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Fターム[5J006LA03]の内容

導波管型周波数選択装置及び共振器 (8,426) | 目的 (1,812) | 特性良好化 (679) | スカート特性急峻化(分離性向上) (208)

Fターム[5J006LA03]に分類される特許

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【課題】 共振パターンの特定箇所への電流集中が生じにくく、かつ実際のフィルタ特性の、設計値からのずれが生じにくい高周波フィルタを提供する。
【解決手段】 誘電体基板の主表面上に導電材料で形成された円形の平面形状を持つ共振パターン(21)が形成されている。共振パターンの中心を通過し、相互に直交する第1及び第2の仮想直線を定義する。第1の仮想直線と、共振パターンの外周線との2つの交差箇所において、それぞれ第1の入力ポート(22)及び第1の出力ポート(23)が、共振パターンと電磁気的に結合する。第2の仮想直線と、共振パターンの外周線との2つの交差箇所において、それぞれ第2の入力ポート(24)及び第2の出力ポート(25)が、共振パターンと電磁気的に結合する。第1のポート間導波路(26)が、第1の出力ポートに出力された高周波信号を第2の入力ポートまで伝搬させる。 (もっと読む)


【課題】Stepped Impedance Resonatorの高インピーダンスのストリップラインを二股にわけることで、広い帯域幅と通過域高域での有極特性を両立する積層フィルタを提供する。
【解決手段】誘電体シート1f上に共振器の低インピーダンスのストリップライン2a,2b,2c、誘電体シート1c,1d上に高インピーダンスのストリップライン3a,3bおよび4a,4bをそれぞれ形成する。次にそれらの一端をビア電極6a,6b,6c,6dで接続して、高インピーダンスのストリップライン他端は側面シールド電極14aに接地することで、4分の1波長共振器を構成している。ここで2段目の共振器の低インピーダンス線路を構成するストリップライン2bに対しては二本の高インピーダンス線路としてストリップライン3a,3bが接続されて二股SIRを構成している。 (もっと読む)


【課題】Stepped Impedance Resonatorの隣接した高インピーダンスのストリップライン型共振器上の短絡端から管内波長の1/8以下なる位置を、同じく管内波長の1/8以下なる長さのストリップラインで連絡することで、広い帯域幅と通過域高域での有極特性を両立する積層フィルタを提供する。
【解決手段】共振器の低インピーダンス線路16a,16b,16cとして、誘電体シート1e上にストリップライン2a,2b,2cを、高インピーダンス線路17a,17b,17cとして、ストリップライン3a,3b,3cをそれぞれ誘電体シート1c上に形成する。次にそれらの一端をビア電極4a,4b,4cで接続して、前記ストリップライン3a,3b,3cの他端を側面シールド電極14aに接地することで、4分の1波長共振器を構成している。 (もっと読む)


【課題】簡便で安価な構成で、過密な周波数使用状況下において、隣接チャンネル波による受信障害を効果的に防止できる有極型帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】信号伝送路86上に第一誘電体共振器CV2と主共振キャパシタVC2とが並列共振結合され、第二減衰極を形成するための主並列共振部と、当該主並列共振回路と直列共振するキャパシタ又はインダクタからなる直列共振結合素子C2を有する主直列共振部とを備えた主回路Aを設ける。また、信号伝送路86から接地側に分岐する形で、インダクタをなす第二誘電体共振器CV1とトラップ用共振キャパシタVC1とを並列共振結合し、主直列共振部の直列共振通過ピークと重なる位置に第一減衰極を形成するトラップ回路Bを設ける。さらに、減衰調整用キャパシタC3,C4を有し、通過域の低域側及び高域側に隣接する阻止域の基底減衰量を調整する基底減衰量調整回路Cを設ける。 (もっと読む)


【課題】導波管外に突出する部分がなく、加工が容易で、スプリアス特性に優れた帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】導波方向の断面が略矩形の矩形導波管2内に、E面と平行に梯子状の金属板1を設置した帯域通過フィルタであって、矩形導波管2内には、金属板1を挟んで対向する壁面に、管幅を規制するアイリス21が少なくとも一つ設けられている。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でデュアルモードを発生させることができ、かつ安定してフィルタ特性を調整することが可能なバンドパスフィルタを提供する。
【解決手段】バンドパスフィルタは、誘電体ベース基板(11)と、前記誘電体ベース基板上に形成されるディスク型共振器(12)と、前記誘電体ベース基板上の一部に、前記ディスク型共振器と同じ平面内で配置される誘電体ブロック(15)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 UWB用のバンドパスフィルタとして適度な通過帯域幅を有し、通過帯域の両側近傍に減衰極を有するバンドパスフィルタを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層11が積層されてなる積層体と、積層体の上下面に配置された第1および第2のアース電極21,22と、この一つの層間に横並びに配置された帯状の第1の共振電極30a,30b,30c,30dと、この上側の層間に入力段の共振電極30aに対向するように配置された入力結合電極40aと出力段の共振電極30dに対向するように配置された出力結合電極40bと、この下側の層間に配置され入力段の共振電極30aおよび出力段の共振電極30dに略均等に電磁界結合するようにそれぞれの共振電極に対向する領域を有する共振電極結合導体32と、さらに下側の層間に第1の共振電極とは異なる長さに形成された第2の共振電極33a,33bとを含むバンドパスフィルタである。 (もっと読む)


