基準電圧回路
【課題】温度特性の良い基準電圧回路を提供する。
【解決手段】ゲートとソースが接続された第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続された第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得る。
【解決手段】ゲートとソースが接続された第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続された第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度特性の良い基準電圧回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の基準電圧回路は、図５に示すようにＮｃｈデプレッショントランジスタ５０１とＮｃｈデプレッショントランジスタ５０２で構成されている。
【０００３】
動作について説明する。電源電圧が十分に高い場合、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１は飽和領域で動作し、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０２ は３極管領域（可変抵抗領域）で動作する。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１のアスペクト比（Ｗ／Ｌ）をＡ５０１、しきい値をＶｔｄ、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０２のアスペクト比をＡ５０２、しきい値をＶｔｄ、出力端子５２１の電圧をＶ５２１とすると、
【０００４】
【数１】
【０００５】
となる。Ｖ５２１の温度傾斜は
【０００６】
【数２】
【０００７】
となる。（１）式および（２）式から明らかなように、出力電圧Ｖ５２１の絶対値および温度傾斜の条件式は、デプレッション型トランジスタのしきい値とチャネルのアスペクト比のみで決定され、移動度が影響を与える項を含まない。
【０００８】
一般に移動度の温度傾斜は非線形であるのに対して、しきい値の温度傾斜は概ね−１〜−２ｍＶ／℃の線形とみなせることが知られている。現実的な値として、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１およびＮｃｈデプレッショントランジスタ５０２のアスペクト比の比を８：１とすれば、出力電圧Ｖ５２１の値は｜２×Ｖｔｄ｜であり、温度傾斜は同じしきい値の温度傾斜の−２倍で与えられる。
【０００９】
こうして、出力電圧、出力特性を決定する要素に移動度が介在せず、デプレッション型トランジスタのしきい値とレイアウト上の比精度のみで決定される。そして、製造ばらつきで変動する要素が少なく、安定した出力が得られる。（例えば、特許文献１図１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２４６６７号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の技術では、温度に対して一定の傾きを持つことからフラットな温度特性が求められる基準電圧回路に適さないというと課題があった。
本発明は上記課題に鑑みてなされ、温度変化に対してフラットな温度特性を得られる基準電圧回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、第一のデプレッショントランジスタで構成される第一の定電圧回路と、第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタで構成される第二の定電圧回路と、第一の定電圧回路の出力電圧と第二の定電圧回路の出力電圧が入力される差動増幅手段と、を備えた基準電圧回路とした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の基準電圧回路は、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いて、その電圧の差から基準電圧を生成する事で、温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第一の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図２】第二の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図３】第三の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図４】第四の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図５】従来の基準電圧回路を示す回路図である。
【図６】第五の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、第一の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第一の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２、１０３、１０４と、差動増幅回路１０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００で構成されている。差動増幅回路１０５は入力端子１２１、１２２と、出力端子１２３で構成されている。
【００１７】
次に、第一の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１は、ゲート及びドレインは差動増幅回路１０５の入力端子１２１に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０２は、ゲート及びソースは差動増幅回路１０５の入力端子１２１に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３は、ゲート及びドレインは差動増幅回路１０５の入力端子１２２に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０４は、ゲート及びソースは差動増幅回路１０５の入力端子１２２に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。
【００１８】
次に、第一の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０２、１０４は飽和で動作し、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０３は非飽和（可変抵抗領域）で動作する。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２のアスペクト比（Ｗ／Ｌ）をＡ１０１、Ａ１０２とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４のアスペクト比をＡ１０３、Ａ１０４とする。ノード１２１の電圧は、
【００１９】
【数３】
【００２０】
となる。入力端子１２１の温度傾斜は
【００２１】
【数４】
【００２２】
となる。
入力端子１２２の電圧は
【００２３】
【数５】
【００２４】
となる。入力端子１２１の温度傾斜は
【００２５】
【数６】
【００２６】
となる。
【００２７】
