【課題】効率よく基板上に安定して均一に成膜する。
【解決手段】筐体と、成膜材料の溶液と圧縮ガスとを混合して成膜材料を微粒子化したミストを筐体の内部に噴霧する複数のスプレーノズル１２とを備える。また、圧縮ガスを圧力の異なる複数の調圧ガスに調整し、複数のスプレーノズル１２の各々に複数の調圧ガスのいずれかを導入し、かつ、複数の調圧ガスのすべてを複数のスプレーノズル１２に対して導入するガス圧調整機構を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜レートに変動を生じさせることなく、均一性の高い成膜処理を行なう。
【解決手段】成膜装置１００は、被処理基板６０に対向するように配置される二流体スプレーノズル１０と、二流体スプレーノズル１０に原料溶液２４を供給する溶液供給手段２０と、二流体スプレーノズル１０に噴霧エア３４を供給するエア供給手段３０と、エア供給手段３０と二流体スプレーノズル１０との間に配置される噴霧エア流量調整手段４０とを備え、原料溶液２４および噴霧エア３４が二流体スプレーノズル１０の内部で混合された状態で二流体スプレーノズル１０から被処理基板６０に向かって微粒子化されて吹き付けられることにより被処理基板６０に対して成膜処理が行なわれ、エア供給手段３０からの噴霧エア３４は、噴霧エア流量調整手段４０によって所定の流量に調整された状態で二流体スプレーノズル１０に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】成膜材料を微粒子化して噴霧する噴霧口１３１を各々有する複数の噴霧機構と、複数の噴霧機構から噴霧された成膜材料を基板上に分布を補正して到達させるための噴出口１９１を各々有する複数の送風機構とを備える。複数の噴霧機構は、各々の噴霧口１３１が基板と対向し、かつ、平面視において基板の搬送方向と交差する方向に互いに間隔を置くように配置されている。複数の送風機構は、各々の噴出口１３１が複数の噴霧機構のうちの少なくとも１つの噴霧機構の噴霧口１３１の周囲に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に対して高品位に成膜を行なうことができる噴霧法を利用した連続式の成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜が行なわれる成膜室１０と、成膜材料２００を霧化させるスプレーノズル２５と、成膜室１０を横断するように設けられた搬送経路と、搬送経路上において基板１００を移動させる搬送機構とを備える。成膜室１０を規定する壁部には、スプレーノズル２５にて霧化された成膜材料２００を成膜室１０に導入するとともに、導入した成膜材料２００を成膜室１０において搬送経路側に向けて噴霧するための噴霧口２３ａが設けられる。成膜室１０を規定する壁部のうちの、搬送経路から見て噴霧口２３ａ側に位置する部分には、第１排気口２４ａが設けられる。成膜室１０を規定する壁部のうちの、搬送経路から見て噴霧口２３ａ側とは反対側に位置する部分には、第２排気口８ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の厚さの均一性を向上する。
【解決手段】筐体１５０と、筐体１５０の内部に成膜材料１６０を微粒子化したミストを噴霧する複数の噴霧機構と、複数の噴霧機構の基板２００上への成膜量を所定の範囲に収めるように調節する調節手段とを備える。調節手段は、複数の噴霧機構の各々の基板２００上への成膜量を調節する、または、基板２００上への成膜量に関して複数の群に分けられた複数の噴霧機構においてこの複数の群の各々に含まれる噴霧機構毎に基板２００上への成膜量を調節する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の膜を連続して高品質に成膜できる。
