【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワー素子の過電流を速やかに抑制しつつ、ｄｉ/ｄｔを小さくしてパワー素子をオフすることができるゲート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート回路は、パワー素子の過電流発生と同時にパワー素子のゲート電圧の一部を抵抗素子に負担させる過電流抑制手段を有する。さらに、パワー素子の過電流を抑制した後は、抵抗値の高い抵抗素子を用いてパワー素子をゆっくりオフするオフ動作遅延手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、構成素子の耐電圧化を図ることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】 半導体スイッチ７は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、逆電圧印加回路６と、を備えている。逆電圧印加回路６は、補助電源１２と、高速還流ダイオード４と、補助素子５と、コンデンサ１３と、を有している。高速還流ダイオード４は、多直列に接続された複数のダイオード１５で形成されている。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】リカバリサージ電圧の発生を抑制することにより素子破壊を防ぐ、スイッチング回路、ハーフブリッジ回路および三相インバータ回路提供すること。
【解決手段】回路開閉端子と制御信号用端子とボディダイオードとを有する第１および第２のスイッチング素子が逆直列に接続された直列回路と、直列回路に第１のスイッチング素子のボディダイオードと同じ導通方向で並列に接続された外付けダイオードと、第１のスイッチング素子に流れる電流方向を検出する電流検出回路と、電流検出回路で検出した電流方向が第１のスイッチング素子のボディダイオードに対して順方向に流れる場合には第１および第２のスイッチング素子を閉制御し、電流検出回路で検出した電流方向が第１のスイッチング素子のボディダイオードに対して逆方向に流れる場合には第１および第２のスイッチング素子をゲート信号に基づいて開閉制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源回路における回路素子の破壊を防止することが可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷駆動装置の構成として、電源回路の出力端子と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源回路の出力端子に回生させる逆起電流回生回路と、前記電源回路の出力電圧が予め設定された閾値以上となった場合に、前記第２のスイッチング素子をオンにする回路素子保護回路と、を備えた構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】異常停止時においても主素子の逆並列ダイオードを通流させることで、還流ダイオードにおける発熱を抑え、還流ダイオードの冷却が容易にした電力変換装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体スイッチ制御装置は、各相のアーム毎に、主素子３の負極と補助素子５の負極とを接続して主素子の正極を正極端子７とし、補助素子の正極を負極端子８とし、正極端子と負極端子との間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように還流ダイオード４を並列接続した半導体スイッチに対して、主素子と補助素子とをそれぞれ個別にＯＮ／ＯＦＦ制御する。 （もっと読む）

【課題】外部直流電源の逆接続や負サージの印加を認識し、確実に電子制御装置に過電流が発生することを防止できる電源逆接続保護回路を提供する。
【解決手段】外部直流電源の高電位側端子２と低電位側端子３とに接続される整流器１２が備えられる。この整流器１２の高電位側ノード１３及び低電位側ノード１４は逆接続保護制御回路１１に接続される。外部直流電源の逆接続状態でも、整流器１２は高電位側ノード１３に高電位を発生し、低電位側ノード１４に低電位を発生する。従って、逆接続保護制御回路１１の比較器１５は、電源端子３とグランド端子５への外部直流電源の逆接続状態を判定し、逆接続保護素子駆動回路１６は逆接続保護素子１０を確実にオフ動作させる。その結果、グランド端子５から電源端子３への過電流は確実に防止される。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードが小電流で逆回復する時のサ−ジ電圧や振動電圧を抑制するために、対向アームのＩＧＢＴのゲートオン抵抗を大きくする方法があるが、定常時の損失が大きくなる課題がある。
【解決手段】ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。従って、還流ダイオードの順方向電流が小さい時だけ、ゲート条件を切替えるので、定常時の損失は大きくならない。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収させるに際して所望の還元電流特性を得つつ、過度な発熱が生じるのを防止できるような誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子２８と、第２のスイッチング素子３０と、外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１のスイッチング素子がオフ、第２のスイッチング素子がオンされるとき、誘導性負荷の逆起電圧によって生じる逆起電流をアースに還流させる還流回路１８と、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電圧を外部供給電源１２に吸収させると共に、逆起電圧を吸収する逆起電圧吸収回路２０と、逆起電圧吸収回路２０に介挿されると共に、逆起電圧吸収回路２０に吸収される逆起電圧の電圧量を切り換える切換手段５２を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】過電流検出用抵抗の電源側と過電流制御回路とが遮断された場合にも、過電流保護を可能とする電源回路を提供すること。
【解決手段】負荷に対する過電流を検出した場合に、電源の供給を遮断する電源回路において、前記負荷に対する過電流を検出し、前記負荷と過電流検出用抵抗との間に設けられたスイッチ素子のオン／オフを制御する過電流制御回路と、前記過電流検出用抵抗の電源側の端子と前記過電流制御回路との遮断を検出する検出回路とを有し、前記検出回路は、前記遮断を検出したとき、前記スイッチ素子をオフとする。 （もっと読む）

