本発明は被覆された電線の製造方法に関する。本発明の方法は、被覆するために、ＵＶ硬化性焼き付けエナメルを使用し、前記エナメルは、ａ）１種以上のオキシランベース結合剤、ｂ）１種以上のＵＶ架橋触媒、ｃ）任意の反応性希釈剤、ｄ）連鎖移動剤、およびｅ）他の通常の添加剤を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ポロゲンとして有用な反応性ナノ粒子シクロデキストリン誘導体と、優れた機械的物性と均一に分布されたナノ気孔を含有し、上記反応性シクロデキストリンのゾル−ゲル反応により製造された低誘電体マトリクスとに関する。さらにまた、本発明は、均一に分布されたナノ気孔と、比較的高い５１％の多孔率と、比較的低い１．６の誘電率とを有し、上記反応性シクロデキストリンをポロゲンとして使用して、従来の有機あるいは無機ケイ酸塩前駆体の薄膜化により製造された超低誘電体膜に関する。
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（１）少なくともフェニルへプタメチルシクロテトラシロキサン及び／又は２，６−シス−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサンを含むシリコンレジンから成ることを特徴とする絶縁膜。
（２）２３０℃以下の温度で任意の粘度に調整したペースト状の前駆体の後、２００℃〜５００℃の温度で熱硬化することを特徴とする（１）記載の絶縁膜。
（３）前記前駆体と前記絶縁膜は、少なくとも一回、前記絶縁膜が硬化する温度以下で真空加熱処理を行うことを特徴とする（１）記載の絶縁膜。
（４）少なくともフェニルへプタメチルシクロテトラシロキサン及び／又は２，６−シス−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサンを含むシリコンレジンを２３０℃以下の温度で数ｃｐｓから数万ｃｐｓの間で任意の粘度に調整する工程および２００℃〜５００℃の温度で熱硬化させる工程を実施することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
（５）前記絶縁膜を形成する工程において、少なくとも一回は、前記絶縁膜が硬化する温度以下で真空加熱処理を行うことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
（６）真空加熱処理は、２３０℃以下の温度で行うことを特徴とする（４）又は（５）記載の絶縁膜の形成方法。
以上により、層間割れや,ひび割れ,反り、剥離等が無く、絶縁性が良好で所望の膜厚を有する絶縁膜を提供すると共に基板上に、所望の膜厚を有しかつ、高抵抗で絶縁性良好な絶縁膜および絶縁膜を容易に形成できる。 （もっと読む）

本発明は、新規構造の放射状多分岐高分子に関し、より詳しくは、中心分子に側枝が３箇所以上結合された平均分子量５００〜１００,０００の範囲の多分岐高分子であって、ポリアルキレンオキサイド、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、またはそれらの誘導体を側枝としてもっている放射状多分岐ポロゲンに関し、これを低誘電絶縁膜の製造に適用すれば、微細気孔の調節が容易な低誘電絶縁膜が得られる。
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【課題】優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物、コーティングワニス、絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】主鎖構造内に熱分解性の繰返し単位を有する特定構造のポリアミドを必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。また、前記絶縁膜用樹脂組成物と、該絶縁膜用樹脂組成物を溶解もしくは分散させることが可能な有機溶媒からなるコーティングワニス、及びこれらを用いて、加熱処理して縮合反応及び架橋反応せしめて得られるポリベンゾオキサゾールを主構造とする樹脂の層からなり、且つ、微細孔を有してなる絶縁膜、並びに前記絶縁膜を用いた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 成形時にボイド残りがなく、層間絶縁樹脂厚のバラツキが少なく、ガラスクロスのない絶縁層を有するプリント配線板を提供すること。
【解決手段】 下記の各成分を必須成分として含有する絶縁樹脂組成物を銅箔に塗布してなる絶縁樹脂付き銅箔であって、前記絶縁樹脂の層が２層以上であり、最も銅箔側の樹脂層を実質的にノンフローとし最外層の樹脂層を軟化点６０〜９０℃としたことを特徴とする多層プリント配線板用絶縁樹脂付き銅箔。
（１）重量平均分子量が１０³ 〜１０⁵ のサルフォン基を有する熱可塑性樹脂、（２）ハロゲン化されていないエポキシ当量５００以下の多官能エポキシ樹脂、（３）エポキシ樹脂硬化剤、及び（４）無機充填材。 （もっと読む）