【課題】回路の寄生インダクタンスとスイッチング素子の接合容量による高周波振動を抑制しつつ、スイッチング素子の損失の低減が可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】制御スイッチング素子4とダンピング抵抗3の並列接続で構成した振動制御部を電力変換回路の入力電源1と主スイッチング素子7の間に設置し、制御スイッチング素子4と主スイッチング素子7の間にはRon(S2)<E(Rg)x fsw /(D x I²)の関係を有しており、主スイッチング素子7がターンオフし、主スイッチング素子7の電流がゼロになった後に、制御スイッチング素子4をオフし、回路の寄生インダクタンス2と主スイッチング素子の接合容量間で発生する高周波振動をダンピング抵抗3で抑える。 （もっと読む）

【課題】共振回路の損失とコストとを低減し且つ小型化できる共振型コンバータ装置。
【解決手段】直流リンクの正極側と負極側とに接続され、コンデンサC5とコンデンサC6との第1直列回路と、第1直列回路の両端に接続されスイッチQ1とスイッチQ2との直列回路と、Q1に並列に接続されたコンデンサC1と、Q2に並列に接続されたコンデンサC2と、第1直列回路の両端に接続されスイッチQ3とスイッチQ4との直列回路と、商用電力系統と、Q1とQ2との接続点及びQ3とQ4との接続点とに接続されたLC回路15と、C5とC6との接続点とQ1とQ2との接続点との間に接続されスイッチQ5,Q6と共振用リアクトルL3との直列回路と、Q1とQ2とをＰＷＭ制御すると共にQ3とQ4とを交互に１８０度期間オンさせ、Q1及びQ2がオフ期間にQ5,Q6をオンさせC1とC2とL3との共振動作によりゼロ電圧スイッチングを行う制御回路13とを備える。 （もっと読む）

【課題】逆耐圧を有するＩＧＢＴの短絡保護回路として、ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードを接続して、過電流時コレクタ電圧が上昇した時、ゲート遮断する方式では、駆動回路に逆電圧がかかり破壊される。
【解決手段】ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードと抵抗の直列回路を接続し、さらにゲート信号遮断用トランジスタのエミッタと制御端子に接続した定電圧ダイオードのカソードとの間にダイオードを設ける。 （もっと読む）

【課題】自動車用半導体ヒューズの低消費電流化を図ると共に通電電流が非常に小さい場合のスイッチングを可能とする車両の電源供給装置及び電源供給方法を提供する。
【解決手段】電源と負荷との間に半導体リレーが配置された車両の電源供給装置において、第１の半導体リレー１１と、第２の半導体リレー１２と、第１の半導体リレー駆動用の昇圧器１１４を有しかつ第１の半導体リレー及び第２の半導体リレーを制御する制御部１００と、を備え、車両の定常状態においては昇圧器を介して第１の半導体リレーを駆動して負荷に電力を供給すると共に、車両の特定の状態を検出した場合に第１の半導体リレーの駆動に変えて第２の半導体リレーを駆動させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路への電源供給がなくても、負荷駆動システムにおける負荷開放状態が検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、負荷装置４をスイッチング制御するためのパワー半導体素子１、および負荷装置４の異常を検出する半導体集積回路２を備え、さらにパワー半導体素子１の出力端子電圧を抵抗分圧するプルダウン用の分圧回路２０、分圧回路２０を構成するプルダウン用抵抗１４，１５から電源供給を受けて負荷装置４の開放検出を行うＭＯＳＦＥＴ１６、および半導体集積回路２から出力される異常信号によってオン、あるいはオフ動作するＭＯＳＦＥＴ１７が内蔵されている。また、負荷装置４の開放状態の検出結果を外部に出力する状態出力端子１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】装置仕様と異なる高電圧の電力が画像形成装置に供給された場合でも、電源装置に過電圧が印加されることを簡単かつ確実に防止する。
【解決手段】画像形成装置１に設けられたＰＬＣ部（電源制御装置）７が、電力線３４を介して他の装置との通信を行うＰＬＣ通信・電源制御部４２と、電力線と電源部（電源装置）１５との間に介在し、電源部に電力線から供給される電力のオンオフを切り替えるサブ電源スイッチ４３とを備え、ＰＬＣ通信・電源制御部は、電圧検出部の検出結果に基づきサブ電源スイッチの動作を制御し、電圧検出部で検出された電圧が画像形成装置の仕様電圧と異なる場合、サブ電源スイッチをオフ状態のままとして電源部に電力を供給しないようにする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを小さくすると共に、製造コストが嵩むことのないスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】電力変換回路のスイッチング素子を流れる電流を電圧値として検出する電流検出回路４０と、該電流検出回路４０で検出した電圧値と第１の基準電圧Ｖｂ１とを比較して過電流状態を検出したときに過電流検出信号を出力して前記駆動回路の前記スイッチング素子の制御端子に対するソース電流の供給を停止させる過電流状態制御部５０と、前記電流検出回路４０で検出した電圧値と第２の基準電圧Ｖｂ２とが入力され、出力が前記駆動回路の出力側に供給されると共に、前記過電流状態制御部５０から過電流検出信号が出力されたときに動作状態となる演算増幅器６１を有し、該演算増幅器６１が動作状態となったときに前記駆動回路２３の出力電圧を前記第２の基準電圧に合わせて安定化する出力電圧制御部６０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】瞬低装置に備えられたサイリスタのゲートドライブ回路においては、通常運転時における信頼性をさらに向上させることが要求される。
【解決手段】瞬低装置に備えられたサイリスタＳ１，Ｓ２を制御するサイリスタのゲートドライブ回路に、１次側が制御用電源３に接続され、２次側が前記サイリスタＳ１，Ｓ２と並列に接続されたフォトカプラＰＣ１，ＰＣ２を設ける。前記サイリスタＳ１，Ｓ２の制御方法としては、前記サイリスタＳ１，Ｓ２をオン状態とする場合、前記フォトカプラＰＣ１，ＰＣ２をオフにし、商用電源１から出力された電流をサイリスタＳ１，Ｓ２のゲートに印加する。一方、前記サイリスタＳ１，Ｓ２をオフとする場合、前記フォトカプラＰＣ１，ＰＣ２をオンにし、商用電源１から出力された電流をサイリスタのゲートに印加させないようにする。 （もっと読む）

