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Fターム[5J056FF10]の内容

論理回路 (30,215) | 入力信号の種類・数 (3,636) | 入力信号数3以上(クロックは除く) (173)

Fターム[5J056FF10]に分類される特許

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【課題】構成を簡略化して消費電力を低減させることができる交流電源駆動の半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】入力信号に応じた論理計算を行わない任意の負荷1aと当該負荷1aに直列に接続し、入力信号に応じた論理計算を行う第1の計算部2aとを備える第1のロジック演算部10aと、同様の構成で第1の計算部2aの代わりに第1の計算部2aの計算結果と相補的な計算結果が得られるような論理計算を行う第2の計算部2bとを備え、前記第1のロジック演算部10aと並列に接続される第2のロジック演算部10bと、第1のロジック演算部10a及び第2のロジック演算部10bの間に接続され、演算された計算結果を保持する保持回路5と、第1のロジック演算部10a及び第2のロジック演算部10bに高電圧と低電圧とを相補的に変化させて印加する交流電源3とを備え、論理計算の処理と、計算結果を増幅させて出力する処理とが半周期ごとに交互に実行される。 (もっと読む)


【課題】相補の信号によりプルアップバッファ回路とプルダウンバッファ回路を制御し、レベルシフタ関連回路をコンパクトに構成する。
【解決手段】半導体装置10は、プルアップバッファ回路100とプルダウンバッファ回路200を排他的にオン・オフ制御することによりデータ端子DQからデータを出力する。シリアライザ300は、相補な内部データ信号DT1/DC1を出力する。レベルシフタ370は、内部データ信号DT1/DC1の電圧レベルを変換し、相補な内部データ信号DT2/DC2を同時生成する。プルアップバッファ回路100とプルダウンバッファ回路200は、この変換後の内部データ信号DT2/DC2により制御される。 (もっと読む)


【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 (もっと読む)


【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、SSOノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路1は、出力バッファ4と、出力バッファ4から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ4に電源を供給する電源線VdeLあるいは接地線VgLの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線VdeLあるいは接地線VgLとにより囲まれる磁心50と、磁心50に巻回される制御コイル51と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル51への電流供給を制御するコイル電流制御回路3とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル51からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 (もっと読む)


【課題】出力回路のインピーダンス調整の精度を向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】各々が調整可能なインピーダンスを備える複数の単位バッファを含む出力回路(出力バッファ101)と、複数の単位バッファ回路のうちの1または複数個の単位バッファ回路を選択的に活性化する制御回路(出力制御回路150)と、複数の単位バッファのそれぞれのインピーダンスを調整するインピーダンス調整部であって、当該インピーダンス調整部は、制御回路によって選択的に活性化された1又は複数個の単位バッファ回路の個数が変化することに応じて複数の単位バッファのそれぞれのインピーダンスを調整する、インピーダンス調整部(インピーダンス調整部30)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第1の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第1のバッファ(111)と、第2の電源電圧ノード及び前記第1のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ(124)と、前記第1のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第1の制御回路(127)とを有する。 (もっと読む)


【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲートに電気的に接続される
第2のトランジスタとを有し、第1のトランジスタの第1の端子は第1の配線に電気的に
接続され、第1のトランジスタの第2の端子は第2の配線に電気的に接続され、第1のト
ランジスタのゲートは第2のトランジスタの第1の端子又は第2の端子に電気的に接続さ
れることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第1乃至第2のトラ
ンジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなも
のを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第1のトランジスタおよび第2のトランジスタと、第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群を具備し、第1のトランジスタ群は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタおよび4の端子を有しており、第2のトランジスタ群は、第5乃至第8のトランジスタおよび4の端子を有しており、第1のトランジスタ、第3のトランジスタ、第6のトランジスタ、第8のトランジスタはnチャネル型トランジスタが用いられ、第2のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、第7のトランジスタはpチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】入力端子IN1から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタT3を介して、入力電圧Vin2がトランジスタT2のゲートに入力される。そのため、入力電圧Vin1,Vin2がともにハイとなったときだけ、トランジスタT1,T2の双方のゲートにオン電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号LINを伝達する第一入力経路4a、第二駆動信号RINを伝達する第二入力経路4b、第一入力経路4aと対応する第一出力バッファー6a及び第二入力経路4bと対応する第二出力バッファー6bを備える出力バッファー回路1において、入力経路切り替え手段8が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路4aと第一出力バッファー6a及び第二出力バッファー6bとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段10が、第一出力バッファー6a及び第二出力バッファー6bと、第一入力経路4a及び第一出力バッファー6aと対応する第一負荷2aとを、電気的に接続させる。 (もっと読む)


【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】7Tr3Cで構成されるインバータ回路1において、入力端子IN1から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタT3と、制御素子10とを介して、入力電圧Vin2がトランジスタT2のゲートに入力される。入力電圧Vin1,Vin2がともにハイレベルの電圧Vddとなっている期間においては、入力電圧Vin3がハイレベルの電圧Vddとなっているときだけ、トランジスタT1,T2の双方のゲートにオン電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】ポジティブエッジの波形、ネガティブエッジの波形の少なくとも一方を調節可能なドライバ回路を提供する。
【解決手段】分岐回路10は、送信すべき入力信号SINを複数の経路12に分岐する。各タイミング調節回路20は、それぞれが対応する経路に分岐された送信すべき信号Saのポジティブエッジおよびネガティブエッジの少なくとも一方に遅延を与える。合成出力回路30は、複数のタイミング調節回路20の出力信号Sbを合成し、合成された信号SOUTを伝送線路3に出力する。 (もっと読む)


