を含有し、前記無鉛ガラス粒子は、成分を酸化物で表したときに、V₂O₅とAg₂OとTeO₂とを少なくとも含有し、軟化点が300℃以下であることを特徴とする。前記導電性ガラスペーストにおける配合割合は、Ag粒子100質量部に対して、Ag₂O粒子を10〜70質量部とし、無鉛ガラス粒子を10〜50質量部とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子部品において、製造歩留まり、性能及び信頼性が、実用上使用できる水準を満たす電子部品を提供することである。
【解決手段】電子部品電極用ガラス組成物は、金属粒子と、ガラス相とを有する電極がシリコン基板に形成された電子部品であって、該電極中の該ガラス相が少なくともバナジウム、アンチモン、及びホウ素の酸化物を含み、さらにリン、テルル、バリウム及びタングテンの酸化物のうち１種以上を含み、前記リンの含有量が、酸化物換算で１０質量％未満であり、該ガラス中の鉛含有量が１０００ｐｐｍ以下である酸化物ガラスであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、鉛、アンチモン、テルル、ビスマスの酸化物を含有しないガラス粉末であり、軟化点が５００℃以下で、熱的に安定で、かつ耐水性に優れた低軟化点ガラス粉末を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガラス粉末は、実質的に鉛、アンチモン、テルル、ビスマスの酸化物を含有しないガラス粉末において、重量％でV₂O₅を25〜55%、BaOを30〜35%、SrOを6〜8%、MgOを0〜1%、ZnOを4.5〜5.5%含有し、更にB₂O₃の2〜8%もしくはP₂O₅の10〜25%のどちらか一方を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する凹凸ガラス板を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラスペースト層３を形成する工程と、ガラス層を形成する工程と、凹凸を形成する工程とを備える。ガラスペースト層３を形成する工程では、平坦な表面２ａを有するガラス板２の該表面２ａの一部の上に、ガラス板２よりも軟化点が低いガラス粉末を含むペーストを塗布し、ガラスペースト層３を形成する。ガラス層を形成する工程では、ガラスペースト層３を焼成する。凹凸を形成する工程では、ガラス板２に対するエッチング速度よりもガラス層に対するエッチング速度の方が大きいエッチング液を用いてガラス層をエッチングにより除去すると共に、凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、鉛を含まず、低いガラス転移点（Ｔｇ）で、ガラスを粉体状態又はペーストとして扱っても被覆作業後に結晶化しにくいテルライト系ガラス組成物を提供する。
【解決手段】
Ｂ_２Ｏ_３、ＴｅＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、アルカリ金属成分の含有量を適宜調整することにより、低いガラス転移点（Ｔｇ）で、ガラスを粉体状態又はペーストとして扱っても被覆作業後に結晶化しにくい特性を兼ね備えたガラス組成物を得られることを見出し、本発明を完成するに至った。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性に優れた絶縁ペーストを提供する。
【解決手段】ガラス粉末を５０〜９０質量％、有機成分を１０〜５０質量％含む絶縁ペーストであって、該ガラス粉末が酸化ビスマス、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムを含有し、該ガラス粉末中の酸化ビスマス、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムの含有率の合計が５５〜８０質量％の範囲内であることを特徴とする絶縁ペースト。 （もっと読む）

【課題】感光性ガラスペーストパターンの蛇行や剥れが発生させることなく、細幅の隔壁を形成するできる誘電体ペーストを提供する。
【解決手段】ガラス粉末、エチレン性不飽和基を有する化合物、熱重合開始剤および光重合開始剤を含有することを特徴とする誘電体ペースト。 （もっと読む）

【課題】光反射率が高くかつ腐食による反射率の低下の少ない光反射層を備え、光の取出し効率が向上された発光素子搭載基板を提供する。
【解決手段】表面に反射層としての銀導体層２が形成された無機材料基板１からなり、この銀導体層２の上に発光素子６が搭載される発光素子搭載基板であって、銀導体層２が、ペースト体の焼成により形成されており、銀導体層２を覆うように無機材料基板２に焼き付けて形成した厚み５〜２０μｍのオーバーコート層３を有しており、このオーバーコート層３が酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ_２を６２〜８４％、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏのいずれか１以上を合計で０〜５％、含有し、ＳｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の含有量の合計が６２〜８４％、ＭｇＯを０〜１０％、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのいずれか１以上を含有する場合にその含有量の合計が５％以下のホウケイ酸ガラスである。 （もっと読む）

【課題】
半導体シリコン太陽電池に形成される電極として使用可能な鉛を含まない導電性ペーストを得ることを目的とした。
【解決手段】
半導体シリコン基板を用いる太陽電池用の導電性ペーストであって、該導電性ペーストに含まれるガラスフリットの組成は、実質的に鉛成分を含まず、質量％で
ＳｉＯ_２を１〜２０、Ｂ_２Ｏ_３を５〜３０、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜１０、ＺｎＯを５〜３５、ＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯからなる群から選ばれる少なくとも１種の合計）を５〜３０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、及びＫ_２Ｏからなる群から選ばれる少なくとも１種の合計）を０．１〜６、Ｂｉ_２Ｏ_３を１０〜６０、を含むことを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】隔壁前駆体と同時焼成に際し、昇温速度を大きくした場合であっても誘電体層の剥離や隔壁の断線を生じない誘電体ペースト、および生産性が高く、高品位なプラズマディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 軟加点ガラス（Ａ）、熱重合開始剤（Ｂ）、下記一般式（１）で表される化合物（Ｃ）を含むことを特徴とするガラスペーストであること、である。
【化１】


