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Fターム[5H420NB25]の内容

Fターム[5H420NB25]に分類される特許

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【課題】駆動用のMOSトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧IN2が入力される入力端子104、入力電圧IN2に基づいてVCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ201、203、入力電圧IN2に基づいて2VCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ202、204、MOSトランジスタ201、202に一端が接続され、他端がMOSトランジスタ202、204に接続される容量素子206、ソース・ドレイン端子の一方に2VCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にVCCが供給され、2VCCまたはGNDがゲート端子に供給され、2VCCまたはGNDによってオン、オフされるMOSトランジスタ205と、によって昇圧回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ300へ出力する外部端子T1と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子T1から出力された基準電流に応じてテスタ300により設定される外部端子T2と、テスタ300により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部14と、を備える半導体装置。 (もっと読む)


【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路18は、抵抗値の異なる抵抗A1、A2を含む抵抗部Aと、抵抗A1、A2に現れる電圧V1、V2を比較して過電流保護信号S1を生成する比較部Bと、抵抗A1、A2にスイッチ素子12の降下電圧(SW−PGND)を印加する入力部Cと、電流値の等しい電流I1、I2を生成して抵抗A1、A2に供給する電流生成部Dとを有し、電流生成部Dは、抵抗A1、A2と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧BGから基準電流Ixを生成する抵抗D10と;スイッチ素子12と同一の温度特性を有しており、基準電流Ixから基準電圧Vxを生成する抵抗D7と;負の温度特性を有しており、基準電圧Vxから基準電流Iyを生成する抵抗D8と;基準電流Iyから電流I1、I2を生成するカレントミラー(D1〜D4)と;を含む。 (もっと読む)


【課題】高温時でもエンハンスメント型Nチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Nチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Nチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 (もっと読む)


【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してAND回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 (もっと読む)


【課題】バイパス容量の容量値を大きくすることなく、供給電流の変動を抑制する。
【解決手段】負荷の状態に応じて予め設定したピースワイズリニア信号に基づき、負荷が重負荷のとき所定の電流値、軽負荷のとき零となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき前記所定の電流値と零との間で線形に変化する電流Im12を入力電圧Vinから生成する。また、前記ピースワイズリニア信号に基づき、負荷が前記重負荷のとき零、前記軽負荷であるとき前記所定の電流値となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき零と前記所定の電流値との間で線形に変化する電流Im13を出力電圧Voutから生成する。前記電流Im12と前記電流Im13との和を供給電流Isup1とし、これを制御回路Ctrl1に供給する。 (もっと読む)


【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第1のMOSトランジスタと、ゲート端子が第1のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、第1のMOSトランジスタのしきい値の絶対値とK値より高いしきい値の絶対値とK値を有する第2のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第3のMOSトランジスタと、第3のMOSトランジスタのしきい値の絶対値とK値より高いしきい値の絶対値とK値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第4のMOSトランジスタを備え、第3のMOSトランジスタと第4のMOSトランジスタのしきい値の絶対値とK値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 (もっと読む)


【課題】クランプ電圧を正確な値に設定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の電圧である電源を供給されて定電流を発生する定電流部60と、定電流部60で発生された定電流を供給されて第1の電圧より低い第2の電圧を発生し、第1の電圧の電源を第2の電圧にクランプするクランプ部71と、クランプ部71でクランプされた電源を供給されて基準電圧を発生する基準電圧発生部72とを有し、クランプ部71は、ゲートとドレインに接続され縦型接続された複数段のMOSトランジスタM11−1〜M11−nである。 (もっと読む)


【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Aは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のMOSトランジスタN1を用いて低電流を作り出し、基準電圧VREFを発生するMOSトランジスタN2、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各MOSトランジスタN3、N4、N7、及びその他の各MOSトランジスタN5、N6の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つMOSトランジスタN2、N3、N4、N7のゲート長LをMOSトランジスタP1、P2のゲート長Lよりも増大させている。これにより、各MOSトランジスタN2〜N7のドレイン電極−ソース電極間の電圧Vdsが0.1V以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧VREFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子4から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 (もっと読む)


【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第1の基準電圧を発生する第1の非線形素子1と、第2の基準電圧を発生する第2の非線形素子2と、出力電圧Voに基づいて第1の非線形素子1および第2の非線形素子2に流れる電流を制御する電流制御回路3と、電流制御回路3の出力電圧Voの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子6−1、6−2とを備える。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタMP5およびMP6が第1電源線N1およびノードN6間に直列接続されている。トランジスタMP5が起動電流Isをセンシングし、トランジスタMP6が基準電流Ipをセンシングする。電源電圧VDDが低下したとしても、両トランジスタMP5およびMP6には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路8には充電電流Ioが充電されにくくなる。したがって、電源電圧VDDが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタMP4が起動電流IsをノードN5に素早く供給でき、電流生成回路6は基準電流Ipを素早く生成できる。 (もっと読む)


