【課題】低温で焼成しても特性を損なうことなく緻密化した焼結体を得ることができる焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ化合物からなる第１成分、Ｂ化合物及びＡｌ化合物の少なくともいずれかを含む第２成分、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物及びカルシウムＣａ化合物のうち少なくとも１つを含む第３成分のモル比による組成比は、図１に表される三角図における、点Ａ（０．２１、０．３７、０．４２）、点Ｅ（０．６３、０．０９５、０．２７５）、点Ｆ（０．４１６、０．１０２、０．４８２）、点Ｈ（０．２６１、０．３７５、０．３６４）および点Ｍ（０．６１８、０．２６８、０．１１４）で囲まれる範囲内を満たす。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成化が可能であり、比誘電率εｒやＱ×ｆ値等の誘電特性に優れ、しかも誘電率の温度安定性に優れた誘電体磁器組成物の製造を可能とする。
【解決手段】 一般式ＣａＯ−Ｍ^ＩＯ_１／２−Ｍ^IIIＯ_３／２−ＴｉＯ_２［ただし、Ｍ^Ｉは酸化数（原子価）が＋１となる元素を表し、Ｍ^IIIは酸化数（原子価）が＋３となる元素を表す。］で表される組成物を８５０℃以上の温度で仮焼した後、副成分を混合し、前記仮焼の温度よりも低い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】焼成時の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量温度特性を有するとともに、絶縁抵抗の加速寿命が高められた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１は、９配位時の有効イオン半径が１０８ｐｍ未満の希土類元素で構成される第１元素群から選ばれる少なくとも１種）を含む第４副成分と、Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２は、９配位時の有効イオン半径が１０８ｐｍ〜１１３ｐｍの希土類元素で構成される第２元素群から選ばれる少なくとも１種）を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物。
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ホスト樹脂マトリクス（４２）とホスト樹脂中に混合されて樹脂混合物を形成している高熱伝導性フィラー（３０）とから成る高熱伝導性樹脂。フィラーは、少なくとも樹脂混合物の３〜５重量％を構成し、フィラーは、少なくとも１つの寸法において平均１〜１００ｎｍであり、粒子は、粒子の最も長い寸法において平均１，０００ｎｍよりも小さい。ホスト樹脂マトリクスは、高熱伝導性フィラー（３０）の周囲に秩序化樹脂シェル（４０）を形成して、それにより、樹脂分子は、高熱伝導性フィラーの表面に対して垂直に整列される。秩序化樹脂シェルの連続経路が樹脂混合物中に創生されるように、高熱伝導性フィラー間に秩序化樹脂シェル（４４）の重複が形成される。 （もっと読む）

【課題】微粒化したコアシェル構造粒子においてシェルの体積分率を小さくすることで誘電率と温度特性の変化率を向上させた電体磁器およびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分とし、マグネシウム、希土類元素およびマンガンを含む結晶粒子１により構成され、前記結晶粒子１の中央に位置するコア部１ａが正方晶であり、また、コア部１ａの周囲に位置するシェル部１ｂが立方晶である構造のコアシェル構造を有する誘電体磁器であって、前記結晶粒子１の平均粒径が６０〜１８０ｎｍであり、かつ前記シェル部１ｂの体積をＶｓ、前記コア部の体積をＶｃとしたときに、結晶粒子全体の体積Ｖｓ＋Ｖｃに対するシェル部の体積分率Ｖｓ／（Ｖｓ＋Ｖｃ）が０．２２７〜０．５８である。 （もっと読む）

ホスト樹脂マトリクスと高熱伝導性フィラーとを有する高熱伝導性樹脂。高熱伝導性フィラー（３０）は、ホスト樹脂マトリクスと連続的有機−無機複合体を形成する。フィラーは、長さが１〜１，０００ｎｍであり、３〜１００の平均アスペクト比を有する。高熱伝導性フィラーの少なくとも一部は、六方晶、立方晶、斜方晶、菱面体晶、正方晶、ウィスカー及びチューブのうちの１つ以上より選択される形態（３１）を含んでなる。特に、フィラーの一部は凝集して２次構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Ｑ値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスが２５重量部〜３５重量部添加される。
【効果】 ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスを２５重量部〜３５重量部添加するので、誘電率とＱ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 （もっと読む）