【解決手段】複数の成膜室１００の各々は、筐体１５０と、この筐体１５０内に成膜材料１６０を微粒子化したミストを噴霧するスプレーノズル１３０とを有する。筐体１５０は、１つの側壁に位置して排気手段と接続される排気口１５２を有し、かつ、複数の成膜室１００を順次通過する基板２００と対向する開放部を加熱炉１２０内に有する。上記ミストは、複数の成膜室１００の各々において、スプレーノズル１３０から開放部を通過して排気口１５２に向けて流動する。排気手段による排気口１５２からの排気流量は、筺体１５０内への流入流量より大きい。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた導電性基材をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】
仮支持体と、該仮支持体に設けられた、金属銀部を含む導電層とを備えた導電性フイルムから、該導電層を基材に転写することを含む導電性基材の製造方法であって、
該金属銀部は、ハロゲン化銀及びバインダーを含有する銀塩含有乳剤層を露光し、現像処理することによって形成されたものであり、
該導電性フイルムと該基材とを、該導電性フイルムの該仮支持体が外側となるように張り合わせる工程、及び
該導電層から該仮支持体を剥離する工程
を含む、製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで透明導電膜を成膜することができ、該透明導電膜は、光透過率およびヘイズ率が高く、かつシート抵抗が低いという優れた性能を示す。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、透明基板７を５１０℃以上に加熱するステップと、該透明基板７に対し、成膜原料溶液１の液滴５を噴霧することにより、透明基板７上に透明導電膜を成膜するステップとを含み、該透明導電膜を成膜するステップは、１２ｎｍ／ｓｅｃ以上の成膜速度で透明導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電パターン間の抵抗のばらつきが小さく、タッチパネル動作の安定性に優れた導電シートを提供する。
【解決手段】基体１４上に金属細線１５による導電パターン２６及び端子配線パターン４２を備え、前記導電パターン２６の線幅が２０μｍ以下である導電シート１０の製造方法であって、前記基体１４上に施された銀塩乳剤層３６を有する感光材料を露光処理する露光工程と、露光後の前記銀塩乳剤層３６を現像処理して、金属細線１５からなる前記導電パターン２６及び前記端子配線パターン４２を一括形成する現像工程と、さらに、前記金属細線１５の一部に抵抗調整の処理を施し、前記導電パターン２６間の抵抗のばらつきを３０％以下にする抵抗調整工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】単純な成膜装置および簡便なプロセスで、低抵抗であって、かつ所定の表面形状を有する透明導電膜を成膜する透明導電膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、成膜材料を含む成膜溶液から液滴を形成するステップと、該液滴を被成膜物に噴き付けることにより、被成膜物の表面温度を第１温度領域から第２温度領域に変化させながら、透明導電膜を成膜するステップとを含み、第１温度領域は、第２温度領域の温度よりも２０℃以上高いことを特徴とする。上記の第１温度領域から第２温度領域への温度変化が連続的であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コスト・低環境負荷で大面積化・量産化を実現することのできる導電性ＺｎＯ膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】クエン酸の存在下、液相析出法によって酸化亜鉛（ＺｎＯ）の結晶を基板上に析出させる。クエン酸がＺｎＯの(0001)面の表面に吸着することによって、析出反応において結晶のc軸方向の異方性成長が抑制され、基板表面に緻密な結晶膜が形成される。その後、形成されたＺｎＯ結晶膜に対して紫外線を照射することによって、膜内に取り込まれた有機酸を光分解する。その結果、有機酸にトラップされていたキャリアが結晶膜内に放出され、ＺｎＯ結晶膜に好適な導電性が付与される。 （もっと読む）