【課題】軽負荷時においてもスイッチング素子を駆動する回路への電力供給を安定して行うことができる低廉なブートストラップ型スイッチング電源回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１と、スイッチング素子１のソースに一端が接続されるブートストラップ用コンデンサＣ１を有するブートストラップ回路と、前記ブートストラップ回路から出力されるブートストラップ電圧Ｖ_Bを利用してスイッチング素子のゲートに供給する駆動信号を生成するドライブ回路４と、スイッチング素子１のソースとグランドとの間に設けられる電圧制御用ＤＭＯＳ５と、電圧制御用ＤＭＯＳ５を流れる電流を制限する電流制限部（電圧検出用ＤＭＯＳ６、電圧検出用ＮＭＯＳ７、電圧検出用抵抗８、コンパレータ１１、ＤＭＯＳドライバ９）とを備えるスイッチング電源回路。 （もっと読む）

【課題】定格動作において可能な限り損失出力が小さく、不均衡で非対称な減衰を発生させ、これにより給電網インピーダンスが関与する共振と、これに関連する過電圧とを回避する回路装置の実現。
【解決手段】ラインフィルタ用チョークは、１次巻線（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び２次巻線１ｄを有し、１次巻線（１ａ、１ｂ、１ｃ）は、チョークと１次側回路２と接続する為のものであり、又２次巻線１ｄは２次側回路４を有し、１次巻線（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び２次巻線１ｄは１つの巻線コア３に配置されて、２次側回路４には減衰部材（５ａ、５ｂ、５ｃ）が含まれ、これら減衰部材（５ａ、５ｂ、５ｃ）は、チョークを用いて１次側回路２において減衰を行う形式のチョークにおいて、減衰部材（５ａ、５ｂ、５ｃ）には、１次側回路特性量に応じて前記減衰を行う手段が含まれて、１次側回路特性量は、例えば、１次側回路の電圧又は電流又は周波数であるチョークの構成。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力回路に接続された短絡検出回路を用いて短絡検出を行い、従来の不要な電圧降下を防止することを目的とする。
【解決手段】本発明による出力回路短絡保護回路は、駆動制御回路(15)へ出力駆動信号(6)が入力されると、短絡検出用駆動回路(11)が駆動され、短絡検出回路(14)からの検出信号(14a)により出力回路(4)の短絡有無を検出した後に出力駆動回路(10)を駆動させる構成である。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の素子を使用せずに過電圧からの保護を可能にした低コストの保護回路を提供する。
【解決手段】双方向スイッチ１を過電圧から保護する保護回路において、順方向に直列接続された第１，第２のダイオード２，３の直列接続点を双方向スイッチ１の一端に接続し、かつ、順方向に直列接続された第３，第４のダイオード４，５の直列接続点を双方向スイッチ１の他端に接続すると共に、第１のダイオード２と第３のダイオード４とを逆方向に直列接続し、かつ、第２のダイオード３と第４のダイオード５とを逆方向に直列接続し、第１，第２のダイオード２，３の直列回路に並列に第１のコンデンサ７を接続すると共に、第３，第４のダイオード４，５の直列回路に並列に第２のコンデンサ６を接続する。 （もっと読む）