【課題】 UWB用のフィルタに適した、通過帯域が広く、通過帯域の外側により急峻な減衰特性を有するフィルタ装置を提供する。
【解決手段】 誘電体層1aが積層された積層体1と、積層体1を挟んで対向して配置された接地電極2a・2aと、積層体1内で互いに電磁界結合するように横並びに整列され、短絡端と開放端を有する複数の共振器電極3(3a〜3d)と、共振器電極3の1つと電磁界結合するように配置され、短絡端および開放端を有する減衰共振器電極4と、共振器電極3の初段3aに接続された入力端子電極5と、共振器電極3の最終段3dに接続された出力端子電極6とからなり、減衰共振器電極4は開放端が複数に分岐した形状であり、短絡端から分岐した開放端の各先端までの長さがそれぞれ異なるフィルタ装置である。各先端までの長さに応じた複数の減衰極を形成でき、急峻な減衰特性を有するフィルタ装置とすることができる。 (もっと読む)


【課題】 通過帯域の低域側の極位置を調整して、減衰量の跳ね返りの量をコントロールした誘電体フィルタを提供する。
【解決手段】
誘電体フィルタを構成する誘電体ブロックの所要外周面に形成された外導体膜のうち、開放端側付近を枠状に除去して、該外導体膜から絶縁された島状電極を形成する。この島状電極の両端部を削って、外導体膜からの間隔を広げる。島状電極は、長方形状に形成すると、基本的な通過帯域に影響を及ぼすことの無い特性調整が可能となる。 (もっと読む)


【課題】通過帯域の両側にゼロ点を持ち、急峻なスカート特性を実現できる並列接続型共振器フィルタ回路を提供することである
【解決手段】入力端子と、出力端子と、それぞれが前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、互いに共振周波数が異なると共に、隣接する共振周波数の共振信号がほぼ逆相になっている、複数の共振手段と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、電気的な結合もしくは磁気的な結合を持つ第1結合回路と、を備えることを特徴とするフィルタ回路。 (もっと読む)


【課題】フィルタの大幅な小型化を実現する。
【解決手段】フィルタ10は、入力端子21と出力端子22とを接続する線路20と、線路20に接続される共振器30と、線路20に接続されるリアクタンス素子40とを備える。共振器30は、インターディジタル結合された一対の共振器31,32を含み、共振器31の短絡端は線路20に接続されている。フィルタ10の通過周波数において、共振器30とリアクタンス素子40は、線路20とグランドとの間に並列共振回路を等価的に形成する。フィルタ10の遮断周波数において、共振器30は、線路20とグランドとの間に直列共振回路を等価的に形成する。一対の共振器31,32の結合の度合いを強めることで、共振器30の物理的なサイズを大幅に小型化できる。 (もっと読む)


電磁バンドギャップ(EBG)構造は絶縁材で形成された基板を含んでいる。複数の同一の平面伝送線路セグメントが、基板に埋め込まれた導体層の一つ下の別の層で形成される。垂直遷位は、複数の平面伝送線路セグメントを一つずつ接続する。隣り合う垂直遷位は、伝送線路セグメントと平行方向に所定の距離で等しく間隔をあけられ、その結果、垂直遷移が、EBG構造を形成する周期的な内包物として機能する。
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【課題】目的の通過帯域のみを通過させ、目的外の周波数の減衰率を大きくとることができ、しかも小型化が可能な帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】BAWフィルタ1は、圧電体層10を上部電極12および下部電極11の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。平面パターンフィルタ2は、BAWフィルタ1と共通の基板3に形成され誘電体層20を介して地導体層21および帯状の信号導体層22を積層した伝送線路23と、信号導体層22の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路24とを有しBAWフィルタ1の阻止帯域を減衰させる。BAWフィルタ1と平面パターンフィルタ2とは信号導体層22を介して接続される。スタブ回路24は、信号導体層22から離間したローディング部24aと、一端が伝送線路23に連続し他端がローディング部24aに連続するタップ部24bとを備える。 (もっと読む)