【課題】電源の立ち上がりが遅くても安定に動作する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】PチャンネルMOSトランジスタMP1のソース電極Sを電源に接続し、そのドレイン電極DにデプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dを接続する。さらに、デプレッショントランジスタND1のソース電極Sを、抵抗R1を介して電位VSSとするとともに、PチャンネルMOSトランジスタとデプレッショントランジスタ双方のゲート電極Gを電位VSSとした電源起動回路部11を設ける。そして、PチャンネルMOSトランジスタMP1のドレイン電極DとデプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dの相互接続点を定電流回路部12及びスタートアップ回路部14の電源ノードとして、定電流回路部12及びスタートアップ回路部14に動作電源を供給する構成とする。 (もっと読む)


【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】FET1、2、3と、スイッチング素子であるスイッチ6〜9とで電源回路を構成している。FET1、2、3でカレントミラー回路を構成している。スイッチ6、7、8、9によって選択回路50が構成される。選択回路50は、スイッチ6〜9の切り替えにより、ミラー電流Ib2をオペアンプ4又はオペアンプ5のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ib1をオペアンプ4又はオペアンプ5のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ib1とミラー電流Ib2とを入れ替えて交互に、オペアンプ4、5にそれぞれ供給する。 (もっと読む)


【課題】電源回路が発熱により破壊されることを抑制する、電源回路の発熱による破壊を抑制する保護回路を提供する、占有面積の小さい保護回路及び電源回路を得る、作製コストの低い保護回路及び電源回路を得る。
【解決手段】電圧変換回路と、分圧回路及び保護回路を有する制御回路とを有し、保護回路は、温度が上昇するとオフ電流が増大する第1の酸化物半導体トランジスタと、オフ電流を電荷として蓄積する容量素子と、第2の酸化物半導体トランジスタと、非反転入力端子に参照電圧が入力されるオペアンプとを有し、第1の酸化物半導体トランジスタは、電圧変換回路又は制御回路の発熱する素子に隣接して配置される電源回路に関する。 (もっと読む)


【課題】何れかのバンドギャップ電圧基準回路内のバイポーラ素子に格子欠陥等の不具合が発生しても、基準電流の供給先の回路を安定に動作させることができる電流源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】シリコンSiのバンドギャップ電圧を利用して、基準電流Iref1,Iref2を出力するバンドギャップ電圧基準回路2,4と、バンドギャップ電圧基準回路2,4から出力された基準電流Iref1,Iref2の総和を基準電流Irefとして出力する電流出力回路5とを備える。 (もっと読む)


【課題】発光素子の駆動装置に与える基準電圧として、温度特性が良好で、電源電圧の変動に対して変動の少ない基準電圧を生成する。
【解決手段】基準電圧Vrefを発生する基準電圧発生回路100において、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数に依存して生じる負の温度係数を持った第1カレントミラー回路120と、前記負の温度係数に依存して生じる正の温度係数を持った第2カレントミラー回路140とを備えている。そして、電流減算回路150により、第1カレントミラー回路110の出力電流から、第2カレントミラー回路140の出力電流を減じた電流を作成し、これと比例する基準電圧Vrefを出力する。 (もっと読む)


【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のPMOSトランジスタを含む第1カレントミラー回路11、複数のNMOSトランジスタを含む第2カレントミラー回路12を備え、正の温度特性を有する第1電流を発生する第1電流発生回路10と、前記複数のNMOSトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第1電圧が入力され、前記第1電圧と等しい第2電圧を出力するフィードバック回路21を備え、前記第2電圧に基づいて負の温度特性を有する第2電流を発生する第2電流発生回路20と、前記第1電流と前記第2電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路30と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】温度特性の良い基準電圧回路を提供する。
【解決手段】ゲートとソースが接続された第一のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第三のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させ、ゲートとソースが接続された第二のデプレッショントランジスタに流れる電流に基づいた電流を、同じしきい値の第四のデプレッショントランジスタに流して、ゲートとソース間に電圧を発生させる。この二つの電圧の差電圧を基に基準電圧を発生させることで、温度変化に対して電圧変動の少ない基準電圧を得る。 (もっと読む)


【課題】負荷回路の温度依存性を低減することができる電流源回路及びその調整方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様である電流源回路100は、出力端子3、端子5、NチャネルMOSトランジスタNM1〜NMn、抵抗R1及び選択回路1を有する。NチャネルMOSトランジスタNM1〜NMnは、出力端子3及び端子5間に並列に接続され、ゲートに定電圧Viが印加され、それぞれ異なるディメンジョンを有する。抵抗R1は、NチャネルMOSトランジスタNM1〜NMnと端子5との間に接続される。選択回路1は、抵抗R1と出力端子3との間でNチャネルMOSトランジスタNM1〜NMnと直列に接続され、NチャネルMOSトランジスタNM1〜NMnと直列に接続され、NチャネルMOSトランジスタNM1〜NMnいずれかに選択的に出力電流を出力させる。 (もっと読む)


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