（３）、（４）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２によって定電圧回路が構成され、入力端子１２１の電圧値と温度傾斜はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２のしきい値とアスペクト比で決定される。（５）、（６）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４によって定電圧回路が構成され、入力端子１２２の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４のしきい値とアスペクト比で決定される。ここで、例えば各トランジスタのアスペクト比が等しければ、入力端子１２１の電圧と入力端子１２２の電圧はＶｔｎｄｍ＜ＶｔｎｄｌからＶ１２１＜Ｖ１２２となる。温度傾斜でのしきい値の影響は、同じデプレッショントランジスタを用いているため大きな違いは現れない。さらにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０２、１０４のアスペクト比を調整する事で入力端子１２１、１２２ともにほとんど同じ傾きを持たせることが可能となる。同じ温度傾斜を持つ入力端子１２１と１２２の電圧は、差動増幅回路１０５に入力し差分を出力端子１２３から出力する事で、温度特性の良い電圧を得ることができる。
【００２８】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【実施例２】
【００２９】
図２は、第二の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第二の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７と、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、２０６、２０８と、差動増幅回路１０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００で構成されている。差動増幅回路１０５は入力端子１２１、１２２と、出力端子１２３で構成されている。
【００３０】
次に、第二の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０２のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０２は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０４は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０２のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソース及び入力端子１２１に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３は、ゲートはグラウンド端子１００に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０６のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０８は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０６のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソース及び入力端子１２２に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７は、ゲートはグラウンド端子１００に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。
【００３１】
次に、第二の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のアスペクト比をＡ２０１、Ａ２０３とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のアスペクト比をＡ２０５、Ａ２０７とする。ＮＭＯＳトランジスタ２０２と２０４はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１と２０３には同じ大きさの電流が流れる。ＮＭＯＳトランジスタ２０６と２０８はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５と２０７は同じ大きさの電流が流れる。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７に流れる電流をそれぞれ、Ｉ２０１、Ｉ２０３、Ｉ２０５，Ｉ２０７とする。電子の移動度をμ０、ゲート容量をＣｏｘとすると電流Ｉ２０１は
【００３２】
【数７】
【００３３】
となる。電流Ｉ２０３は
【００３４】
【数８】
【００３５】
となる。Ｖ１２１は入力端子１２１の電圧である。Ｉ２０１＝Ｉ２０３から、（７）、（８）式をＶ１２１について解くと、（９）式となる。
【００３６】
【数９】
【００３７】
入力端子１２１の温度傾斜は
【００３８】
【数１０】
【００３９】
となる。同様にして入力端子１２２の電圧を求めると
【００４０】
【数１１】
【００４１】
となる。入力端子１２２の温度傾斜は
【００４２】
【数１２】
【００４３】
となる。
【００４４】
（９）、（１０）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４で定電圧回路が構成される。そして、入力端子１２１の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のしきい値とアスペクト比で決定される。（１１）、（１２）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７、ＮＭＯＳトランジスタ２０６、２０８で定電圧回路が構成される。そして、入力端子１２２の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のしきい値とアスペクト比で決定される。ここで、例えば各トランジスタのアスペクト比が等しければ、入力端子１２１の電圧と入力端子１２２の電圧はＶｔｎｄｍ＜ＶｔｎｄｌからＶ１２１＜Ｖ１２２となる。温度傾斜でのしきい値の影響は、同じデプレッショントランジスタを用いているため大きな違いは現れない。さらにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７のアスペクト比を調整する事で入力端子１２１、１２２ともにほとんど同じ傾きを持たせることが可能となる。同じ温度傾斜を持つ入力端子１２１と１２２の電圧は、差動増幅回路１０５に入力し差分を出力端子１２３から出力する事で、温度特性の良い電圧を得ることができる。
【００４５】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【実施例３】
【００４６】
図３は、第三の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
図１の第１の実施形態との違いは、差動増幅回路１０５の構成を具体的に示した点である。
【００４７】
ノード３２１はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０２のゲート及び抵抗３０１に接続され、ノード３２２はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０４のゲート及び抵抗３０２に接続される。抵抗３０１のもう一方はオペアンプ３０５の反転入力端子及び抵抗３０３に接続される。抵抗３０４のもう一方はオペアンプ３０５の非反転入力端子及び抵抗３０４に接続される。抵抗３０３のもう一方は出力端子１２３に接続され、抵抗３０４のもう一方はグラウンド端子１００に接続され、オペアンプ３０５の出力は出力端子１２３に接続される。
【００４８】
次に、第三の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
