【課題】駆動用のＭＯＳトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮ2が入力される入力端子１０４、入力電圧ＩＮ2に基づいてＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０１、２０３、入力電圧ＩＮ2に基づいて２ＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、ＭＯＳトランジスタ２０１、２０２に一端が接続され、他端がＭＯＳトランジスタ２０２、２０４に接続される容量素子２０６、ソース・ドレイン端子の一方に２ＶCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にＶCCが供給され、２ＶCCまたはＧＮＤがゲート端子に供給され、２ＶCCまたはＧＮＤによってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０５と、によって昇圧回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】高温時でもエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 （もっと読む）

【課題】比較回路の基準値を調整するのに、抵抗成分の異なるＭＯＳのトランジスタを利用することにより、低コストの製造を可能とし、しかも、こうした基準値設定回路やこれを含む制御回路等のワンチップ化を可能にする。
【解決手段】 入力信号の電圧を基準値と比較する比較回路において、所定電圧間に、抵抗成分の合計値が共通する複数のＭＯＳトランジスタを直列接続した組を複数組並列に接続する。ＭＯＳトランジスタの各組において、各ＭＯＳトランジスタの抵抗成分の比率を変更することにより、各ＭＯＳトランジスタの組毎に異なる基準電圧を比較回路に出力する基準値設定回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】クランプ電圧を正確な値に設定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の電圧である電源を供給されて定電流を発生する定電流部６０と、定電流部６０で発生された定電流を供給されて第１の電圧より低い第２の電圧を発生し、第１の電圧の電源を第２の電圧にクランプするクランプ部７１と、クランプ部７１でクランプされた電源を供給されて基準電圧を発生する基準電圧発生部７２とを有し、クランプ部７１は、ゲートとドレインに接続され縦型接続された複数段のＭＯＳトランジスタＭ１１−１〜Ｍ１１−ｎである。 （もっと読む）

