本発明の実施形態によれば、ダイの実装を行った後に１つのダイを設定するためにフラッシュメモリのような不揮発性メモリが使用される。このため、１つのダイで数多くの用途をサポートすることができ、あるいは、所定の用途における最適化を行うことができる。本発明の実施形態によれば、パッケージ寄生性（package parasitics）、水晶変動、出力除算器、出力デューティサイクル、出力エッジレート、Ｉ／Ｏ設定や発振器ゲインのようなパラメータを正規化するために、プログラミングインタフェイスを介して、好ましくは２ピンプログラミングインタフェイスを介して不揮発性メモリがアクセスされる。本発明の一実施形態によれば、ＸＯ回路構成は不揮発性メモリと独立型ＸＯとを含んでおり、このＸＯ回路構成はＸＯによって生成された基準周波数を合成するためにＰＬＬを必要としない。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子の温度特性を精度よく補償する発振器の個体間バラツキを低減すること。
【解決手段】基準信号源Ｓ２０５に基づいて発生する温度補償用レギュレート電圧Ｓ２４０は、抵抗素子２９２および２９４により、第５のＭＯＳトランジスタ２６３を定電流駆動して、基準信号源Ｓ２０５よりバンドギャップ分だけ高い電圧を発生する。低温側補正バイアスＳ２１４と高温側補正バイアスＳ２１６と基準信号源Ｓ２０５とは、ＡＴカット水晶振動子５１の偏曲点温度で交点をもつため、第２のＭＯＳトランジスタ２６１と第１のＭＯＳトランジスタ２６２とに供給されるソース電圧とゲート電圧とは、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド変動に合わせて変化して、ＭＯＳトランジスタのスレッショルド変動による影響が低減された温度補償信号Ｓ２５０を得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、小型化、省電力化を可能とした水晶発振器を提供することを課題とする。
【解決手段】 ２重化したヒータ線路１４、１５を持つヒータ１１ｂの内側に恒温対象物を配置する。ヒータ線路１４及び１５には、その物理的配置に対して逆相の駆動電流を流すことによって、ヒータ線路１４、１５に載っているノイズを相殺する。これによって、温度制御にＰＷＭ等を用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 低背化すると共に周波数エージング特性の優れた表面実装型圧電発振器を得る。
【解決手段】 上面及び下面に開口部を有すると共に中央部に対向する段差部とを備えたパッケージ本体と、圧電振動素子と、発振回路及び補償回路を形成するＩＣ部品とを備えた表面実装型圧電発振器であって、前記対向する段差部上に設けたＩＣ部品搭載用の内部電極に跨って前記ＩＣ部品を載置、固定し、前記ＩＣ部品の下面であって前記パッケージの下面の開口部に対応する位置に圧電振動素子を搭載、固定し、前記上面及び下面の開口部を金属蓋にて気密封止して表面実装型圧電発振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型可変容量素子のゲート酸化膜の膜厚に製造上のばらつきがあり、一定のゲート電圧に対する容量値が異なる。このため、容量変化の直線領域が一定のゲート電圧範囲内に収まることは困難であって、ＭＯＳ型可変容量素子によって容量の直線性、即ちＶＣＸＯの周波数制御の直線性がばらついてしまう。
【解決手段】ＶＣＸＯ１０のＭＯＳ型可変容量素子Ｄ1、Ｄ２のゲート端には電圧制御回路１３で外部制御電圧Ｖｃをゲインコントロールした出力ＶAFCを印加し、バックゲート端には前記電圧制御回路１３出力を分圧比が可変の抵抗分圧回路Ra〜Rdで分圧した電圧を印加し、前記電圧制御回路１３のゲインの調整と、切換器ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３による抵抗分圧回路Ra、Rb、Rc、Rdにおける分圧比の切換えによって、ＭＯＳ型可変容量素子Ｄ1、Ｄ２に加わるゲート・バックゲート間電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー特性、エージング特性を改善することを可能とした水晶振動子、水晶発振器を提供する。
【解決手段】 主面の任意の位置に凹陥部を形成して凹陥部３の底面を薄板領域とすると共に、該凹陥部の外周に厚肉の補強部を設けた水晶基板２と、水晶基板の薄板領域４の両面に夫々形成した励振用電極膜と、から成る厚みすべり振動を励起可能な水晶振動素子と、上記水晶振動素子の補強部の端縁を２か所、シリコン系導電性接着剤を用いて支持する表面実装容器と、から成り、上記導電性接着剤を用いて支持する２か所を結ぶ直線が水晶基板の結晶軸ｚｚ’に対して±（３０°±１０°）の傾斜方向に延びる水晶振動子において、前記導電性接着剤の硬化前粘度を４２．１Ｐａ・Ｓとし、前記水晶振動素子底面と表面実装容器の支持面との隙間を１５〜２５μｍの範囲に設定した。 （もっと読む）