【課題】ターンオフ時に出力端子に発生する逆起電圧に対して、電源の逆接続回路の影響を受けずに過電圧保護回路が正常に動作する電力供給制御回路を提供することである。
【解決手段】第１電源ライン１０１と出力端子１０６との間に接続される出力トランジスタ１０９と、出力端子と第２電源ライン１０２との間に接続される負荷１１２と、出力トランジスタ１０９の制御端子と第１電源ライン１０１との間に接続され負荷からの逆起電圧に対して導通状態となるスイッチトランジスタ１１０を含んで構成される過電圧保護回路と、電源が電源ラインに逆方向に接続された場合は出力トランジスタの制御端子に対して電気通路を形成し、一方、正常に接続された場合はその電気通路を負荷からの逆起電圧に対しても遮断状態とする電源逆接続保護回路（１１４、１１５、１２１、１２２）を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】負荷サージ電圧に対する出力トランジスタ保護のために設けた過電圧保護回路が、電源の逆接続時に誤動作してしまい、電源逆接続保護回路を設けたにもかかわらず出力トランジスタを非導通にしてしまうことを防止した電力供給制御回路を提供することにある。
【解決手段】第１電源ライン１０１と出力端子１０６との間に接続される出力トランジスタ１０９と、出力端子と第２電源ライン１０２との間に接続される負荷１１２と、出力トランジスタ１０９の制御端子と第１電源ライン１０１との間に接続され負荷からの逆起電圧に対して導通状態となるスイッチトランジスタ１１０を含んで構成される過電圧保護回路と、電源が電源ラインに逆方向に接続された場合は出力トランジスタの制御端子に対して電気通路を形成する電源逆接続保護回路とを備え、さらに、スイッチトランジスタ１１０の与える基準電圧として、電源が正常に接続された場合は第２電源ラインの電圧とし、電源が逆に接続された場合は第１電源ラインの電圧とする基準電圧制御回路１３１を設けた （もっと読む）

【課題】抵抗素子と容量素子との並列回路が半導体スイッチング素子のコレクタ−ゲート間に設けられている構成において、容量素子が過充電されないように放電経路を確保することができる、スイッチング装置の提供を目的とする。
【解決手段】半導体スイッチング素子Ｑ１のスイッチング装置であって、半導体スイッチング素子Ｑ１のコレクタ−ゲート間に設けられ、並列接続された抵抗素子Ｒ１と容量素子Ｃ１とを有する並列回路と、前記並列回路と前記コレクタとの間に設けられ、前記コレクタ側の向きに自身に印加される電圧が第１の基準値を超えると前記並列回路側の向きに電流を流すツェナーダイオードＺ１，Ｚ２と、前記並列回路と前記コレクタとの間に設けられ、前記並列回路側の向きに自身に印加される電圧が第２の基準値を超えると前記コレクタ側の向きに電流を流すツェナーダイオードＺ３とを備えることを特徴とする、スイッチング装置。 （もっと読む）

