【目的】
既設の船舶レーダー装置に対して、大幅な工事をせずともスプリアス波抑圧フィルタ内蔵のものに換装をすることを可能にするために、取り外し可能であるアンテナ部内にスプリアス波抑圧フィルタを挿入する。
【構成】
アンテナ部内のペデスタル結合部、アンテナ端への給電導波路、コーナー導波路、スロットアンテナ高周波電波入力端周辺などに、スプリアス波抑圧フィルタを挿入することにより、ペデスタル部に空間を設けてスプリアス波抑圧フィルタを挿入するという作業が不要になり、安価で負担の少ない船舶レーダ装置の換装を実現する。 （もっと読む）

【課題】誘電体共振器回路における不要な非隣接共振器間クロスカップリングを抑制する。
【解決手段】本発明は、筐体並びに筐体内に実質的に一列に配置された第１，第２及び第３の共振器(５０２,７０２)を有し、第２の共振器は第１と第３の共振器の間に配置されていて、共振器はそれぞれの共振器で発生する電磁場が隣接共振器に結合するように互に対して配置され、筐体は共振器を外囲し、第１と第３の共振器(５０２,７０２)の間の電磁結合を制御するために第１と第３の共振器の間に配置された隔壁(５３０,７３０,８３０,９３０,１０３０,１１３０,１２３０,１３３０)を有し、隔壁(５３０,...,１３３０)はその長さに沿う第１及び第２の末端を有し、隔壁は第１の末端に絞りを定め、隔壁(５３０,...,１３３０)は実質的に第１と第３の共振器の間に配置される主壁部及び隔壁(５３０,...,１３３０)の第１の末端において主壁部からある角度をなして延びる延長壁部を有する、誘電体共振器回路である。
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【課題】複数の共振器を備えた電子部品において、小型化に伴って、隣接する共振器間の結合が強くなりすぎることを防止できるようにする。
【解決手段】電子部品１は、積層基板２０と、積層基板２０内に設けられた３つの共振器１１，１２，１３を備えている。共振器１２は、共振器１１と共振器１３との間に配置されている。共振器１１，１３は、積層基板２０内の１つ以上の導体層を用いて構成されている。共振器１２は、積層基板２０内に設けられた１つ以上のスルーホールを用いて構成されている。共振器１１における電磁波の進行方向と共振器１３における電磁波の進行方向は平行であり、共振器１２における電磁波の進行方向は、共振器１１，１３における電磁波の進行方向に対して垂直な方向になっている。 （もっと読む）

【課題】従来の組合わせ導波管フィルタに較べて反射特性、通過特性、スプリアス抑圧特性を維持しつつ小型化を図る。
【解決手段】第１手段は、ワッフル型導波管フィルタの開口部とコルゲート型導波管フィルタの共振空洞を、両広壁面又は両狭壁面が中心面に関して面対称に段差を有する窓構造で結合する、窓の高さ、長さは予めシミュレーション又は実験により所定値を定めておく。第２手段は、ワッフルフィルタのボス列が管軸方向一方へ片寄ったものの他方開口部分をコルゲートフィルタの窓と同様の窓でコルゲートフィルタの直近の共振空洞へ連結する。 （もっと読む）

【課題】従来の帯域通過フィルタと比較して、挿入損失の増加及び大型化を防止しつつ性能が向上した帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】少なくとも３つ以上の空洞が形成された導電性を有する導電性筺体２と、導電性筺体２に設けられる入力端子３及び出力端子４と、空洞内壁５１乃至５４から離隔してそれぞれ導電性筺体２の内部に配置される少なくとも３つ以上の半同軸共振素子２１乃至２４と、半同軸共振素子２１乃至２４同士が入力端子３と出力端子４との間でひと続きに結合するように内壁に形成された第１の結合窓５５乃至５７と、結合がひと続きでない半同軸共振素子２１、２４同士がさらに結合するように内壁に形成された第２の結合窓５８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】通過帯域近傍の減衰特性を変化させずに、通過中心周波数から一定の周波数離れた周波数の信号を減衰できる電圧制御フィルタを提供する。
【解決手段】一対のマイクロストリップラインＭＬＳ１、ＭＳＬ２は、結合器を構成する。バラクタダイオードＸ１、Ｘ２は、制御電圧Ｖ１に応じて容量が変化し、結合器の結合量を制御して通過中心周波数を制御する。帯域阻止調整部１１、１２は、それぞれバラクタダイオードＸ３、Ｘ４を有し、バラクタダイオードＸ３、Ｘ４に印加される制御電圧Ｖ２、Ｖ３に応じた周波数の信号を減衰させる。帯域阻止調整部１１、１２は、制御電圧Ｖ２を変化させて帯域阻止周波数を変化させても、結合器の結合量を変化させず、通過周波数帯域近傍の減衰特性を変化させない。 （もっと読む）