【課題】 負側電源の故障が発生しても、絶縁ゲート型半導体素子が誤オン動作しないような安全な絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を得る。
【解決手段】 正側電源２Ａと負側電源２Ｂで動作し、絶縁ゲート型半導体素子３のゲート駆動を行うＦＥＴ１２Ａ及びＦＥＴ１２Ｂから成るトーテムポール回路と、ゲート制御ＩＣ１１と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ａのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ａ及び抵抗１４Ａから成る直列回路と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ｂのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ｂ及び抵抗１４Ｂから成る直列回路とで構成し、ツェナーダイオード１５Ａの降伏電圧は、正側電源の電圧からＦＥＴ１２Ａのゲートしきい値電圧を減算した値より大きく、ツェナーダイオード１５Ｂの降伏電圧は、負側電源の電圧からＦＥＴ１２Ｂのゲートしきい値電圧を減算した値より小さく選定する。 （もっと読む）

【課題】単一の回路構成により電流形インバータやマトリクスコンバータ等の各種電力変換装置への適用を可能にして汎用性、経済性を高めた電力用半導体スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】逆耐圧性電力用半導体スイッチを複数備えた電力用半導体スイッチモジュールにおいて、自己消弧形半導体スイッチ素子１１（１２）とダイオード２１（２２）とを直列接続して逆耐圧性電力用半導体スイッチ６１〜６６を構成し、これらを各２個直列接続してなる直列回路の両端、及び、この直列回路内の逆耐圧性電力用半導体スイッチ同士の直列接続点を、外部接続用の端子Ａ〜Ｆ，Ｇ〜Ｉにそれぞれ接続してモジュール１００Ａを構成する。 （もっと読む）

【課題】電力供給制御装置において、異常を精度高く検出しうる構成を提供する。
【解決手段】 電力供給制御装置１０は、パワーＭＯＳＦＥＴ１５と、パワーＭＯＳＦＥＴ１５の電流量に応じたセンス電流が流れるセンスＭＯＳＦＥＴ１６と、センス電流と閾値電流とに基づいて、パワーＭＯＳＦＥＴ１５に流れる電流の異常検出を行う異常検出回路１３とがワンチップ化されて半導体スイッチ素子１１が構成されている。半導体スイッチ素子１１の外部には、パワーＭＯＳＦＥＴ１５のソース端子に接続され、他端が、半導体スイッチ素子１１の外部端子Ｐ４と接続され、一端の接続点の電圧レベルＶｓに応じた電流を、外部端子Ｐ４を通して流す外付け抵抗１２が設けられている。異常検出回路１３は、外部端子Ｐ４に接続されると共に、外部端子Ｐ４を通して流れる電流に応じた閾値電流Ｉａ、Ｉｂと、センス電流とを比較することに基づき異常信号ＳＣ，ＯＣを出力する。 （もっと読む）

【課題】 比較的安価な回路構成で、第１および第２端子間に過電圧がかからないようにすることが可能なスナバ装置を提供する。
【解決手段】 スナバ装置は、IGBT１のコレクタ−エミッタ間に並列接続されるIGBT２と、IGBT２のコレクタ−エミッタ間電圧に相関する電圧を検知する電圧検知回路３と、電圧検知回路３の検知結果に基づいてIGBT２のゲート電圧を制御して、IGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧を制御する電圧制御回路４とを備えている。IGBT１のターンオフ時に、IGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧が所定電圧を超えたか否かを電圧検知回路３で検知し、所定電圧を超えた場合には、IGBT１に並列接続されたIGBT２に主電流の一部を迂回させるようにしたため、ターンオフ時にIGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧が所定電圧以上にならなくなる。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置のスイッチング手段または整流手段として用いられる半導体スイッチ回路の発生損失を低減する。
【解決手段】 逆並列接続される外付けダイオードまたは内蔵ダイオードを還流ダイオードとするSiCを素材とする静電誘導トランジスタを主スイッチ素子に並列に接続し、オン・オフ制御のタイミングを主スイッチ素子に同期させる。 （もっと読む）