【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ３００へ出力する外部端子Ｔ１と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子Ｔ１から出力された基準電流に応じてテスタ３００により設定される外部端子Ｔ２と、テスタ３００により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部１４と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】付加する起動回路を小面積とし、高電源電圧でも低消費電流を実現した定電流回路を提供すること。
【解決手段】ＰＮＰ型のトランジスタＱ１，Ｑ２からなる第１のカレントミラー回路と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ１からなる第２のカレントミラー回路より構成された起動回路において、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ５とＮ型のＪＦＥＴトランジスタＪ１からなる起動回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路１８は、抵抗値の異なる抵抗Ａ１、Ａ２を含む抵抗部Ａと、抵抗Ａ１、Ａ２に現れる電圧Ｖ１、Ｖ２を比較して過電流保護信号Ｓ１を生成する比較部Ｂと、抵抗Ａ１、Ａ２にスイッチ素子１２の降下電圧（ＳＷ−ＰＧＮＤ）を印加する入力部Ｃと、電流値の等しい電流Ｉ１、Ｉ２を生成して抵抗Ａ１、Ａ２に供給する電流生成部Ｄとを有し、電流生成部Ｄは、抵抗Ａ１、Ａ２と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧ＢＧから基準電流Ｉｘを生成する抵抗Ｄ１０と；スイッチ素子１２と同一の温度特性を有しており、基準電流Ｉｘから基準電圧Ｖｘを生成する抵抗Ｄ７と；負の温度特性を有しており、基準電圧Ｖｘから基準電流Ｉｙを生成する抵抗Ｄ８と；基準電流Ｉｙから電流Ｉ１、Ｉ２を生成するカレントミラー（Ｄ１〜Ｄ４）と；を含む。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で電源電圧の状態に関係なく安定した動作を確保することができる起動回路を提供する。
【解決手段】本発明は、低電源電位を基準として動作するバイアス回路の電流源（電源電圧ＶＥ）と並列に配置されて起動電流を流すためのＰチャネルトランジスタＭＰ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと高電位電源との間に配置された第１のスイッチＳ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと低電位電源との間に直列に配置された抵抗Ｒ３と第２のスイッチＳ２と、を備え、第１のスイッチＳ１は定電流源のバイアス電圧でオン／オフし、第２のスイッチＳ２はシステム電源の起動に関する電源起動信号でオン／オフする。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】高温時でもエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 （もっと読む）

【課題】電流値の設定が容易であり、且つ、装置構成を簡素化することが可能な定電流回路の出力設定装置を提供する。
【解決手段】基準電流Ｉrefを流す基準電流発生回路１１と、基準電流Ｉrefに比例した電流を流すカレントミラー回路を少なくとも一つ備えた、４個のカレントミラー回路群、即ち、第１〜第４のカレントミラー回路群２１〜２４を備える。そして、各カレントミラー回路群２１〜２４は、それぞれ、基準電流Ｉrefに対してα倍、２α倍、４α倍、８α倍となる電流を出力する。そして、各カレントミラー回路群を適宜選択して負荷に接続することにより、該負荷に供給する電流値が所望の電流値となるように設定することが可能となる。このため、操作性を容易とし、且つ、装置構成を簡素化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】温度変化の影響を受けにくい過電流検出回路を提供する。
【解決手段】ダイオード列５５を設け、ダイオード列５５のアノード端をデプレッション型トランジスタＤＮＭ１のソース端子に接続するとともに、ダイオード列５５のカソード端とデプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板を基準電位に接続する。ダイオード列５５を構成する各ダイオードの順方向電圧をＶｆ、ダイオード列５５を構成するダイオードの数をｍ（ｍは１以上の整数）とすると、デプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板バイアス電圧Ｖｂは、Ｖｂ＝ｍ×Ｖｆとなる。ダイオードの順方向電圧Ｖｆは負の温度係数をもつから、基板バイアス電圧Ｖｂも負の温度係数をもつ。これにより閾値電圧に負の温度係数をもたせて、ドレイン電流Ｉ_Ｄの温度特性と相殺させる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】バイパス容量の容量値を大きくすることなく、供給電流の変動を抑制する。
【解決手段】負荷の状態に応じて予め設定したピースワイズリニア信号に基づき、負荷が重負荷のとき所定の電流値、軽負荷のとき零となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき前記所定の電流値と零との間で線形に変化する電流Ｉｍ１２を入力電圧Ｖｉｎから生成する。また、前記ピースワイズリニア信号に基づき、負荷が前記重負荷のとき零、前記軽負荷であるとき前記所定の電流値となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき零と前記所定の電流値との間で線形に変化する電流Ｉｍ１３を出力電圧Ｖｏｕｔから生成する。前記電流Ｉｍ１２と前記電流Ｉｍ１３との和を供給電流Ｉｓｕｐ１とし、これを制御回路Ｃｔｒｌ１に供給する。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】クランプ電圧を正確な値に設定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の電圧である電源を供給されて定電流を発生する定電流部６０と、定電流部６０で発生された定電流を供給されて第１の電圧より低い第２の電圧を発生し、第１の電圧の電源を第２の電圧にクランプするクランプ部７１と、クランプ部７１でクランプされた電源を供給されて基準電圧を発生する基準電圧発生部７２とを有し、クランプ部７１は、ゲートとドレインに接続され縦型接続された複数段のＭＯＳトランジスタＭ１１−１〜Ｍ１１−ｎである。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧回路１００を確実に起動させることができる。
【解決手段】電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前には、ｐＭＯＳトランジスタＰ６により電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を開放させている。このため、電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前に、抵抗素子Ｒ３ａによってコンデンサＣ１から電荷を放出させて、コンデンサＣ１のプラス電極の電位をｐＭＯＳトランジスタＰ４のゲート端子の電位の閾値よりも低くすることができる。電源電圧が上昇してｐＭＯＳトランジスタＰ６が電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を接続すると、ｐＭＯＳトランジスタＰ４がオンして、電源ＶｄｄからｐＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ４を通してスタートアップ電流をｎＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２のゲート端子に流すことができる。 （もっと読む）