【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部1は、バイアス部2と出力部3との間に設けられ、第一入力部10と第二入力部20とを有する。第一入力部10は、ソースがバイアス部2と接続され、ドレインが出力部3と接続された1個のn型MOSFET(M11)からなる。第二入力部20は、直列接続される2個のn型MOSFET(M21)、(M22)と、直列接続される2個のn型MOSFET(M23)、(M24)とが2列に並列接続される。また、入力端INaはM11のゲートに接続され、入力端INxはM22とM23のゲートに接続され、入力端INyはM21とM24のゲートに接続される。バイアス部2は1つの定電流源21を有し、出力部3は2つのp型MOSFET(Q1、Q2)で構成のカレントミラー回路を有する。 (もっと読む)


【課題】回路の誤動作や回路面積の増加を防止しつつ一部の回路の電源電圧を
遮断して消費電力を低減させることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チップ内部を複数の回路ブロック(11,12,13……)に分
割するとともに、いずれかの回路ブロックへの電源電圧の供給を遮断可能に構成
し、電源電圧の供給を遮断可能な回路ブロックから他の回路ブロックへ出力され
る信号の経路上であって信号が分岐される前の位置に、信号の伝達を遮断可能な
信号ゲート手段(31)と電源遮断直前の信号を記憶可能な記憶手段(32)と
を含むブロック間インタフェース回路(30)を設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】 ブートストラップ機能を有する電子回路に関し、出力電圧の降下を防止して、論理否定型電子回路の誤作動を阻止し、また、長い作動時間を確保する。
【解決手段】 負荷トランジスタ、駆動トランジスタ部、充電用トランジスタ並びにブートストラップ容量を具備し、入力電圧の位相を出力部から反転せしめて出力する論理否定型電子回路について、前記充電用トランジスタのソース−ドレイン間の電圧が電源の電圧Vddと同値の電圧であるときに、これらソース−ドレイン間を流れる電流が1×10−9A以下となる範囲の電圧をこの充電用トランジスタのゲートに印加する定電圧印加手段を接続する。 (もっと読む)


【課題】 ブートストラップ機能を有する電子回路に関し、出力電圧の降下を防止して、論理否定型電子回路の誤作動を阻止し、また、長い作動時間を確保する。
【解決手段】 負荷トランジスタ、駆動トランジスタ部、充電用トランジスタ並びにブートストラップ容量を具備し、入力電圧の位相を出力部から反転せしめて出力する論理否定型電子回路について、入力される電圧の位相を反転させて出力するインバータ回路をさらに設け、このインバータ回路の入力節点を前記出力部に、出力節点を前記充電用トランジスタのゲートにそれぞれ接続する。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で動作し、かつ、端子数を減らすことが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第1の回路と、第2の回路と、信号伝播制御回路と、を備える。第2の回路は、前記第1の回路の電源端子とは独立の電源端子を有する。信号伝播制御回路は、前記第2の回路に電源が投入されてから所定期間、所定の固定値を前記第2の回路へ入力し、前記所定期間経過後、前記第1の回路からの出力信号および前記所定の固定値のいずれを前記第2の回路へ入力するかを制御する。 (もっと読む)


【課題】
LSIの動作状態などに適合したスキューを複数の信号に与えることができるスキュー調整回路を提供する。
【解決手段】
集積回路装置内に設けられ,複数の信号をそれぞれ伝播する複数の信号線と,前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,前記複数の信号線の信号変化を監視する監視回路と,前記監視回路の監視結果出力に基づいて前記複数の遅延回路の遅延量を決定し前記複数の遅延回路に設定する遅延調整回路とを含み,前記監視回路は,監視期間内において信号変化が生じた信号線の数である信号変化本数を前記監視結果として検出し,前記遅延調整回路は,前記信号変化本数に基づいて前記遅延量を決定するスキュー調整回路。 (もっと読む)


【課題】入力されたパルス波形の遅延及び鈍りの影響を抑制し、より高精度なテストを実現すること。
【解決手段】テスト回路6は、複数の論理値を保持する複数のデータ保持/選択回路と、複数の外部端子に含まれる互いに異なる外部端子を介して入力される論理値間の伝播遅延量の検出に基づいて、複数のデータ保持/選択回路それぞれに対して、複数のデータ保持/選択回路それぞれが保持している複数の論理値のいずれを出力すべきかを個別に制御するスキュー調整回路20と、基準クロックの立上がり及び立下りそれぞれに応じて外部端子に入力した論理値を第1及び第2論理値として個別に検出すると共に、個別に検出した第1及び第2論理値の少なくとも一方と期待値間の比較に基づいて、第1及び第2論理値の一方をデータ保持/選択回路に供給する複数の論理値生成/選択回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】データストローブ信号のスルーレートを変更することなくデータストローブ信号のクロスポイントの電位を調整可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、外部クロックに基づき第1内部クロックを発生する発生回路と、第1内部クロックに基づき第2及び第3内部クロックを生成する分割回路であり第3内部クロックの立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方のタイミングを調整するエッジ調整回路を含む分割回路と、エッジ調整回路にエッジ調整信号を供給する調整情報保持部と、第2内部クロックに応じて第1データストローブ信号を発生し第3内部クロックに応じて第1データストローブ信号と位相が異なる第2データストローブ信号を発生する出力回路を備え、エッジ調整回路はエッジ調整信号に応じて第3内部クロックの立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方のタイミングを可変に調整する。 (もっと読む)


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