ノード３２１の電圧Ｖ３２１とノード３２２の電圧Ｖ３２２は第１の実施形態と同様に同じ温度傾斜を持つように設定される。抵抗３０１、３０２の抵抗値をＲ１、抵抗３０３、３０４の抵抗値をＲ２とすると、出力端子１２３の電圧Ｖ１２３は
【００４９】
【数１３】
【００５０】
となる。
（１３）式から明らかなように温度傾斜の同じ電圧の差分を取ることができ、抵抗値を調節する事で出力端子の電圧を調節することも可能となる。
【００５１】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。さらに差動増幅回路の抵抗値を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【実施例４】
【００５２】
図４は、第四の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
図２の第２の実施形態との違いは、差動増幅回路１０５の構成を具体的に示した点である。差動増幅回路１０５の構成の構成は図３の第３の実施形態と同じである。このような構成でも温度特性のよい基準電圧回路を得ることができ、差動増幅回路の抵抗値を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【実施例５】
【００５３】
図６は、第五の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第五の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７と、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、２０６、２０８、６０１と、ＰＭＯＳトランジスタ６０２、６０３と、抵抗６０４、６０５と、定電流回路６１０と、オペアンプ３０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００と、出力端子１２３で構成されている。
【００５４】
次に、第五の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０２のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０２は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０４は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０２のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソース及びオペアンプ３０５の反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ６０１のゲート及びドレインに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０６のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０８は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０６のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソース及びオペアンプ３０５の非反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７は、ゲートはＰＭＯＳトランジスタ６０２のドレインに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。抵抗６０４は、一方はＮＭＯＳトランジスタ６０１のドレインに接続され、もう一方はＰＭＯＳトランジスタ６０２のドレインに接続される。定電流回路６１０は、一方がＮＭＯＳトランジスタ６０１のゲートに接続され、もう一方が電源端子１５０に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ６０２は、ゲートはＰＭＯＳトランジスタ６０３のゲート及びオペアンプ３０５の出力端子に接続され、ソースは電源端子１５０に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ６０３は、ドレインは抵抗６０５及び出力端子１２３に接続され、ソースは電源端子１５０に接続される。抵抗６０５のもう一方はグラウンド端子１００に接続される。
【００５５】
ここで、ＮＭＯＳトランジスタ６０１とＰＭＯＳトランジスタ６０２と抵抗６０４と定電流回路６１０は、帰還回路を構成する。また、ＰＭＯＳトランジスタ６０３と抵抗６０５は、基準電圧回路の出力回路を構成する。
【００５６】
次に、第五の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のアスペクト比をＡ２０１、Ａ２０３とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のアスペクト比をＡ２０５、Ａ２０７とする。ＮＭＯＳトランジスタ２０２と２０４はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１と２０３には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４で、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６と２０８はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５と２０７には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７、ＮＭＯＳトランジスタ２０６、２０８でもＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。
【００５７】
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３で構成されるソースフォロア回路の出力６０６とＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７で構成されるソースフォロア回路の出力６０７は、オペアンプ３０５によって同じ電圧値に制御される。このため、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソースとゲート間の電圧と、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソースとゲート間の電圧差が、抵抗６０４の端子間に発生する。
【００５８】
オペアンプ３０５の出力電圧によってＰＭＯＳトランジスタ６０３はＰＭＯＳトランジスタ６０２と同様に動作し、抵抗６０４に流れる電流と同様の電流を抵抗６０５に流す。こうして、出力端子１２３に電圧を発生させる。出力端子１２３の電圧は抵抗６０５と６０４の比で調節でき、抵抗６０５の抵抗値を６Ｒ、抵抗６０４の抵抗値をＲとすると、抵抗６０４に発生する電圧の６倍の電圧を出力端子１２３に発生させることができる。ＮＭＯＳトランジスタ６０１および定電流回路６１０は、オペアンプ３０５に入力電圧をＮＭＯＳトランジスタ６０１のしきい値電圧分上昇させるために設けた。
【００５９】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。さらに抵抗の比を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【００６０】