【課題】
フィルタ回路を用いた送信装置、受信装置、あるいは通信装置においては、フィルタ回路は通過帯域で減衰量が少なく、阻止帯域で減衰量が大きいという電気的特性とともに、回路の小型化が望まれる。しかし、基板上にヘアピン型の線路パターンを形成し多段接続したフィルタ回路において、ヘアピン型の線路パターンを多段接続するために大型化し、阻止帯域の減衰量が大きくとれなかった。
【解決手段】 多段接続したヘアピン型の線路パターンの一部を、先端は開放し他方の先端を接地させた線路パターンに置き換えることで小型化を図るとともに、阻止帯域の減衰量を大きくする。 （もっと読む）

【課題】広帯域な通過帯域特性，通過帯域近傍における急峻な減衰特性，及び小型化を実現可能なバンドパスフィルタを提供する。
【解決手段】入力伝送線路３と出力伝送線路４とを結ぶ分布定数線路６ａ，６ｂ，６ｃと、一方の端部が分布定数線路６ａ，６ｂ，６ｃに接続されたタップ部７ａ，７ｂ，７ｃと、端部以外の領域でタップ部７ａ，７ｂ，７ｃと接続するスタブ部８ａ，８ｂ，８ｃと、分布定数線路６ａ，６ｂ，６ｃとタップ部７ａ，７ｂ，７ｃの接続点に対向するように一方の端部が分布定数線路６ａ，６ｂ，６ｃに接続されると共に、他方の端部が接地された分布定数線路１０ａ，１０ｂ，１０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】減衰特性が急峻であり、減衰量が大きく、広帯域にわたり減衰量が確保されているノイズフィルタの提供
【解決手段】信号伝送用導体21〜26および／または接地用導体32〜37を配置した複数の絶縁基板層11〜17を積層してなり、信号伝送用導体21〜26および接地用導体32〜37がそれぞれスルーホール41〜46、51〜56を介して信号伝送用コイルおよび接地用コイルを構成し、信号伝送用コイルの両端は入出力端であり、接地用コイルの両端は接地端および開放端であるノイズフィルタ１であって、誘電率および／または透磁率が異なる絶縁基板層11〜17を交互に積層したことを特徴とするノイズフィルタ。
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【課題】０次共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる高周波共振器を得ることを目的とする。
【解決手段】入力端子１と出力端子２の間に縦続接続されている複数の直列共振回路３−ｎと、一端が複数の直列共振回路間の接続点に接続されて、他端が接地されている複数の並列共振回路４−ｍとから構成して、複数の直列共振回路３−ｎ内に抵抗６ａ，６ｂを装荷する。これにより、０次の共振周波数におけるＱ値の劣化を招くことなく、高次の共振周波数を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】
減衰極とインピーダンスの独立調整が可能なバランスフィルタを提供する。
【解決手段】
不平衡側共振電極１０２と平衡側共振電極１０４とを誘電体層を介して互いに隣接対向関係となる位置に形成し、これらの電極の間に段数構成共振電極１０８を配置することでバランスフィルタを構成するとともに、段数構成共振電極１０８と平衡側共振電極１０４との対向関係を変化させることで減衰極の位置を調整し、非対向部分のライン幅や長さを変化させることでインピーダンス調整を行う。 （もっと読む）

【課題】部品点数が少なく、周波数選択性が高く、電解結合が強く、電気的に共振周波数等のパラメータを変更可能なフィルタを提供する。
【解決手段】誘電体基板３のパターンの上方に、ケース２を兼ねる同軸共振器１を設け、誘電体基板パターンの接地電極４、７とケース２によって電磁気的に遮蔽したフィルタ。ケースと同軸共振器とを一体化したため部品点数が少なく、誘電体基板の誘電体部分と共振器とが接する部位が存在しないため共振器単体の損失に誘電体損失が含まれることがなく、安定して誘電体基板上に高い周波数選択性のフィルタを簡単に構成できる。同軸共振器の開放端と誘電体基板パターンの接地電極との間の容量に、直列に容量可変素子１１を挿入することができ、誘電体基板パターンのギャップを導通又は非導通とすることによりフィルタの特性を切り替える特性切り替えスイッチ１２を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品を提供する。
【解決手段】本部品は、誘電体磁器ブロック２００を備える誘電体電子部品１００において、誘電体磁器ブロック２００は、長辺２２１と短辺２２２とを有する略長方形状をなす一面２２０を有し、誘電体磁器ブロック２００には、一面２２０から対向する他面２３０まで貫通して一面２２０の長辺２２１方向に列設された複数の貫通孔２１３が形成され、更に、誘電体磁器ブロック２００の一面２２０側には、列設された貫通孔２１３のうちの列の端に位置する貫通孔２１３と少なくとも一部が重なるように、貫通孔２１３よりも大きく開口し且つ貫通孔２１３よりも深さの浅い共振周波数調整孔２１２が形成され、共振周波数調整孔２１２の開口端縁と短辺との最短距離Ａ、及び共振周波数調整孔の長辺方向の開口長さＢは、Ｂ<Ａを満たす。 （もっと読む）