【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第１の基準電圧を発生する第１の非線形素子１と、第２の基準電圧を発生する第２の非線形素子２と、出力電圧Ｖｏに基づいて第１の非線形素子１および第２の非線形素子２に流れる電流を制御する電流制御回路３と、電流制御回路３の出力電圧Ｖｏの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子６−１、６−２とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＲとレギュレータの温度特性を正しく補正する機能を持つ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】分圧回路５０は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを分圧した電圧ＶＴ１およびＶＴ２を出力する。レギュレータ６は、差動アンプＡＭＰ１と、差動アンプＡＭＰ１の出力とグランドとの間に直列接続された抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５とを含む。差動アンプＡＭＰ１の正の入力端子は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを受け、負の入力端子は、抵抗Ｒ１とＲ２の接続ノードＮＤ６と接続する。ＢＧＲ回路４は、ＢＧＲ回路４内を流れる所定量の電流と所定の抵抗とによって定まる温度に応じて変化する電圧ＶＰＴＡＴを出力する。温度特性補正回路２は、電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ１との差、および電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ２との差に応じた大きさの補正電流ＩＣＯＲＲＥＣＴを接続ノードＮＤ６に流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】電源瞬停時に出力ノードの電圧が低電位電源端子の電圧よりも大きく低下することを防止する。
【解決手段】基準電流発生回路１０と、該基準電流発生回路１０で発生した基準電流を基準電圧に変換して出力ノードＮ１から出力する電流電圧変換回路２０とを備えた定電圧出力回路において、出力ノードＮ１と低電位電源端子２との間に、アノードが低電位電源端子１に接続されカソードが出力ノードＮ１に接続されるダイオードＤ１を接続する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタのリーク電流抑制と低消費電流化とのトレードオフや、内部電源電圧生成ブロックの小型化と低消費電流化とのトレードオフなどがある。
【解決手段】基準電流生成回路Ｘ１０は、デプレッション型トランジスタＮ１を用いて基準電圧Ｖ１を生成する基準電圧生成部Ｘ１１と、基準電圧Ｖ１から基準電流Ｉ２ａ及びＩ２ｂを生成する電圧／電流変換部Ｘ１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度特性の良い基準電圧回路を提供する。
【解決手段】ゲートとソースが接続された第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続された第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得る。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含む第１カレントミラー回路１１、複数のＮＭＯＳトランジスタを含む第２カレントミラー回路１２を備え、正の温度特性を有する第１電流を発生する第１電流発生回路１０と、前記複数のＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第１電圧が入力され、前記第１電圧と等しい第２電圧を出力するフィードバック回路２１を備え、前記第２電圧に基づいて負の温度特性を有する第２電流を発生する第２電流発生回路２０と、前記第１電流と前記第２電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路３０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】負荷回路の温度依存性を低減することができる電流源回路及びその調整方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様である電流源回路１００は、出力端子３、端子５、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎ、抵抗Ｒ１及び選択回路１を有する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎは、出力端子３及び端子５間に並列に接続され、ゲートに定電圧Ｖｉが印加され、それぞれ異なるディメンジョンを有する。抵抗Ｒ１は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと端子５との間に接続される。選択回路１は、抵抗Ｒ１と出力端子３との間でＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎいずれかに選択的に出力電流を出力させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に対する出力電流の変動が小さいカレントミラー回路を提供すること。
【解決手段】カレントミラー回路5は，トランジスタM12の第2のドレイン電流を第2の比率で複製した第2の複製電流を生成する第2の複製電流生成回路J2と，基準電流と第2の複製電流が流入する接続ノード接続ノードQ1とグランドとの間に設けられ，トランジスタM11の第1のドレイン電流を第1の比率で複製した第1の複製電流を生成する第1の複製電流生成回路J1とを有し，出力トランジスタM10のゲートとトランジスタM11，M12のゲートと接続ノードQ1とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】オフセットの影響を低減すると共に、温度依存性を微調整して基準電圧を目標値に近づけることのできる基準電圧回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１および第２入力端子を有し、基準電圧VBGRを出力する第１増幅器AMPBM1と、第１負荷素子R1および第１ｐｎ接合素子Q1と、第２および第３負荷素子R2,R3並びに第２ｐｎ接合素子Q2と、を有し、さらに、前記第１増幅器における前記第１および第２入力端子間のオフセット電圧を低減するオフセット電圧低減回路AMPBS1と、第１および第２接続ノードIP,IMの電位を取り出す接続ノード電位取り出し回路ＲＥＧ１と、前記接続ノード電位取り出し回路により取り出された前記第１および第２接続ノードの電位に従って、前記第２ｐｎ接合素子Q2の面積を調整する面積調整回路PNPB1,CAREAと、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ロジック回路の動作時の貫通電流が、ロジック回路を構成するＰ型トランジスタとＮ型トランジスタの閾値電圧ばらつきの影響により過大とならず、消費電流を抑えることが可能な、内部電源電圧生成回路の提供。
【解決手段】内部電源端子の内部電源電圧を生成し、前記内部電源電圧をロジック回路に供給する内部電源電圧生成回路であって、ゲートに与えられる電圧をソースフォロワ出力するトランジスタを有し、内部電源電圧の値が、Ｎ型トランジスタの閾値電圧と、Ｐ型トランジスタの閾値電圧の絶対値の和に基づいて与えられ、前記Ｎ型トランジスタは、前記ロジック回路内部のＮ型トランジスタと同一の製造プロセスで形成され、前記Ｐ型トランジスタは、前記ロジック回路内部のＰ型トランジスタと同一の製造プロセスで形成される、内部電源電圧生成回路、とした。 （もっと読む）

【課題】 ツェナーダイオードと同等の動作を行える回路ないしは半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の基準電圧発生回路は、第１のＦＥＴと、第２のＦＥＴと、一方を電源に接続し他方を前記第1のＦＥＴのドレインに接続した第1の抵抗と、前記第１のＦＥＴのドレイン−ゲート間に接続した第２の抵抗とを有し、前記第２のＦＥＴのゲート−ソース間を接続し、前記第２のＦＥＴのドレインを前記第1のＦＥＴのゲートに接続し、前記第１のＦＥＴのドレインが基準電圧を出力し、前記第１のＦＥＴのソースと前記第１のＦＥＴのソースがグランド又は他の回路と接続していることを特徴とする。 （もっと読む）