なお、本発明の基準電圧回路は、ゲートとソースが接続されたＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０２）に流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値のＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０１）に流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続されたＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０４）に流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値のＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０３）に流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得ることが特徴である。従って、上記構成が実現できる回路構成であれば、どの様な回路構成でも良いことは言うまでも無い。例えば、ＮｃｈデプレッショントランジスタをＰｃｈデプレッショントランジスタで構成しても、他のトランスタをそれに対応するように変更すれば、同様の効果を有する基準電圧回路が実現できる。
【符号の説明】
【００６１】
１００ グラウンド端子
１０５ 差動増幅回路
１２１、１２２ 入力端子
１２３ 出力端子
１５０ 電源端子
３０５ オペアンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度特性の良い基準電圧回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の基準電圧回路は、図５に示すようにＮｃｈデプレッショントランジスタ５０１とＮｃｈデプレッショントランジスタ５０２で構成されている。
【０００３】
動作について説明する。電源電圧が十分に高い場合、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１は飽和領域で動作し、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０２ は３極管領域（可変抵抗領域）で動作する。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１のアスペクト比（Ｗ／Ｌ）をＡ５０１、しきい値をＶｔｄ、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０２のアスペクト比をＡ５０２、しきい値をＶｔｄ、出力端子５２１の電圧をＶ５２１とすると、
【０００４】
【数１】
【０００５】
となる。Ｖ５２１の温度傾斜は
【０００６】
【数２】
【０００７】
となる。（１）式および（２）式から明らかなように、出力電圧Ｖ５２１の絶対値および温度傾斜の条件式は、デプレッション型トランジスタのしきい値とチャネルのアスペクト比のみで決定され、移動度が影響を与える項を含まない。
【０００８】
一般に移動度の温度傾斜は非線形であるのに対して、しきい値の温度傾斜は概ね−１〜−２ｍＶ／℃の線形とみなせることが知られている。現実的な値として、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ５０１およびＮｃｈデプレッショントランジスタ５０２のアスペクト比の比を８：１とすれば、出力電圧Ｖ５２１の値は｜２×Ｖｔｄ｜であり、温度傾斜は同じしきい値の温度傾斜の−２倍で与えられる。
【０００９】
こうして、出力電圧、出力特性を決定する要素に移動度が介在せず、デプレッション型トランジスタのしきい値とレイアウト上の比精度のみで決定される。そして、製造ばらつきで変動する要素が少なく、安定した出力が得られる。（例えば、特許文献１図１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２４６６７号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の技術では、温度に対して一定の傾きを持つことからフラットな温度特性が求められる基準電圧回路に適さないというと課題があった。
本発明は上記課題に鑑みてなされ、温度変化に対してフラットな温度特性を得られる基準電圧回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、第一のデプレッショントランジスタで構成される第一の定電圧回路と、第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタで構成される第二の定電圧回路と、第一の定電圧回路の出力電圧と第二の定電圧回路の出力電圧が入力される差動増幅手段と、を備えた基準電圧回路とした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の基準電圧回路は、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いて、その電圧の差から基準電圧を生成する事で、温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第一の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図２】第二の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図３】第三の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図４】第四の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【図５】従来の基準電圧回路を示す回路図である。
【図６】第五の実施形態の基準電圧回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、第一の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第一の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２、１０３、１０４と、差動増幅回路１０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００で構成されている。差動増幅回路１０５は入力端子１２１、１２２と、出力端子１２３で構成されている。
【００１７】
次に、第一の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１は、ゲート及びドレインは差動増幅回路１０５の入力端子１２１に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０２は、ゲート及びソースは差動増幅回路１０５の入力端子１２１に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３は、ゲート及びドレインは差動増幅回路１０５の入力端子１２２に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０４は、ゲート及びソースは差動増幅回路１０５の入力端子１２２に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。
【００１８】
次に、第一の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０２、１０４は飽和で動作し、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０３は非飽和（可変抵抗領域）で動作する。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２のアスペクト比（Ｗ／Ｌ）をＡ１０１、Ａ１０２とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４のアスペクト比をＡ１０３、Ａ１０４とする。ノード１２１の電圧は、
【００１９】
【数３】
【００２０】
となる。入力端子１２１の温度傾斜は