【課題】温度補償水晶発振器の温度補償回路において、プロセス変動によるＶｔｈの変化があると、出力波形に大きな影響を与えるという課題があった。
【解決手段】本発明の電子回路は、Ｖｔｈの変化に応じて補正電圧を発生する補正電圧発生回路を設け、その出力である補正電圧信号を制御電圧発生回路の温度検出回路に入力し、この回路のバックバイアスを調整する。このような構成とすることによって、プロセス変動によるＶｔｈ変化があっても、そのＶｔｈ変化を打ち消すように補正電圧発生回路が補正電圧信号を出力し、制御電圧発生回路を修正するので、温度補償回路の出力波形には影響を及ぼさないようにすることができた。 （もっと読む）

【課題】 小型低背化を可能としつつ周波数特性調整をも実際の使用状態に近い状態で行うことが可能な水晶発振器を得る。
【解決手段】 ＧＮＤ電位となるシールド２を有するケース１に、水晶接着ランド１０を介して水晶４を取付けた状態である、いわゆる水晶振動子の状態で、水晶４の周波数調整をした後に、制御ＩＣ５を実装したベース基板３に、この水晶振動子を取付けて水晶発振器を実現しているので、実際の使用状態に極めて近い状態での周波数調整ができ、水晶発振器に組込んだ後でも、負荷の変化が比較的少ないために、水晶発振器の所望の周波数を有する水晶が得易くなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ容量素子を用いた温度補償圧電発振器において、低温及び高温における圧電発振器の位相雑音（Ｃ／Ｎ）特性を改善することを目的とする。
【解決手段】圧電振動子と、発振回路と、ＭＯＳ容量素子と、前記ＭＯＳ容量素子に温度補償電圧を供給する温度補償電圧生成回路とを備えた温度補償圧電発振器において、
前記温度補償電圧生成回路は、温度変化に対して電流が直線的に減少し且つ所定温度以上にて電流が断となる温度補償電流を出力する温度補償電流生成回路と、前記温度補償電流を温度補償電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記所定温度を設定する温度設定回路とを備え、前記温度補償電圧を前記ＭＯＳ容量素子に供給したことを特徴とする温度補償圧電発振器。 （もっと読む）

【課題】 データの書き込み時においてプローブを確実に電極に接触させる圧電発振器、この圧電発振器を搭載した電子機器および圧電発振器の周波数調整方法を提供する。
【解決手段】 圧電発振器１０は、圧電振動片１２とこの圧電振動片１２を発振させる回路とをパッケージ１３に搭載した圧電発振器１０であって、前記回路と電気的に接続するとともに前記圧電振動片１２の下方に設けられ、前記パッケージ１３内部の気密封止に用いられるとともに、気密封止後に周波数調整を行う電極となる貫通孔３２を備えた構成である。 （もっと読む）

高周波電磁発振を発生させる発振器回路が、少なくとも１つの入力と少なくとも１つの出力とを有する増幅器構成と、増幅器構成の少なくとも１つの出力に接続される水晶振動子と、少なくとも１つの入力が、水晶振動子と、水晶振動子に接続された少なくとも１つの、増幅器構成の出力とに接続され、少なくとも１つの出力が、増幅器構成の入力または少なくとも１つの入力に反結合されたバンドパス・フィルタ構成とを含む。バンドパス・フィルタ構成の振幅−周波数特性および／または位相−周波数特性を、増幅器構成および水晶振動子の振幅−周波数特性および位相−周波数特性の関数として設計することにより、水晶振動子の選択された高調波に対してのみ発振条件が満たされ、この選択された、水晶振動子の高調波によって形成される高周波電磁発振をバンドパス・フィルタ構成の出力において利用することができる。この発振器回路は、シンプルに構成され、干渉の影響を少なくともほぼ受けない動作が可能である。
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【課題】ＩＣ素子に影響を与える外部からのノイズを遮蔽して圧電発振器の動作を安定化させることができ、且つ全体構造を小型するのに適した圧電発振器を提供する。
【解決手段】内部に圧電振動素子５を収容している矩形状の容器体１を支持基体上に固定させるとともに、支持基体６の、下面中央部に圧電振動素子５の発振周波数に対応した発振信号を出力する矩形状のＩＣ素子７を、下面四隅部に金属製の実装脚部１０を、下面外周部で隣接する実装脚部間にＩＣ素子７の側面と対向する金属製のシールド部材９を取着させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、周波数調整精度の向上が可能な温度補償発振器の周波数調整方法を提供することである。
【解決手段】
