【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 ＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格で規定するＢ特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をｒとし、前記被覆層の平均厚みを△ｒとしたときに、前記△ｒを、０．０１５ｒ以上０．０５５ｒ以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】 １０００℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０≦ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分とガラス成分とを含む混合物を焼成することにより得られ、誘電体成分は原料を仮焼成することにより調製され、ガラス成分として少なくともビスマス系ガラスが含まれており、焼成後のＸ線回折チャートにおいて、ペロブスカイト構造を有する主相である第１の相のピーク強度に対する、希土類元素を含む第２の相のピーク強度の比（第２の相／第１の相）が２０％以下であること特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、およびＳｒのグループから選択される少なくとも１種からなる第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃およびＷＯ₃のグループから選択される少なくとも１種からなる第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕのグループから選択される少なくとも１種の第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第４副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体（ＣａＯ＋ＺｒＯ₂）からなる第５副成分とを有し、誘電体層を構成する結晶粒子にＺｒが拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、Ｚｒの拡散層深さが結晶粒子の径に対して１０〜３５％までの深さとなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】 低温焼結性セラミック材料と同時焼成でき、かつ機械的強度に優れた、さらに高温・高湿度下に長時間配置された場合における絶縁抵抗の低下が生じ難いセラミック焼結体やセラミック層を得ることを可能とする誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】 ｘＢａＯ−ｙ（Ｎｄ_1-mＭｅ_m）₂Ｏ₃−ｚＴｉＯ₂（但し、Ｍｅはランタノイド元素であり、０．１０≦ｘ≦０．２５、０．０５≦ｙ≦０．２５、０．６０≦ｚ≦０．７５、０≦ｍ≦１）で表される誘電体セラミックス１００重量部に対して、酸化ケイ素を３０〜６０モル％、酸化ホウ素を５〜３０モル％、酸化バリウムを１５〜５０モル％、酸化ストロンチウムを１〜１５モル％、及び酸化カルシウムを１〜１０モル％含有するガラスを５重量部以上、４５重量部以下の割合で含有し、さらに、酸化マンガンを１．５重量部超、３．０重量部以下の割合で含有する誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】任意の場所に任意の形状で、誘電体組成物を形成すること。
【解決手段】現像液に少なくとも一部が溶解する無機フィラーと、樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの量が、誘電体組成物中に含まれる固形分全量の６０体積％以上であり、膜状の該誘電体組成物を現像し、パターン化したときの膜断面のテーパーの角度が７０°以上１１０°以下であることを特徴とするパターン化された誘電体組成物および該誘電体組成物上にマスクパターンを形成し、酸と過酸化水素を含む混合溶液を用いて誘電体組成物中のフィラー成分を溶解してパターン化することを特徴とするパターン化された誘電体組成物の製造方法。 （もっと読む）

Ｔｉを含有する誘電体からなり表層部にＴｉとＺｎとを含む酸化物を含有してなる誘電体粒子の集合体１００重量部に対してガラス成分を２．５〜２０重量部配合することで低温焼結誘電体磁器組成物が提供される。この低温焼結誘電体磁器組成物を８８０〜１０００℃で焼成することで低温焼結誘電体磁器を製造する。これにより、Ａｇ及びＣｕまたはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる内部導体を有する積層構造電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

今後、更に小型大容量化が進行しても高電圧直流下あるいは高周波／高電圧交流下でも高い信頼性を有する誘電体セラミック組成物を提供する。
本発明の誘電体セラミック組成物は、組成式が１００Ｂａ_ｍＴｉＯ_３＋ｘＣｕＯ＋ａＲＯ_ｎ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯ（但し、係数１００、ｘ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれモル比を表し、ｍはＢａとＴｉとの比（Ｂａ／Ｔｉ）を表し、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも一種類の金属元素を表し、ｎはＲの価数で決まる電気的中性を保つために必要な正の数を表す。）で表される主成分を含有し、ｍ、ｘ、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０．９９０≦ｍ≦１．０５０、０．１≦ｘ≦５．０、９．０≦ａ≦２０．０、０．５≦ｂ≦３．５及び０＜ｃ≦４．０を満足し、且つ、主成分１００重量部に対して０．８〜５．０重量部の焼結助剤を含有する。 （もっと読む）

無機粒子などの付加的な任意選択の成分と共に、比較的高い誘電率ｋを有するスチレン系ポリマー、典型的にシアノ官能性スチレン系ポリマーを含有するインクジェット印刷可能な組成物が開示される。前記組成物は典型的に、インクジェットプリンタを用いて印刷されうる。 （もっと読む）

【課題】特許文献１の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が１３５０〜１４００℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献２の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がＭｇ_ｘＳｉＯ_２＋ｘ＋ａＳｒ_ｙＴｉＯ_２＋ｙで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるｘ、ｙ及びａは、それぞれ１．７０≦ｘ≦１．９９、０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．９８≦ｙ≦１．０２及び０．０５≦ａ≦０．４０の関係を満足するものである。 （もっと読む）

１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ_３を１００モル部、ＭｎＯをｘ_１モル部、Ｃｒ_２Ｏ_３をｘ_２モル部、Ｙ_２Ｏ_３および／またはＨｏ_２Ｏ_３をｘ_３モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ_４モル部、ＳｉＯ_２および／またはＧｅＯ_２をｘ_５モル部含み、０．５≦ｘ_１≦４．５、０．０５≦ｘ_２≦１．０、ｘ_１＋ｘ_２≦４．５５、０．２５≦ｘ_３≦１．５、０．５≦ｘ_４≦６、および０．５≦ｘ_５≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）