【００２１】
【数４】
【００２２】
となる。
入力端子１２２の電圧は
【００２３】
【数５】
【００２４】
となる。入力端子１２１の温度傾斜は
【００２５】
【数６】
【００２６】
となる。
【００２７】
（３）、（４）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２によって定電圧回路が構成され、入力端子１２１の電圧値と温度傾斜はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０１、１０２のしきい値とアスペクト比で決定される。（５）、（６）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４によって定電圧回路が構成され、入力端子１２２の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ１０３、１０４のしきい値とアスペクト比で決定される。ここで、例えば各トランジスタのアスペクト比が等しければ、入力端子１２１の電圧と入力端子１２２の電圧はＶｔｎｄｍ＜ＶｔｎｄｌからＶ１２１＜Ｖ１２２となる。温度傾斜でのしきい値の影響は、同じデプレッショントランジスタを用いているため大きな違いは現れない。さらにＮｃｈデプレッショントランジスタ１０２、１０４のアスペクト比を調整する事で入力端子１２１、１２２ともにほとんど同じ傾きを持たせることが可能となる。同じ温度傾斜を持つ入力端子１２１と１２２の電圧は、差動増幅回路１０５に入力し差分を出力端子１２３から出力する事で、温度特性の良い電圧を得ることができる。
【００２８】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【実施例２】
【００２９】
図２は、第二の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第二の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７と、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、２０６、２０８と、差動増幅回路１０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００で構成されている。差動増幅回路１０５は入力端子１２１、１２２と、出力端子１２３で構成されている。
【００３０】
次に、第二の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０２のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０２は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０４は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０２のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソース及び入力端子１２１に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３は、ゲートはグラウンド端子１００に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０６のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０８は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０６のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソース及び入力端子１２２に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７は、ゲートはグラウンド端子１００に接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。
【００３１】
次に、第二の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のアスペクト比をＡ２０１、Ａ２０３とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のアスペクト比をＡ２０５、Ａ２０７とする。ＮＭＯＳトランジスタ２０２と２０４はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１と２０３には同じ大きさの電流が流れる。ＮＭＯＳトランジスタ２０６と２０８はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５と２０７は同じ大きさの電流が流れる。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７に流れる電流をそれぞれ、Ｉ２０１、Ｉ２０３、Ｉ２０５，Ｉ２０７とする。電子の移動度をμ０、ゲート容量をＣｏｘとすると電流Ｉ２０１は
【００３２】
【数７】
【００３３】
となる。電流Ｉ２０３は
【００３４】
【数８】
【００３５】
となる。Ｖ１２１は入力端子１２１の電圧である。Ｉ２０１＝Ｉ２０３から、（７）、（８）式をＶ１２１について解くと、（９）式となる。
【００３６】
【数９】
【００３７】
入力端子１２１の温度傾斜は
【００３８】
【数１０】
【００３９】
となる。同様にして入力端子１２２の電圧を求めると
【００４０】
【数１１】
【００４１】
となる。入力端子１２２の温度傾斜は
【００４２】
【数１２】
【００４３】
となる。
【００４４】
（９）、（１０）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４で定電圧回路が構成される。そして、入力端子１２１の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のしきい値とアスペクト比で決定される。（１１）、（１２）式から明らかなようにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７、ＮＭＯＳトランジスタ２０６、２０８で定電圧回路が構成される。そして、入力端子１２２の電圧値と温度傾斜は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のしきい値とアスペクト比で決定される。ここで、例えば各トランジスタのアスペクト比が等しければ、入力端子１２１の電圧と入力端子１２２の電圧はＶｔｎｄｍ＜ＶｔｎｄｌからＶ１２１＜Ｖ１２２となる。温度傾斜でのしきい値の影響は、同じデプレッショントランジスタを用いているため大きな違いは現れない。さらにＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７のアスペクト比を調整する事で入力端子１２１、１２２ともにほとんど同じ傾きを持たせることが可能となる。同じ温度傾斜を持つ入力端子１２１と１２２の電圧は、差動増幅回路１０５に入力し差分を出力端子１２３から出力する事で、温度特性の良い電圧を得ることができる。
【００４５】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。
【実施例３】
【００４６】
図３は、第三の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
図１の第１の実施形態との違いは、差動増幅回路１０５の構成を具体的に示した点である。
【００４７】