【課題】小型化および低損失化を実現することができる積層型共振器を提供する。また、インターディジタル結合による不要な共振モードの発生を抑制することができる積層型共振器を提供する。
【解決手段】積層配置された複数の導体線路１１，１３からなる第１の導体群１と、第１の導体群１の各導体線路１１，１３に対して交互に対向するように積層配置された複数の他の導体線路１２，１４からなり第１の導体群１に対して互いにインターディジタル結合された第２の導体群２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では、構造上ＴＥＭモードが発生しやすく、３倍波以上になると十分に高域スプリアスモードを減衰することが出来なくなるという問題点があった。
【解決手段】ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の上下のブロック３の間の中空部に薄い金属板５を挟み込む構造としたことにより、ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器内部で発生する横方向の電界成分を打ち消すことができ、３倍波以上の高域スプリアス抑圧性能を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＵＷＢにおいて広い通過帯域を持ち、狭い周波数幅で急峻な減衰特性が得られる小型の帯域通過フィルタおよびこれを用いた無線通信機器を提供する。
【解決手段】基本的にλ／４長さである６個の共振器を同一の誘電体層上に、それぞれの前記接地端が積層方向から見て同一方向に並設し、第一の共振器１及び第六の共振器６の非接地端が容量素子またはインダクタ素子を介してそれぞれ入力端子電極、出力端子電極に接続され、第二の共振器２から第五の共振器５までの隣り合う共振器間が磁界結合され、第一の共振器１と第二の共振器２、第一の共振器１と第三の共振器３、第六の共振器６と第四の共振器４、第六の共振器６と第五の共振器５の非接地端同士がそれぞれ容量形成部により電界結合され、第一の共振器１乃至第六の共振器６の全ての共振器の非接地端とこの非接地端に接続される容量形成部との距離が積層方向から見て略等しい。 （もっと読む）

【課題】誘電体ブロック内で互いに隣接する共振器間を仕切る短絡導体による同軸共振器モードの影響を回避して導波管モードによる適正なフィルタ特性を得る誘電体導波管フィルタを構成する。
【解決手段】直方体形状の誘電体ブロック１１の外面に導電体膜１０を形成し、誘電体ブロック１１内に短絡導体１２ａ，１２ｂを配置するための結合調整用孔２６ａ，２６ｂを形成し、その内部に空気層１３ａ，１３ｂを介して短絡導体１２ａ，１２ｂを配置する。この空気層１３によって導波管モード（ＴＭ基本モード）の周波数を変化させることなく、スプリアスモードである１／２波長同軸共振器モードの周波数を高域側へシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】 遮断特性が急峻なフィルタを得るために好適な、超広帯域無線方式（ＵＷＢ）用の差動信号用帯域通過フィルタの構造を提供する。
【解決手段】 分布定数線路で構成される差動信号用帯域通過フィルタにおいて、高域通過フィルタ１１４のシャントインダクタ１０５に接続されるシリーズ容量１０６，１０８Ｌ及び１０７，１０８Ｌに、分布定数線路で構成される容量Ｃｍ（１０６，１０８Ｕ及び１０７，１０８Ｕ）を並列に接続する。容量Ｃｍにより通過帯域よりも低い周波数にひとつのノッチ（遮断の大きな周波数領域）を生じさせることができる。通過帯域の近傍にノッチを入れることができれば、帯域通過フィルタの遮断特性を急峻にできる。 （もっと読む）

【解決手段】バンドパスフィルタは、タップ線型入力および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。バンドパスフィルタは、更に、各々が共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続される複数の負荷インダクタと、少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続される直接結合キャパシタを含む。コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することで通過帯域の低域側に追加の減衰極が形成される。直接結合キャパシタンス値を変えることで通過帯域の低域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することで通過帯域の高域側に減衰極が形成される。負荷インダクタの値を変えることで通過帯域の高域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。
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【課題】減衰極及び通過帯域幅などのフィルタ特性を容易に調整し得る誘電体装置を提供すること。
【解決手段】第１及び第２の共振部のそれぞれは、孔５１、５２を有する。孔５１、５２は、内部に第２の内導体８１、８２を備える。第１の端子１１は、第１共振部と電気的に結合し、第２の端子１２は、第２共振部と電気的に結合している。第１の端子１１と第２の端子１２の間には、外導体膜３の一部である中間導体膜３１が存在する。中間導体膜３１は、表面に絶縁膜９１を有する。 （もっと読む）