【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ４の一端がスイッチＳＷ２の他端に接続され、整合回路Ｍ４の他端が増幅素子Ｔｒ２の出力に直接に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】 可変位相器を用いた負荷変動器３００１であって、前記可変位相器は、信号が入力される第１ポートＰ１と、信号が出力される第２ポートＰ２と、第１可変インピーダンス３０２１が接続される第３ポートＰ３と、第２可変インピーダンス３０２２が接続される第４ポートＰ４と、を備えている。可変位相器は、第１ポートＰ１から入力された信号の位相が第１可変インピーダンス２０２１及び第２可変インピーダンス３０２２によって変化するものである。第１可変インピーダンス３０２１及び第２可変インピーダンス３０２２は、前記第１可変インピーダンスと第２可変インピーダンスとの間のインピーダンス差を調整可能に設けられている。インピーダンス差の調整によって、第１ポートＰ１及び第２ポートＰ２間の負荷が変動する。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をＦ級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するＦ級増幅器と、Ｆ級増幅器の後段に設けられて、当該Ｆ級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】２倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路５において、基本波整合回路４の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、２倍波周波数成分を反射するフィルタ回路５１と、基本波整合回路４の出力側とフィルタ回路５１との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、２倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる２倍波吸収回路５２と、２倍波吸収回路５２に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路５３とを備えた。
バイアス回路５において、２倍波周波数成分を高周波トランジスタ２側に反射させずに吸収することによって、２倍波処理回路３とバイアス回路５とで並列共振を起こすことがなく、その結果、２倍波処理回路３の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】広帯域での２倍波整合を取れず、高効率化できる周波数範囲が狭い。
【解決手段】伝送線路２から構成されるメイン線路と、抵抗６と伝送線路５、７とが直列接続された回路から構成され、メイン線路と並列接続されたサブ線路と、一端がメイン線路とサブ線路との接続点に接続されたオープンスタブ３、４とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】入力信号を複数の信号に低損失で分配することができる分配回路を提供することを課題とする。
【解決手段】分配回路は、信号入力ノードに直列接続される複数のインダクタ（４０１〜４０ｎ＋１）と、入力容量を有する入力端子及び出力端子を有し、前記複数のインダクタのそれぞれの間に前記入力端子が接続され、前記入力端子に入力される信号を増幅して前記出力端子から出力する複数の増幅素子（４２１〜４２ｎ）と、前記複数の増幅素子の出力端子と複数の信号出力ノードとの間にそれぞれ接続される複数の整合回路（４３１〜４３ｎ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電力合成器の横寸法を低減しつつ、横寸法の低減に伴う特性劣化を防止する。
【解決手段】 入力側から第１線路、折返し線路、第２線路、直線線路が接続される直列回路を構成し、入力側が入力端子に接続される第１インピーダンス変成器と、第１インピーダンス変成器と同構成の第２インピーダンス変成器と、第１及び第２インピーダンス変成器とループを構成するアイソレーション回路と、第１及び第２インピーダンス変成器が共有する出力接点と出力端子との間に配置される出力インピーダンス変成器とを有する電力合成器であって、第１線路と第２線路は互いに平行に配置され、ループの横縦アスペクト比が１より小さく、第１線路の線幅を第１折返し線路の線幅より狭くして入力信号位相を９０度回転し、アイソレーション回路で入力インピーダンスと整合し、出力インピーダンス変成器で出力インピーダンスと整合する。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部１６、１７を有するパッケージ１１とパッケージ内部に載置された半導体チップ１２と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン２２、３１と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部１６、１７とをそれぞれ接続する第１、第５の導体線２３、３２と、入力整合回路パターン２２および出力整合回路パターン３１上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ２４、３３と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第２、第６の導体線２５、３４と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第２、第６の導体線２５、３４のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 （もっと読む）

【課題】 非常に高効率のフレキシブルな進行波増幅器を提供する。
【解決手段】 カソード、ヘリックス、ＲＦ入力部、ＲＦ出力部、および複数のコレクタを備える進行波管（２２６）と、
前記進行波管（２２６）に電源および電極分極を与える電子電力調整器と
を少なくとも備える進行波管増幅器であって、
前記電子電力調整器が、データバスによって送られる制御コマンドにより、ヘリックス・カソード間電圧およびコレクタ電圧を調節することを可能にするフレキシビリティ制御手段（２４）を備える、進行波管増幅器。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ２７と、発振トランジスタ２７に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体２９、抵抗体３１及びトランジスタ（スイッチ）３５が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ３０及び可変容量ダイオード３６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）

【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、１つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】ＲＦチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極４０が形成された誘電体基板３０と、前記誘電体基板３０の表面に形成された入力端子３２及び出力端子３４と、前記誘電体基板３０内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子３２に接続され、且つ、他端が前記出力端子３４に接続され、前記ＲＦチョークを形成するＲＦチョーク形成電極３６と、前記誘電体基板３０内に、前記グランド電極４０に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子３４に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極３８とを有する。 （もっと読む）