【課題】周波数温度特性が良好であり、且つ短期安定の優れた圧電デバイスを得る。
【解決手段】圧電デバイスは、圧電振動素子１０と、感温部品３０と、これらを収容する容器２０と、を備え、容器２０底部には実装端子２２ａ〜２２ｄが設けられている。実装端子２２ｂと圧電振動素子１０とを、第１の熱伝導部２３ａ、２３ｄと第１の配線パターン２６ａにより、電気的に接続し、且つ実装端子２２ｃと感温部品３０とを、第２の熱伝導部２４ｂと第２の配線パターン２６ｂとにより、電気的に接続して構成した圧電デバイスである。 （もっと読む）

【課題】差動回路を使用することで、貫通電流に起因した高調波ノイズの影響を排除した水晶発振回路を構成することができる。しかし、他の回路が動作することによって生じた高調波ノイズが、水晶発振回路の発振出力に影響を与える場合がある。そのため、電源電圧が変動したことによる影響を軽減し、発振出力のジッタを抑制した水晶発振回路が、望まれる。
【解決手段】水晶発振回路は、水晶振動子を含む共振回路と、共振回路と接続され、差動対を含む信号反転回路と、差動対にバイアス電流を供給する電流源回路と、信号反転回路及び電流源回路に電源を供給する電圧線と信号反転回路の間に接続され、水晶振動子の固有の発振周波数より低い遮断周波数を持つローパスフィルタ回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】出力波形を高調波が発生しない様に調整する事ができ、高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路の提供。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするＣＭＯＳトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部１１、１２、１３と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタＣＢ１、ＣＢ２を介して増幅するＣＭＯＳプッシュプル型増幅回路１４とを備えた水晶発振回路に於いて、バッファ回路部１３のＣＭＯＳトランジスタＴｐ４とＣＭＯＳトランジスタＴｎ４間に抵抗素子Ｒ３、Ｒ４を接続し、その中間点はバッファ回路部１３の出力として、前記抵抗素子と前記キャパシタとからなる時定数で出力信号の波形成形を行い、且つ前記抵抗素子のバイパス回路１６をメモリ設定にて、ＭＯＳスイッチ手段１７のオン／オフ切り替えにより可能とするメモリを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低電圧化されても安定した発振動作が可能な水晶発振器を提供する。
【解決手段】本発明の水晶発振器は、高電位側電源と水晶振動子（２）の一端並びに他端との間に設けられた第１，第２の抵抗（Ｒ１，Ｒ２）と、その一方の主端子が前記水晶振動子の一端並びに他端と接続された第１，第２のトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）と、第１，第２のトランジスタの他方の主端子間に接続されたキャパシタ（Ｃ１）と、第１，第２のトランジスタの他方の主端子と低電位側電源との間に設けられた電流源（ＩＲ１，ＩＲ２）又は抵抗と、第１，第２のトランジスタの一方の主端子と第２，第１のトランジスタの制御端子との間に設けられ、一方の主端子の電圧に追従するとともに一方の主端子の電圧から直流オフセット電圧分降下した電圧を生成して制御端子に印加させる第１，第２の電圧フォロワ回路（４，５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発振子と発振回路とのインピーダンス整合を容易にとることができる発振回路及び発振器を提供する。
【解決手段】発振回路１００が、第１の入力端子４と、第１の出力端子５と、第１の入力端子４に接続される信号調整部１０と、第１の入力端子４及び第１の出力端子５に接続される信号形成部２０と、を含み、該信号調整部は、第１の素子１３、第１の抵抗１１、第２の抵抗１２及び第１のコンデンサー１４を有し、第１の素子１３は、一方端が第１の入力端子４に接続され、他の一方端が第１の抵抗１１の一方端、第２の抵抗の一方端及び第１のコンデンサーの一方端に接続され、第１の抵抗は、他の一方端が第１の電源２に接続され、第２の抵抗は、他の一方端が第２の電源３に接続され、第１のコンデンサーは、他の一方端が第２の電源に接続され、該信号形成部において、第１の出力端子から出力される信号は、第１の入力端子から入力された信号を基に形成される。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を軽減すると共に、起動時の発振の成長を妨げず、温度や経時変化の影響を受けにくくして安定した出力を得ることができる発振回路を提供する。
【解決手段】 水晶振動子Ｘ１の一端が発振用トランジスタＴｒ１のベースに接続されると共に他端が接地され、直列接続のコンデンサＣｂ１，Ｃｂ２が水晶振動子Ｘ１に並列に接続されたコルピッツ発振回路において、発振用トランジスタＴｒ１のベースの前段に、水晶振動子Ｘ１の発振周波数を狭帯域化するフィルタＸｆを挿入した発振回路であり、また、フィルタＸｆの前段にバッファ用トランジスタＴｒ２を備えた発振回路である。 （もっと読む）