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_６のうち１〜３個がアルキロイル基であり、残りの５〜３個がアクリル基またはメタクリル基である。）とする。 （もっと読む）

【課題】省電力のプラズマディスプレイパネルおよびそれを製造するためのガラスペーストを提供する。
【解決手段】 低軟化点ガラス粉末および有機成分を含むガラスペーストであって、前記低軟化点ガラスは、ＦｅＯとＦｅ_２Ｏ_３を重量基準で合計１〜１０００ｐｐｍの範囲内含み、ＦｅＯとＦｅ_２Ｏ_３の含有量の合計に対するＦｅＯの含有量の比が重量基準で０．４０〜０．９５の範囲内であることを特徴とするガラスペーストとする。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、低いガラス転移点（Ｔｇ）並びに高屈折率で、被覆作業後もガラスと蛍光体が反応せず高い蛍光特性と信頼性を有するビスマス系ガラス組成物を提供する。
【解決手段】Ｂｉ_２Ｏ_３を含有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下であるガラス組成物。Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系ガラスである前記ガラス組成物。酸化物基準のモル％表示で、５〜５０％のＢ_２Ｏ_３、５〜９０％のＢｉ_２Ｏ_３、５〜７０％のＺｎＯの各成分を含有する前記ガラス組成物。酸化物基準のモル％表示でＺｎＯ／Ｂ_２Ｏ_３の比の値が０．２以上かつＺｎＯ／Ｂｉ_２Ｏ_３の比の値が０．２以上であることを特徴とする前記ガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】発光素子用基板におけるガラスセラミックスの変色を抑制できるアルミナフィラーを提供すること。
【解決手段】発光素子を搭載する発光素子用基板の製造に用いられるアルミナフィラーであって、アルミナフィラーと、前記アルミナフィラーの表面を被覆し、アルミニウム以外の金属の酸化物からなる被覆層とを有することを特徴とする被覆アルミナフィラー。 （もっと読む）

【課題】
色素増感太陽電池等に代表される電子材料基板用の絶縁性被膜材料及び封着材料として用いられる無鉛低融点ガラス組成物に於いて、耐腐食性を有するもの望まれている。
【解決手段】質量％で、ＳｉＯ_２を１０〜３５、Ｂ_２Ｏ_３を１〜２０、ＺｎＯを０〜２０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏから選ばれる一種以上の合計）を２〜２０、Ｂi_２Ｏ_３を４０〜８０含み、実質的に鉛成分を含まないことを特徴とする耐腐食性を有する無鉛低融点ガラス。 （もっと読む）

【課題】
電子材料基板を封着するための低融点ガラスであって、実質的にＰｂＯを含まない無鉛低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】質量％でＳｉＯ_２を１〜６、Ｂ_２Ｏ_３を５〜１２、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜５、ＺｎＯを５〜２０、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）を０．１〜３、ＣｕＯを０．１〜７、Ｂｉ_２Ｏ_３を６０〜７５含むことを特徴とする無鉛低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料である。該無鉛低融点ガラス組成物は３０〜３００℃における熱膨張係数が（７０〜１００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上５００℃以下である特徴も持つ。 （もっと読む）

【課題】グラスライニングにも適用が可能な熱伝導性ガラスであって、熱伝導性に優れ、かつ、ガラスの発泡による膨張が少ない熱伝導性ガラス、及びそのような熱伝導性ガラスの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性フィラーとしてＳｉＣをガラスフリットに添加する場合に、６００℃以上７２０℃未満の温度範囲で焼成する。ＳｉＣの表面を酸化処理し、ＳｉＯ_２被膜を形成させてもよい。また、熱伝導性フィラーを混合したガラスフリットを、不活性ガス雰囲気下で焼成してもよく、減圧下又は加圧下で焼成してもよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁反射層を形成するための絶縁白色ガラスペーストを提供する。
【解決手段】有機媒質と、光反射充填剤としてのジルコニア粉末およびガラスフリットを含む無機構成成分と、を含む照明装置基板上に具備すべき絶縁反射層を形成するのに適した絶縁白色ガラスペースト。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準のモル％表示で、３％〜７０％のＢ_２Ｏ_３、４％〜４５％のＺｎＯ、０％〜３０％のＲ_２Ｏ（但し、ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓから選ばれる一種以上）の各成分を含有し、酸化物基準のモル％で表されたＲ_２Ｏ／Ｂ_２Ｏ_３の比の値が０．０１以上１以下であり、ＺｎＯとＲ_２Ｏ成分の合計量が１０％以上７０％以下であることを特徴とするガラス。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックパッケージに適合する熱膨張係数を有し、また画像検査で異物や塵等の有無を正確に検知することができ、またα線放出量が常に少ない半導体パッケージ用カバーガラスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 質量％で、ＳｉＯ_２ 〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １．１〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０％、Ｎａ_２Ｏ ０．１〜２０％、Ｋ_２Ｏ ０〜１１％、アルカリ土類金属酸化物 ０〜２０％含有し、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が９０〜１８０×１０^−７／℃、ヤング率が６８ＧＰa以上、ガラスからのα線放出量が、０．０５ｃ／ｃｍ^２・ｈｒ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。
【解決手段】 酸化物基準のモル％表示で、３０％〜５５％のＰ_２Ｏ_５、１０％〜４０％のＺｎＯ、０．０１％〜３０％のＡｌ_２Ｏ_３、０％〜３０％のＲ_２Ｏ（但し、ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓから選ばれる一種以上）の各成分を含有し、酸化物基準のモル％で表されたＡｌ_２Ｏ_３／ Ｐ_２Ｏ_５の比の値が０．０１以上１以下であることを特徴とするガラス。 （もっと読む）