ノード３２１はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０２のゲート及び抵抗３０１に接続され、ノード３２２はＮｃｈデプレッショントランジスタ１０４のゲート及び抵抗３０２に接続される。抵抗３０１のもう一方はオペアンプ３０５の反転入力端子及び抵抗３０３に接続される。抵抗３０４のもう一方はオペアンプ３０５の非反転入力端子及び抵抗３０４に接続される。抵抗３０３のもう一方は出力端子１２３に接続され、抵抗３０４のもう一方はグラウンド端子１００に接続され、オペアンプ３０５の出力は出力端子１２３に接続される。
【００４８】
次に、第三の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
ノード３２１の電圧Ｖ３２１とノード３２２の電圧Ｖ３２２は第１の実施形態と同様に同じ温度傾斜を持つように設定される。抵抗３０１、３０２の抵抗値をＲ１、抵抗３０３、３０４の抵抗値をＲ２とすると、出力端子１２３の電圧Ｖ１２３は
【００４９】
【数１３】
【００５０】
となる。
（１３）式から明らかなように温度傾斜の同じ電圧の差分を取ることができ、抵抗値を調節する事で出力端子の電圧を調節することも可能となる。
【００５１】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。さらに差動増幅回路の抵抗値を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【実施例４】
【００５２】
図４は、第四の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
図２の第２の実施形態との違いは、差動増幅回路１０５の構成を具体的に示した点である。差動増幅回路１０５の構成の構成は図３の第３の実施形態と同じである。このような構成でも温度特性のよい基準電圧回路を得ることができ、差動増幅回路の抵抗値を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【実施例５】
【００５３】
図６は、第五の実施形態の基準電圧回路の回路図である。
第五の実施形態の基準電圧回路は、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、２０５、２０７と、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、２０６、２０８、６０１と、ＰＭＯＳトランジスタ６０２、６０３と、抵抗６０４、６０５と、定電流回路６１０と、オペアンプ３０５と、電源端子１５０と、グラウンド端子１００と、出力端子１２３で構成されている。
【００５４】
次に、第五の実施形態の基準電圧回路の接続について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０２のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０２は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０４は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０２のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソース及びオペアンプ３０５の反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ６０１のゲート及びドレインに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５は、ゲート及びソースはＮＭＯＳトランジスタ２０６のドレイン及びゲートに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６は、ソースはグラウンド端子１００に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ２０８は、ゲートはＮＭＯＳトランジスタ２０６のゲートに接続され、ドレインはＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソース及びオペアンプ３０５の非反転入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子１００に接続される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７は、ゲートはＰＭＯＳトランジスタ６０２のドレインに接続され、ドレインは電源端子１５０に接続される。抵抗６０４は、一方はＮＭＯＳトランジスタ６０１のドレインに接続され、もう一方はＰＭＯＳトランジスタ６０２のドレインに接続される。定電流回路６１０は、一方がＮＭＯＳトランジスタ６０１のゲートに接続され、もう一方が電源端子１５０に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ６０２は、ゲートはＰＭＯＳトランジスタ６０３のゲート及びオペアンプ３０５の出力端子に接続され、ソースは電源端子１５０に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ６０３は、ドレインは抵抗６０５及び出力端子１２３に接続され、ソースは電源端子１５０に接続される。抵抗６０５のもう一方はグラウンド端子１００に接続される。
【００５５】
ここで、ＮＭＯＳトランジスタ６０１とＰＭＯＳトランジスタ６０２と抵抗６０４と定電流回路６１０は、帰還回路を構成する。また、ＰＭＯＳトランジスタ６０３と抵抗６０５は、基準電圧回路の出力回路を構成する。
【００５６】
次に、第五の実施形態の基準電圧回路の動作について説明する。
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３は同じしきい値でＶｔｎｄｍと設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７は同じしきい値でＶｔｎｄｌと設定される。これらのしきい値はＶｔｎｄｍ＜Ｖｔｎｄｌと設定されＶｔｎｄｍのほうが低く設定される。Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３のアスペクト比をＡ２０１、Ａ２０３とし、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７のアスペクト比をＡ２０５、Ａ２０７とする。ＮＭＯＳトランジスタ２０２と２０４はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０１と２０３には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０１、２０３、ＮＭＯＳトランジスタ２０２、２０４で、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。ＮＭＯＳトランジスタ２０６と２０８はカレントミラーを構成しておりＮｃｈデプレッショントランジスタ２０５と２０７には同じ大きさの電流が流れる。こうして、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０５、２０７、ＮＭＯＳトランジスタ２０６、２０８でもＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソースとゲート間の電圧を出力する定電圧回路が構成される。
【００５７】
Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３で構成されるソースフォロア回路の出力６０６とＮｃｈデプレッショントランジスタ２０７で構成されるソースフォロア回路の出力６０７は、オペアンプ３０５によって同じ電圧値に制御される。このため、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０３のソースとゲート間の電圧と、Ｎｃｈデプレッショントランジスタ２０７のソースとゲート間の電圧差が、抵抗６０４の端子間に発生する。
【００５８】