【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路１０とバッファー回路２０を含む。バッファー回路２０は、プリバッファーＰＢＦと第１、第２の出力バッファーＱＢＦ１、ＱＢＦ２を含む。第１のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１が動作イネーブル状態に設定され、第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作ディスエーブル状態に設定される。第２のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１及び第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作イネーブル状態に設定される。第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 （もっと読む）

【課題】純度の高い正弦波を出力するようにして、位相雑音を低減できる発振器を提供すること。
【解決手段】トランジスタ３を増幅部として用いたコルピッ型発振回路において、発振ループの外または中に波形整形用の水晶振動子５を設ける。そして発振用の水晶振動子１と波形整形用の水晶振動子５とは、共通の水晶片１０に、電極対（１１、１２）及び電極対（５１、５２）を設けて構成する。水晶振動子１の電極１１（１２）と水晶振動子５の電極５１（５２）とは離間距離を大きくして互に弾性的に結合しないか、結合してもその程度が弱いようにすると共に、水晶振動子５の並列容量に対して並列共振を起こすインダクタを設ける。水晶振動子５と波形整形用の水晶振動子１とを、共通の圧電片を用いたＳＡＷ共振子として入れ替えた構成としてもよい。 （もっと読む）

【課題】出力波形の歪みを低減する水晶発振回路を提供する。
【解決手段】正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３と、ｎＭＯＳＭ４・ｐＭＯＳＭ５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２２・Ｃ２４と、正・負電源ライン間に接続されたｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５にバイアスを与えるｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３と、ｎＭＯＳＭ１４・ｐＭＯＳＭ１５の中心点と正・負電源ライン間に接続されたキャパシタＣ２３・Ｃ２５と、ｎＭＯＳＭ２・ｐＭＯＳＭ３の中心点とｎＭＯＳＭ１２・ｐＭＯＳＭ１３の中心点との間に接続された水晶振動子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ共振器を用いた発振器において、ＴＩＡの雑音の影響を低減し、発振器出力の位相雑音特性を改善することができる発振器を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ共振器７と、ＴＩＡ５と、バッファアンプ９とを備えた発振器において、ＭＥＭＳ共振器７の出力をＴＩＡ５に入力する配線１５に、電磁誘導により結合して、当該配線１５を流れる電流を電圧に変換してバッファアンプ９に出力する電流／電圧変換器を備え、発振器出力を電流／電圧変換器から取り出すようにした発振器であり、また、当該電流／電圧変換器を、配線１５を非接触に取り囲むように形成され、一端が接地され他端がバッファアンプ９に接続する発振出力コイル１１とした発振器である。 （もっと読む）

【課題】 ＥＭＩノイズの悪影響を低減することができる。
【解決手段】 圧電振動素子と、集積回路素子と、絶縁性のベース２と、蓋３とを有する表面実装型圧電発振器１の搭載構造であって、前記ベースの一主面の端部に複数の外部端子電極と、この間に圧電振動素子測定端子が形成され、外部回路基板の一主面には、前記外部端子電極が接続される配線パッドと配線が形成された導電領域５５と、これらが形成されていない他領域５６とを有しており、前記回路基板の配線パッドと前記ベースの外部端子電極を接合した際に、前記圧電振動素子測定端子が対向配置される他領域では、表面の絶縁層の下にグランド電極に接続される導電層５６２が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子、およびセラミック振動子にて、従来の方法では信号の波形歪みが生じ、また、最適な振幅にすることが困難である。そこで、波形歪みを改善し、最適な振幅にすることができる濾波装置を提供する。
【解決手段】電気信号を発振し所望の周波数を生成する発振部（１１）と、発振部（１１）によって発振された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第１濾波部（１２）と、第１濾波部（１２）に直列に接続し電気信号を生成する半導体部（９）と、半導体部（９）によって生成された電気信号を濾過し緩衝信号を生成する第２濾波部（１３）と、を有し、第２濾波部（１３）は、発振部（１１）と直列に接続する濾波装置。 （もっと読む）

【課題】振幅制限を行いながらも消費電流量を低減することができる水晶発振回路を実現する。
【解決手段】インバータＩＮＶの入力端と出力端との間には、水晶振動子ＸＤおよび抵抗器Ｒがそれぞれに並列に接続されている。インバータＩＮＶの入力端と出力端とは、キャパシタＣによりグランドに接続されている。ダイオードＤは、これらインバータＩＮＶ、水晶振動子ＸＤ、抵抗器Ｒに対して、他の回路素子を介することなく単独で並列接続されている。この際、ダイオードＤのアノードがインバータＩＮＶの入力端に接続され、ダイオードＤのカソードがインバータＩＮＶの出力端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】専用端子を設けることなくＬＰＦ用の外付けコンデンサーを接続する。
【解決手段】データ端子１０と、データＤＡを書き込み可能な記憶回路２０と、チップセレクト端子３０と、データ端子１０に接続されたコンデンサーＣ１と、圧電振動子４０と、温度補償電圧ＶＣによって圧電振動子４０が発振する発振周波数を制御する発振回路５０と、温度補償電圧ＶＣを発生する温度補償制御回路６０と、スイッチ回路１００と、を含み、スイッチ回路１００は、データ端子から入力されたデータＤＡの所定のビット値が第１の値に設定された場合、温度補償制御回路６０と発振回路５０とを接続かつデータ端子ＤＡと記憶回路２０とを接続し、データ端子から入力されたデータＤＡの所定のビット値が第２の値に設定された場合、温度補償制御回路６０と発振回路５０とを抵抗素子Ｒ１を介して接続かつデータ端子ＤＡと発振回路５０とを接続する切換動作を行う発振器１。 （もっと読む）