電圧切り換え可能な誘電材料の組成は、誘電母体材料内に均一に分散する2種類以上の異なる半導体材料を有する。前記半導体材料は、生成された電圧切り換え可能な誘電材料に様々な過電圧のレベルに対するステップ応答を供するため、それぞれ異なるバンドギャップエネルギーを有するように選ばれる。前記半導体材料は、無機の粒子、有機の粒子、又は前記誘電母体材料内で可溶であるか、又は該誘電母体材料と混和可能な有機材料を有して良い。組成はまた任意で電気伝導性材料をも有して良い。組成中での前記伝導性材料又は前記半導体材料のうちの少なくとも1つはアスペクト比が少なくとも3以上であることを特徴とする粒子を有して良い。
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【課題】９００℃以下で焼成可能であり、１６ＧＨｚ以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の含有比が（２−ｘ）：ｘ：ｙで表され、ｘは0.03〜1.0、ｙは1.2〜１０であるＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の混合物及び／または複合酸化物６３〜98.7質量％と、Ｂi₂Ｏ₃1.0〜３５質量％及びＬｉ₂Ｏ0.3〜2.0質量％とを含む原料粉を仮焼(７５０℃〜８５０℃)後粉砕して粉末とし、これにバインダー等を加え所定形状に成形後、８５０℃〜９００℃で焼成し、ＭｇとＭｎとＳｉを含む結晶相、Ｂｉ₂Ｏ_3-ＳｉＯ₂系結晶相及びＬｉ₂Ｏ-ＳｉＯ₂系結晶相とを含むミリ波領域（１６ＧＨｚ）での誘電率（εｒ）が９以下、Ｑｆ値が10,000以上の誘電体磁器を得る。 （もっと読む）

【課題】燃焼時の有害ガスの発生がなく、耐低温衝撃性及び高度な難燃性に優れた安価な難燃性樹脂組成物、それが含まれた電線被膜材及びそれによって被覆された電線を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリオレフィン系樹脂と、官能基含有化合物変性エチレン系樹脂と、炭酸カルシウムと、水和金属酸化物と、赤リンと、を含む難燃性樹脂組成物において、前記水和金属酸化物の含有量は、０．５〜６ｗｔ％であることを特徴とする難燃性樹脂組成物、それが含まれた電線被膜材及びそれによって被覆された電線である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εｒ等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物である。
ａＣａＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２・・・（１）
ただし、式中、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙ，Ｙから選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、
１０≦ａ≦２５
１０≦ｂ≦２０
８≦ｃ≦１５
２≦ｄ≦１０
５０≦ｅ≦６０
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
なる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】燃焼時の有害ガスの発生がなく、耐低温衝撃性及び難燃性に優れた安価な難燃性樹脂組成物、それが含まれた電線被膜材及びそれによって被覆された電線を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリオレフィン系樹脂と、官能基含有化合物変性エチレン系樹脂と、無機塩（但し、水和金属酸化物を除く）と、赤リンと、を含み、前記無機塩には、少なくとも炭酸カルシウムが含まれていることを特徴とする難燃性樹脂組成物、それが含まれた電線被膜材及びそれによって被覆された電線である。 （もっと読む）