【課題】挿入損失の増加及び装置の大型化を抑え、簡易な構成で通過帯域の高域側及び低域側の減衰特性を改善した高周波フィルタを提供する。
【解決手段】半同軸共振器111乃至115と対応する複数の空洞が形成された導電性筺体と、半同軸共振器111乃至115が電界結合でひと続きに結合するよう複数の空洞を連通させる第1の結合窓155乃至158と、連通させた複数の空洞のうち、両端の空洞と予め選択された空洞とを連通させる第2の結合窓159及び160と、電界結合でひと続きに結合された半同軸共振器111乃至115のうち、両端の半同軸共振器111及び115を予め選択された半同軸共振器113を介して磁界結合で結合させる結合部151a及び152aとを備え、結合部151a及び152aが第2の結合窓159及び160にそれぞれ配置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型で急峻な阻止特性を有し、阻止周波数と阻止周波数の発生個数とを任意に設定できる帯域阻止フィルタを提供する。
【解決手段】帯域阻止フィルタは、誘電体下面にグランド層が形成された高周波回路基板3と、高周波回路基板3の誘電体上面に形成され、高周波信号を伝送する主マイクロストリップ伝送線路5と、高周波回路基板3の誘電体上面に、主マイクロストリップ伝送線路5に電気長で通過中心周波数の略1/4波長となるマイクロストリップ伝送線路を平行配置して結合線路を形成し、前記マイクロストリップ伝送線路の両端に略同一の線路幅及び線路長を有するマイクロストリップ伝送線路からなる開放スタブ6bが電気的に接続された共振器7とを備え、共振器7の阻止周波数を任意に設定するための開放スタブ7bの線路幅、または、共振器7の阻止周波数の発生個数を任意に設定するための開放スタブ6bの線路長の少なくとも一方を変化させる。 (もっと読む)


【課題】波長の短い周波数帯域において、製造が容易で、阻止帯域において不要モードの伝搬が無く良好な減衰特性を有するトリプレート線路構造の低域通過フィルタを得る。
【解決手段】2つの地導体10を両主面に備えた平板状の誘電体層20と、誘電体層の内部に地導体と略平行に配置された主線路ストリップ導体30と、主線路ストリップ導体30と近接配置されることにより容量性結合するとともに、2つの地導体10のそれぞれと層間接続導体60を介して電気的に接続される複数の短絡構造体70とを備え、複数の短絡構造体70は、主線路ストリップ導体30の両側および長手方向に配列されるとともに、隣接する2つの短絡構造体70のそれぞれに含まれる層間接続導体60同士の間隔が阻止帯域における波長の1/2波長以内となるように配列される。 (もっと読む)


【課題】グラウンド電極及びチップ本体の外形形状に起因する所望でないスプリアスを抑圧し、良好な伝送特性を得ることを可能とする。
【解決手段】上面、下面、一対の側面及び対向し合う第1,第2の端面を有する矩形板状のチップ本体2内に共振器電極3を配置し、共振器電極3と結合もしくは接続し、上下方向に延びる入力電極6及び出力電極7と、共振器電極3を囲む筒状部分を構成するようにチップ本体2に設けたグラウンド電極10とを備え、入力電極6及び出力電極7が上記筒状部分の端部もしくは内側において、グラウンド電極10には電気的に接続されないように配置し、入力電極6及び/または出力電極7の両側に近接し、前記グラウンド電極10の前記チップ本体2の一対の側面に位置する電極部分、前記入力電極6及び前記出力電極7に平行に配置し、グラウンド電極10に電気的に接続された一対の第2のグラウンド電極11〜14をさらに備えた。 (もっと読む)


【課題】ピエゾ素子を用いた超伝導チューナブルフィルターに関し、ピエゾ素子の特性に影響されることなく、広範囲に共振周波数を制御できるようにしようとする。
【解決手段】誘電体ベース基板1上に超伝導材料で形成された2次元図形からなる共振器パターン2と、共振器パターン2の上方に対向して位置する誘電体3と、先端に誘電体3を保持した支持棒4をピエゾ素子7の変位で上下させる機構とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、小型でありながら、急峻な阻止特性と大きな阻止量を得られる帯域阻止フィルタを提供する。
【解決手段】帯域阻止フィルタは、誘電体下面にグランド層が形成された高周波回路基板3と、高周波回路基板3の誘電体上面に形成され、高周波信号を伝送する主マイクロストリップ伝送線路5と、高周波回路基板3の誘電体上面に、主マイクロストリップ伝送線路5に通過中心周波数の1/4波長となるマイクロストリップ伝送線路7aを平行配置して結合線路を形成し、マイクロストリップ伝送線路7aの両端に通過中心周波数の3/4波長となるマイクロストリップ伝送線路7bが電気的に接続された共振器6とを備えてなる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、共振周波数および帯域幅を微調整可能な超伝導フィルタデバイスを提供する。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス(10)は、誘電体ベース基板(1)と、この誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された共振器パターン(2)と、前記共振器パターンの上方に位置する異方性のある誘電体または磁性体(3)と、入力信号に対する前記異方性のある誘電体または磁性体の水平方向の角度を変える角度調整機構(15)と、を含む。入力信号に対する誘電体または磁性体の角度を変えることによって、誘電率または透磁率を変え、これによって超伝導フィルタデバイスの共振周波数および帯域幅を微調整する。 (もっと読む)


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