【課題】発熱素子の影響を軽減する。
【解決手段】圧電振動子１０と、制御電圧ＶＣに基づき圧電振動子１０の発振周波数を制
御する発振回路１５０と、温度を検出し第１の電圧Ｖ１を出力する第１の温度検出器Ｔ１
と、温度を検出し第２の電圧Ｖ２を出力する第２の温度検出器Ｔ２と、第１の電圧Ｖ１と
第２の電圧Ｖ２との差の電圧である第３の電圧Ｖ３を出力する差分回路１２０と、第１の
電圧Ｖ１と第３の電圧Ｖ３との和の電圧である第４の電圧Ｖ４を出力する加算回路１３０
と、第４の電圧Ｖ４に基づき制御電圧ＶＣを発生する制御電圧発生回路１４０と、を含む
温度補償型圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器とのインピーダンス整合を考慮した圧電発振器。
【解決手段】電圧発生回路１２０と、電圧発生回路１２０が出力する制御電圧ＶＣに基づ
いて所定の発振周波数で圧電振動子１００を発振させる発振回路１１０と、発振回路１１
０の発振出力をバッファするバッファ回路２１０と、外部出力端子ＯＵＴと、蛇行させた
配線パターンにより形成されるｎ個（ｎは１以上の整数）のインダクタンス素子Ｌ１〜Ｌ
３と、バッファ回路２１０の出力線２１１と外部出力端子ＯＵＴとの間にｎ個のインダク
タンス素子Ｌ１〜Ｌ３の各々を接続するか否か切り替える切替回路２００と、を含む圧電
発振器１。 （もっと読む）

【課題】小型化を図り、チップ部品等の電子部品を後付け可能な構造で、かつ電子部品と
の接続が安定した電子デバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の電子デバイス１０は、第１及び第２のフレキシブル基板２０，４０
と、第１及び第２のフレキシブル基板２０，４０の間に収容される内蔵電子部品１００と
、を備え、第１のフレキシブル基板２０の一方の面に電子部品実装用２２の電極が形成さ
れ、他方の面に第１の内部電極２４が形成され、第１のフレキシブル基板２０に形成され
たビアホール２６により電子部品実装用電極２２と第１の内部電極２４が電気的に接続さ
れ、第２のフレキシブル基板４０の一方の面に第２の内部電極４２が形成され、第１の内
部電極２４と第２の内部電極４２を導電性の接続部材６０で接続し、第１のフレキシブル
基板２０と第２のフレキシブル基板４０との間に内蔵電子部品１００及び接続部材６０を
覆う樹脂部材７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 磁界シールド特性が優れた筐体に密閉した圧電デバイス装置を提供する。
【解決手段】 圧電デバイス（１００）は、天部と側壁部とを有し第１金属材料からなる第１金属ケース（２０）と、天部と側壁部とを有し第１金属ケースを覆うとともに、第１金属とは異なる第２金属材料からなる第２金属ケース（３０）と、第１金属ケースの内側に固定された圧電振動片（１０）と、第１金属ケースと第２金属ケースとが接合されるベース板（２２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特にＳＣカットでのＢモードを抑圧してＣモードでの発振を確実にし、しかも部品点数を少なくした水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子３と第１及び第２コンデンサＣ1、Ｃ2とからなる発振用共振回路１と発振用トランジスタ２とを有し、ベース・コレクタ間に水晶振動子３を、エミッタ・コレクタ間に第１コンデンサＣ1を、エミッタ・ベース間に第２コンデンサＣ2を接続したコルピッツ型で、発振用トランジスタ２のエミッタ・コレクタ間又はエミッタ・ベース間は第１又は第２コンデンサＣ1、Ｃ2にＬＣ直列回路４を並列接続したリアクタンス並列回路５からなり、リアクタンス並列回路５は主振動モードによる発振周波数ｆ1oでは容量性となる共振特性を有し、ＬＣ直列回路４の共振周波数ｆrは副振動モードによる振動周波数ｆo2に一致した構成とする。 （もっと読む）