【課題】焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、かつマイクロ波帯でのＱ値が高い、誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】たとえば、多層セラミック基板１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミック組成物であって、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して２５〜５５重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ_３に換算して２０〜５０重量％、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して１１〜２５重量％、Ｃａ成分および／またはＺｒ成分を、Ｃａ成分についてはＣａＣＯ_３に換算して、およびＺｒ成分についてはＺｒＯ_２に換算して、０．３〜３重量％、ならびに、Ｍｎ成分をＭｎＣＯ_３に換算して５〜２０重量％含み、かつＣｒを実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２において積層されるガラスセラミック層３のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＴｉＯ₂ より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、Ｌｉ₂ Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、３重量％以上を占めており、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加成分をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低い樹脂材料を用い、十分な難燃性と適度な導体密着力が得られ、且つ架橋後に高い引張破断強度を達成できる難燃性樹脂組成物の提供。
【解決手段】メルトマスフローレイト１．０ｇ／１０ｍｉｎ以上、引張強度３０ＭＰａ以上のαオレフィン共重合体５０〜７０質量部と、酢酸含有量が３０質量％以上であるエチレン・酢酸ビニル共重合体および／またはメチルアクリレート含有量が３０質量％以上であるエチレン・アクリルゴム３０〜５０質量部とからなるベース樹脂１００質量部に、ビニルシランカップリング剤で表面処理した水酸化マグネシウム２４０〜３００質量部を配合してなることを特徴とする難燃性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結させることが可能であるとともに、収縮抑制工法により、平面方向の収縮を抑制しつつ焼成する工程を経て製造されるセラミック基板などの電子部品の原料として用いるのに適した低温焼結セラミック組成物を提供する。
【解決手段】(ａ)含有率が、７５重量％を超え、９５重量％以下である、１０００℃以下で焼結する、ガラスを含まないセラミック材料と、(ｂ)含有率が５重量％以上で、２５重量％未満のホウケイ酸ガラスとを含有し、１０００℃以下の焼成温度で焼成される低温焼結セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラスとして、焼成温度より５０〜１５０℃低い軟化点を有するものを用いる。
本願発明の低温焼結セラミック組成物を主成分とする基板用グリーン層１ａと、収縮抑制層３１とを備えるグリーン積層体３２を形成し、低温焼結セラミック組成物は焼結するが、収縮抑制層３１は実質的に焼成しない焼成温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電性でかつ低誘電損失で、薄膜化が可能であり、しかも巻付き性（可撓性）にも優れたフィルムコンデンサの高誘電性フィルムとして好適なフィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性の非フッ素系ポリマー、（Ｂ）無機強誘電体粒子、（Ｃ）カップリング剤、界面活性剤またはエポキシ基含有化合物の少なくとも１種からなる親和性向上剤、ならびに（Ｄ）溶剤を含むコーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物の製造工程において、原料中に不純物元素を含有している場合であっても、比誘電率の最大値、ＩＲ、ＩＲ寿命、破壊電圧等の特性を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が組成式｛Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｃａ_ｘ｝_Ａ｛Ｔｉ_{（１−ｙ）}Ｚｒ_ｙ｝_ＢＯ_３（ただし、Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９９５≦Ａ／Ｂ≦１．０２０、０≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．３）で表され、副成分として、ＮａおよびＨｆを含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物中に含まれるＮａおよびＨｆの比率が、モル比で、０．６＜Ｎａ／Ｈｆ＜３．３であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 さらなる機械的強度の向上および各種外観不良の防止を実現する低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器を提供する。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、ＳｉＯ_２を３０〜４０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜２ｍｏｌ％、ＭｇＯを２８〜３５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を１２〜２０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜１５ｍｏｌ％、ＣａＯを２〜６ｍｏｌ％含むガラス成分と、表面にＡｌ_２Ｏ_３粒子が被着しているＳｉＯ_２粉末からなるフィラー成分とで構成される。この低温焼成磁器組成物を８５０℃〜１０５０℃で焼成して得られる低温焼成磁器は、ＺｎＡｌ_４Ｏ_７の析出を抑え、ガーナイト結晶相およびクォーツ結晶相を主に析出させることができ、機械的強度を向上させることができる。さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、ＣＯおよびＣＯ_２をシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対して、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。前記主成分に対して、Ｎｂ_２Ｏ_５：０．２ｗｔ％以下、Ｋ_２Ｏ：０．０３５ｗｔ％以下含有することができる。 （もっと読む）