オペアンプ３０５の出力電圧によってＰＭＯＳトランジスタ６０３はＰＭＯＳトランジスタ６０２と同様に動作し、抵抗６０４に流れる電流と同様の電流を抵抗６０５に流す。こうして、出力端子１２３に電圧を発生させる。出力端子１２３の電圧は抵抗６０５と６０４の比で調節でき、抵抗６０５の抵抗値を６Ｒ、抵抗６０４の抵抗値をＲとすると、抵抗６０４に発生する電圧の６倍の電圧を出力端子１２３に発生させることができる。ＮＭＯＳトランジスタ６０１および定電流回路６１０は、オペアンプ３０５に入力電圧をＮＭＯＳトランジスタ６０１のしきい値電圧分上昇させるために設けた。
【００５９】
以上により、しきい値電圧の異なるデプレッショントランジスタを用いる事で温度特性のよい基準電圧回路を得ることができる。さらに抵抗の比を調節する事で基準電圧の電圧値を調節することもできる。
【００６０】
なお、本発明の基準電圧回路は、ゲートとソースが接続されたＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０２）に流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値のＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０１）に流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続されたＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０４）に流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値のＮｃｈデプレッショントランジスタ（例えば１０３）に流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得ることが特徴である。従って、上記構成が実現できる回路構成であれば、どの様な回路構成でも良いことは言うまでも無い。例えば、ＮｃｈデプレッショントランジスタをＰｃｈデプレッショントランジスタで構成しても、他のトランスタをそれに対応するように変更すれば、同様の効果を有する基準電圧回路が実現できる。
【符号の説明】
【００６１】
１００ グラウンド端子
１０５ 差動増幅回路
１２１、１２２ 入力端子
１２３ 出力端子
１５０ 電源端子
３０５ オペアンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のデプレッショントランジスタで構成される第一の定電圧回路と、
前記第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタで構成される第二の定電圧回路と、
前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧の電位差に基づいた基準電圧を発生させる、ことを特徴とする基準電圧回路。
【請求項２】
前記第一の定電圧回路は、
前記第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第一のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタを有し、
前記第二の定電圧回路は、
前記第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第二のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタを有し、
前記第一の定電圧回路の出力電圧は、前記第三のデプレッショントランジスタのゲートとソース間で発生する電圧であり、前記第二の定電圧回路の出力電圧は、前記第四のデプレッショントランジスタのゲートとソース間で発生する電圧である、ことを特徴とする請求項１に記載の基準電圧回路。
【請求項３】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第一のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、第二のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のＭＯＳトランジスタのドレインと前記第一の定電圧回路の出力端子に接続された、第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第三のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第四のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のＭＯＳトランジスタのドレインと前記第二の定電圧回路の出力端子に接続された、第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項４】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第一のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、ドレインが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続された、第二のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のＭＯＳトランジスタのドレインと接続された、第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第三のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、ドレインが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続された、第四のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のＭＯＳトランジスタのドレインと接続された、第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項５】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートおよびソースが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートおよびドレインが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、非飽和領域で動作する第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートおよびソースが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートおよびドレインが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、非飽和領域で動作する第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項６】
前記基準電圧回路は、差動増幅手段を備え、
前記差動増幅手段は、
前記第一の入力端子と反転入力端子が接続され、前記第二の入力端子と非反転入力端子が接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端子に設けられた前記基準電圧回路の出力回路と、
第一の出力端子と第二の出力端子を有し、前記オペアンプの出力端子に設けられた帰還回路と、を備え、
前記帰還回路の第一の出力端子と前記第三のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続され、
前記帰還回路の第二の出力端子と前記第四のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続された、ことを特徴とする請求項３に記載の基準電圧回路。