圧電振動子（X'tal）で構成する発振回路部１、発振回路部１近傍の温度を検出し前記圧電振動子（X'tal）の温度特性を補償する温度補償部２、及び温度補償部２の出力に基づいて出力周波数を変化させる容量素子ＣＰ１，ＣＰ２からなる周波数調整部３を有する温度補償発振器Aの周波数調整方法において、
容量素子ＣＰ１，ＣＰ２に発振回路部１の周波数を変化させる電圧ＶCを印加する手段と、印加電圧ＶCによって変化する周波数出力信号を測定する手段とにより、所望の周波数偏差を決定する容量素子ＣＰ１，ＣＰ２の値を調整する手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】 低温部から高温部に亘り、振動子の温度による周波数変化特性を容易に補償することができるコンデンサ及びそれを用いた発振回路を提供する。
【解決手段】 温度による静電容量変化特性を有するコンデンサ１であって、誘電体２と、前記誘電体２に対向するバイメタル４とを備え、前記誘電体２には第一の電極３が形成され、前記バイメタル４には第二の電極としての導電性ゴム部材５（または導電性薄膜）が設けられ、温度変化により前記バイメタル４が湾曲し、前記誘電体２と前記導電性ゴム部材５（または導電性薄膜）の密着有効対向面積に応じて、前記第一の電極３の実効面積が変化し、静電容量が変化する。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ内に効率的にコンデンサを収納した発振器及び用途に応じて柔軟に回路を構成できる発振器を提供する。
【解決手段】 反転増幅回路を備えた半導体集チップと、上記反転増幅回路の入力端子と出力端子との間に設けられた振動子と、上記発振回路を構成する少なくとも１つのコンデンサ及びパッケージを備え、上記半導体チップを上記パッケージを構成する容器体の内側底部に設け、上記振動子をその大半を上記半導体チップの上部空間部に配置し、上記コンデンサをキャップ部内側に取付ける。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、シート状の容器基板の状態から個片に分割して得られた圧電発振器において、個片に分割後に温度補償データ等の書込が可能な圧電部品容器を提供することにある。
【解決手段】
シート状の容器基板５０を分割して小片化して成る容器１を用い、容器１の一面に圧電部品１２を搭載する容器基板５０の圧電部品１２搭載側と相対する他方の容器基板５０面に導通が取れる電極構造体５ａ、５ｂを有した圧電部品容器１において、
圧電部品１２を搭載する面と相対する面に、電極構造体５ａ、５ｂに複数の導通電極２７が形成されており、容器基板５０の少なくとも一辺に連続して電極構造体５ａが形成され、電極構造体５ａ、５ｂに囲まれるようにシート基板６０上に搭載する半導体部品２２を実装した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、周囲温度の変化にかかわらず、発振周波数を一定値に維持することができる温度補償水晶発振器の温度に対する周波数変化量を平坦にすることを目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことにより課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 機器の小型化のために水晶発振器電源回路の安定化電源出力回路に挿入する高周波ノイズ除去用のバイパスコンデンサを装着するスペースが充分に確保できない。
【解決手段】 安定化電源６の出力電圧Vregによって、発振回路部、初段バッファ及び２段目バッファのインバータ増幅器１、２、３を動作させ、直流電源Vddによって３段目バッファのインバータ増幅器４および最終段のＣＭＯＳプッシュプル増幅器５を動作させ、前記３段目バッファのインバータ増幅器４のＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタＭ７のソースにデプレッション型のＭＯＳトランジスタＭ１１のソースを接続するとともに、前記デプレッション型ＭＯＳトランジスタＭ１１のドレインは直流電源に、ゲートは前記安定化電源６に接続する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、取り扱いが簡便で、その生産性の優れた圧電発振器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
前記基板領域のキャビティ部内壁に形成されている第１の特性制御データー書込端子を介して、再度集積回路素子に温度補償データーを入力し、集積回路素子内のメモリーに温度補償データーを格納することを特徴とし、また、前記基板領域のキャビティ部内壁に形成されている第１の特性制御データー書込端子を介して、再度集積回路素子に温度補償データーを入力する際に使用する温度補償データー書込装置のプローブが前記集積回路素子に接触して初めて前記プローブのプローブ針が水平方向に飛び出すことを特徴として課題を解決するものである。 （もっと読む）