【課題】電極としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いることなく、透明性と導電性とを両立する透明導電フィルム、その製造方法及びそれを用いた有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】支持体１２上に、同一組成の導電メッシュ１４とバスライン１６と、該導電メッシュ１４とバスライン１６とで区画される開口部２２に少なくとも配置される導電性ポリマー層１８を含んで構成される透明導電フィルム１０である。 （もっと読む）

【課題】導電性金属部に含まれるバインダーを効率よく除去することができ、金属配線部自体の導電性、導電性金属部の支持体への密着性等を向上することができる導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に導電性物質とバインダーとを含有する導電性金属部を形成して導電膜前駆体を作製する前駆体作製工程（ステップＳ１）と、導電性金属部に電流を流す通電処理工程（ステップＳ２）と、通電処理後の導電膜前駆体を、バインダー溶解液に浸漬するバインダー溶解工程（ステップＳ３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電性金属部でのイオンマイグレーションの発生を抑制することができると共に、導電性金属部の支持体への密着性、金属配線部の導電性、透過率を向上することができる導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に導電性物質とバインダーとを含有する導電性金属部を形成して導電膜前駆体を作製する前駆体作製工程（ステップＳ１）と、導電膜前駆体における導電性金属部に含まれるバインダーを除去するバインダー除去工程（ステップＳ２）とを有する。バインダー除去工程は、導電性金属部に電流を流す通電処理工程（ステップＳ２ａ１）と、通電処理後の導電膜前駆体を、バインダー溶解液に浸漬するバインダー溶解工程（ステップＳ２ｂ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明支持体の両面に高精細の導電パターンを形成することができると共に、導電パターンの導電性の向上を図ることができ、しかも、タッチパネルに用いた際に、モアレの発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】透明支持体１０２上の両面にそれぞれ、少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を形成し、露光した後、現像処理することにより、透明支持体１０２の一主面に導電性の第１銀画像１０４ａが形成され、透明支持体１０２の他主面に導電性の第２銀画像１０４ｂが形成された透明導電性フイルム１００であって、第１銀画像１０４ａ及び第２銀画像１０４ｂがともに透視を必要とする部分で網目構造をとり、各網目構造の輪郭は線幅１０μｍ以下の金属細線で構成され、網目構造による導電膜のシート抵抗が５０オーム／ｓｑ．以下である。 （もっと読む）

【課題】例えば、導電性フイルムをタッチパネル用電極として用いる場合、ブラックマトリクスを該導電性フイルムに重畳して視認する際のノイズ感を低減できる透明導電膜の製造方法、導電性フイルム及びプログラムを提供する。
【解決手段】所定の二次元画像領域２００の中から複数の位置（シード点ＳＤ）を選択し、選択された前記複数の位置（シード点ＳＤ）に基づいてメッシュパターンＭの模様を表す画像データＩｍｇを作成し、作成された画像データＩｍｇに基づいて、メッシュパターンＭのノイズ特性について定量化した評価値ＥＶＰを算出し、算出された評価値ＥＶＰと所定の評価条件とに基づいて１つの画像データＩｍｇを出力用画像データＩｍｇＯｕｔとして決定し、決定された出力用画像データＩｍｇＯｕｔに基づいて透明フイルム基材５６上に線材を出力形成する。 （もっと読む）

【課題】メッシュパターンにより形成される複数の開口部による光干渉の指向性を適切に制御可能である透明導電膜の製造方法、導電性フイルム、透明発熱体及びプログラムを提供する。
【解決手段】所定の二次元画像領域２００の中から複数の位置（シード点ＳＤ）を選択し、複数の開口部５２を有するメッシュパターンＭの模様を表す画像データＩｍｇを、選択された前記複数の位置（シード点ＳＤ）に基づいて作成し、複数の開口部５２を介して発生する光干渉の指向性について、交叉する２軸方向に対して定量化した第１評価値ＥＶ１を、作成された画像データＩｍｇに基づいて算出し、算出された第１評価値ＥＶ１と所定の評価条件とに基づいて１つの画像データＩｍｇを出力用画像データＩｍｇＯｕｔとして決定し、決定された出力用画像データＩｍｇＯｕｔに基づいて透明フイルム基材５６上に線材を出力形成する。 （もっと読む）

【課題】高真空容器を使用しない簡便な方法によって透明導電性非晶質膜を製造する方法、および導電性、透明性、及び表面平滑性が従来のスパッタリング法によって得られる膜と同等以上である透明導電性非晶質膜の提供。
【解決手段】亜鉛元素および錫元素を含む透明導電性非晶質膜の製造方法であって、加熱した基板に、亜鉛化合物および錫化合物を含有する霧状の溶液又は分散液を吹き付けて成膜することを特徴とする透明導電性非晶質膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗でかつ高透過率な透明電極膜を簡易な工程で製造する方法を提供すること。
【解決手段】 基体上に透明導電膜を形成する熱ＣＶＤ（化学気相成長）法であって、固体原料（Ｒ）を直接加熱により気化させる工程（Ｓ１）と発生した原料ガスを加熱基体に堆積させる工程（Ｓ２）により透明導電性酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜（Ｐ）を得ることができる。この方法は、スプレーノズルや真空設備等を必要とせず大気下で成膜可能であり、簡易設備での高品位な導電性酸化スズ膜の製造を可能にする。 （もっと読む）