【請求項７】
前記基準電圧回路は、差動増幅手段を備え、
前記差動増幅手段は、前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧が入力され、前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧の電位差に基づいた基準電圧を発生させる、ことを特徴とする請求項４また５に記載の基準電圧回路。
【請求項１】
第一のデプレッショントランジスタで構成される第一の定電圧回路と、
前記第一のデプレッショントランジスタとしきい値の異なる第二のデプレッショントランジスタで構成される第二の定電圧回路と、
前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧の電位差に基づいた基準電圧を発生させる、ことを特徴とする基準電圧回路。
【請求項２】
前記第一の定電圧回路は、
前記第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第一のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタを有し、
前記第二の定電圧回路は、
前記第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を流す、前記第二のデプレッショントランジスタと同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタを有し、
前記第一の定電圧回路の出力電圧は、前記第三のデプレッショントランジスタのゲートとソース間で発生する電圧であり、前記第二の定電圧回路の出力電圧は、前記第四のデプレッショントランジスタのゲートとソース間で発生する電圧である、ことを特徴とする請求項１に記載の基準電圧回路。
【請求項３】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第一のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、第二のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のＭＯＳトランジスタのドレインと前記第一の定電圧回路の出力端子に接続された、第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第三のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第四のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のＭＯＳトランジスタのドレインと前記第二の定電圧回路の出力端子に接続された、第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項４】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第一のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第一のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第一のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、ドレインが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続された、第二のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第二のＭＯＳトランジスタのドレインと接続された、第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートとソースが接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートとドレインが前記第二のデプレッショントランジスタのゲートとソースに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、第三のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記第三のＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ソースが第二の電源端子に接続された、ドレインが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続された、第四のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが第二の電源端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続され、ソースが前記第四のＭＯＳトランジスタのドレインと接続された、第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項５】
前記第一の定電圧回路は、
ゲートおよびソースが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第一のデプレッショントランジスタと、
ゲートおよびドレインが前記第一の定電圧回路の出力端子に接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、非飽和領域で動作する第三のデプレッショントランジスタと、で構成され、
前記第二の定電圧回路は、
ゲートおよびソースが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続され、ドレインが第一の電源端子に接続された、前記第二のデプレッショントランジスタと、
ゲートおよびドレインが前記第二の定電圧回路の出力端子に接続され、ソースが第二の電源端子に接続され、非飽和領域で動作する第四のデプレッショントランジスタと、で構成された、ことを特徴とする請求項２に記載の基準電圧回路。
【請求項６】
前記基準電圧回路は、差動増幅手段を備え、
前記差動増幅手段は、
前記第一の入力端子と反転入力端子が接続され、前記第二の入力端子と非反転入力端子が接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端子に設けられた前記基準電圧回路の出力回路と、
第一の出力端子と第二の出力端子を有し、前記オペアンプの出力端子に設けられた帰還回路と、を備え、
前記帰還回路の第一の出力端子と前記第三のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続され、
前記帰還回路の第二の出力端子と前記第四のデプレッショントランジスタのゲート端子が接続された、ことを特徴とする請求項３に記載の基準電圧回路。
【請求項７】
前記基準電圧回路は、差動増幅手段を備え、
前記差動増幅手段は、前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧が入力され、前記第一の定電圧回路の出力電圧と前記第二の定電圧回路の出力電圧の電位差に基づいた基準電圧を発生させる、ことを特徴とする請求項４また５に記載の基準電圧回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−２１６１７１（Ｐ２０１２−２１６１７１Ａ）
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９９７３３（Ｐ２０１１−１９９７３３）
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
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