【課題】 実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】 インダクタ負荷（Ｒ_Ｌ）を駆動するバイポーラトランジスタ（ＴＲ）のサージ吸収保護回路（１００）において、前記インダクタ負荷はバイポーラトランジスタのコレクタ（Ｃ）に接続され、前記バイポーラトランジスタに対して双方向ツェナーダイオード（ＺＤ）と第一抵抗（Ｒ_Ｂ）を導線（１０４）により並列に設け、前記バイポーラトランジスタのエミッタ（Ｅ）により導線（１０３）をアース（ＧＮＤ）し、前記第一抵抗（Ｒ_Ｂ）の他端側は導線（１０５）により導線（１０３）に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗間の導線（１０４）にバイポーラトランジスタのベース（Ｂ）に接続する導線（１０６）を分岐させ、この導線（１０６）の他端に第二抵抗（Ｒ_２）を設けた構造のインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路。 （もっと読む）

【課題】実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】インダクタ負荷Ｒ_Ｌは導線１０１に接続され、他端は導線１０２により電界効果トランジスタＦＥＴのドレインＤに接続され、電界効果トランジスタに対して双方向ツェナーダイオードＺＤと第一抵抗Ｒ_ＧＳを導線１０４により並列に設け、電界効果トランジスタのソースＳより導線１０３をアースし、第一抵抗Ｒ_ＧＳの他端側は導線１０５により前記導線１０３に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗Ｒ_ＧＳ間の導線１０４に電界効果トランジスタのゲートＧに接続する導線１０６を分岐させ、この導線１０６の他端に第二抵抗Ｒ_２を設けたインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路１００。 （もっと読む）

【課題】スイッチングパワーデバイスのオンオフ時におけるサージ電圧からのスイッチングパワーデバイスの保護と、スイッチング損失の低減との両立を図ることができる電力変換装置のゲート抵抗配置構造を提供する。
【解決手段】電力変換装置の使用開始からの経過時間に応じて大きな温度上昇が生じるスイッチングパワーモジュール１と同じ基板１５の実装面にこれと隣接して、あるいは、スイッチングパワーモジュール１と反対側の基板１５の面にこれと対向して、ゲート抵抗３を実装、配置する。ゲート抵抗３には、スイッチングパワーモジュール１がいかなる温度であってもサージ電圧がスイッチングパワーモジュール１の耐電圧値以内に収まるような、温度変化に対する抵抗値変化の特性を有するものを使用する。望ましくは、サージ電圧に対してスイッチングパワーモジュール１の耐電圧値が過剰なマージンを持つことにならないような特性のゲート抵抗３を用いる。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子がターンオフ時に故障しないようにする。
【解決手段】サイリスタ素子２の制御電極３のゲート電圧を正電位にする順バイアス電圧手段５と、負電位にする逆バイアス電圧手段６とを具備したサイリスタ用ゲート駆動装置において、サイリスタ素子の主電極に流れる陽極電流又は陰極電流の電流値を監視する電流監視手段１０と、この電流監視手段で検出された電流値が入力され、この入力された電流のサイリスタ素子がターンオフ開始直前の電流値が、サイリスタ素子のオン電流最大定格値に対してどのくらいの割合であるかを演算する電流演算手段１１と、この電流演算手段の出力値に対応して、サイリスタ素子の制御電極に印加するゲート電圧の逆バイアス定常値を制御する逆バイアス定常値制御手段１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路でありながら電圧抑制効果が高く、電力損失が少ないだけでなくスナバエネルギーの回生先となる直流電圧源が存在しない回路部分にも適用可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】過電圧及び逆電圧に対する保護を行う。
【解決手段】保護回路１は、エミッタが入力側端子と接続されるトランジスタ２と、ゲートがトランジスタ２のコレクタと接続される一方でドレインが前記入力側端子に接続されるＦＥＴ素子Ｑ１と、ゲートがトランジスタ２のコレクタと接続される一方でドレインが出力側端子に接続されるＦＥＴ素子Ｑ２と、トランジスタ２のベースと接続されると共に前記出力側端子の電圧の分圧と基準電圧とを比較する誤差検出部３とを備える。前記出力側端子の電圧の分圧が前記基準電圧よりも高い場合には誤差検出部３から供給された電流によるトランジスタ２のコレクタ電流の増加に起因するゲート電圧の上昇に基づきＦＥＴ素子Ｑ１はドレイン電圧を低減させる。一方、前記入力側端子と前記出力側端子との間に逆電圧が印加された場合にはＦＥＴ素子Ｑ１，Ｑ２は非導通状態となる。 （もっと読む）