【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第１端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第１端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第１端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 （もっと読む）

【課題】発振器における小型化の推進、生産性の向上を図ることが可能で、周波数可変幅のばらつきを抑制できるＳＡＷ素子、このＳＡＷ素子を備えた発振器及び電子機器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に形成されたＩＤＴ電極２０と、水晶基板１０の主面１１に形成され、ＩＤＴ電極２０と隣り合う反射器３０，３１と、水晶基板１０の主面１１に形成されると共に、一端がＩＤＴ電極２０と接続されたスパイラルインダクター４０と、を備え、スパイラルインダクター４０は、水晶基板１０に必要な周波数可変感度を得るための定数を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度補償型水晶発振制御用集積回路の端子の共用化を実現する。
【解決手段】温度補償型水晶発振制御用集積回路１００は、電源電圧が入力される電源端子と、水晶振動子の両端と接続される二つの水晶振動子接続端子と、水晶振動子の周波数調整を行う周波数調整部１１２に接続され、外部制御電圧が入力される外部制御端子と、水晶振動子の発振出力が出力される発振出力端子と、書込み許可部１１６と、を備え、電源端子、外部制御端子、及び発振出力端子のうちいずれかは、プログラムイネーブル信号がさらに入力される共用端子であり、共用端子への入力からプログラムイネーブル信号を検出するプログラムイネーブル信号検出部１１５をさらに備え、かつ、書込み許可部１１６は、プログラムイネーブル信号検出部１１５によってプログラムイネーブル信号が検出されたとき、ＰＲＯＭ回路１１３への周波数調整データの書込みを許可するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の調整範囲を広げる。
【解決手段】第１の端子Ｐ１と第２の端子Ｐ２を含む圧電振動子１００と、外部から印加する制御電圧Ｖｃにより静電容量が変化する可変容量素子ＶＣ１，ＶＣ２と第３の端子Ｐ３と第４の端子Ｐ４を含み圧電振動子１００を発振させ所定の周波数の発振信号を出力する発振回路２００と、圧電振動子１００及び発振回路２００を含むパッケージ１０と、第１の端子Ｐ１と第３の端子Ｐ３との間に接続され配線の容量値及びインダクタンス値を変更可能なパッケージ１０上に形成された第１の切替部３１０と、第２の端子Ｐ２と第４の端子Ｐ４との間に接続され配線の容量値及びインダクタンス値を変更可能なパッケージ１０上に形成された第２の切替部３２０と、を含む電圧制御圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な高周波発振器を提供する。
【解決手段】第１ポート１３及び第２ポート１４を有する２ポート型のＳＡＷ共振子１２と、増幅器１５と、基板１６上に形成され、前記増幅器１５の入出力間に前記ＳＡＷ共振子１２を接続する信号線と、を備え、前記ＳＡＷ共振子１２、前記増幅器１５、及び前記信号線により帰還型発振回路が形成され、前記第１ポート１３から出力される信号と前記第２ポート１４から出力される信号とを合成し、高調波を出力する合成出力回路２１を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 小面積で形成され、位相雑音を低くできる発振装置を提供する。
【解決手段】 増幅器から出力された信号を共振器を介してフィードバックすることにより所望の周波数を得る帰還型の発振装置において、
前記共振器は、
大まかな共振周波数を決定する水晶振動子と、
この水晶振動子で決定された大まかな共振周波数を基準として数百ヘルツ単位の周波数の調整を行なう周波数粗調用インダクタと、
この周波数粗調用インダクタでは調整しきれない数十ヘルツ〜数ヘルツの周波数の調整を行なう周波数微調用インダクタと
を備える。 （もっと読む）

【課題】高価なＦＥＴを用いることなく、例えば１０ＧＨｚ以上の高周波数波帯で用いる場合にも使用可能で、広帯域化を図った高周波発振回路を構成する。
【解決手段】発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のゲートを直列帰還素子である線路ＳＬ１を介して接地し、発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のソースをインダクタＬ３を介して直流的に接地し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のドレインをインダクタＬ１を介して電源端子Ｖｄに接続し、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースをキャパシタＣ２を介して高周波的に接地し、且つバッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のソースを直流電流経路用インダクタＬ２を介して発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインに接続する。また、バッファアンプ用ＦＥＴ Ｑ２のゲートと発振回路用ＦＥＴ Ｑ１のドレインとの間を直流カットキャパシタＣ１および線路ＳＬ２を介して接続し、この電気長を発振周波数の１／２波長未満とする。 （もっと読む）

【課題】デッドスペースのない効率的に小型化された弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１６の一方の主面１４にすだれ状電極１１が形成された弾性表面波素子片１０と、弾性表面波素子片１０を励振する発振回路が形成されたＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０の一方の面２２または他方の面２３から厚み方向に突出するようにＩＣチップ２０に形成された突出部３０と、を備え、弾性表面波素子片１０は、平面視において、弾性表面波素子片１０がＩＣチップ２０の外形内に収まり、且つすだれ状電極１１が形成された領域と突出部３０とが重ならない位置で、圧電基板１６の他方の主面１５が突出部３０に固定され、すだれ状電極１１とＩＣチップ２０とが電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基本波用の発振回路が集積化された発振用ＩＣを用いて３次オーバトーンの水晶発振器を提供する。
【解決手段】コレクタとベース間にバイアス抵抗Ｒを有して、コレクタに定電流源Ｉからの定電流を供給し、エミッタ接地とした発振用トランジスタＴｒと、ベースに直流阻止コンデンサＣｓを経てアース電位との間に接続した発振用の第１コンデンサＣ１及びコレクタとアース電位との間に接続した発振用の第２コンデンサＣ２とを有する発振用ＩＣ１を備え、第１コンデンサ及び第２コンデンサとの間に接続した水晶振動子２を有する水晶発振器において、第１コンデンサと並列共振回路を形成するインダクタＬを発振用ＩＣとは別個に独立して接続し、第１コンデンサとインダクタとによる並列共振周波数を、水晶振動子の基本波での発振周波数よりも高くかつ水晶振動子の３次オーバトーンでの発振周波数よりも低く設定して３次オーバトーンでの発振とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の、位相雑音を抑えるためにトランスを使用した水晶発振器では、形状が大きくなってコストが増大し、数百ＭＨｚ以上の高い周波数で特性が不安定になるという問題点があり、本発明は、位相雑音が低く、小型且つ安価で、数百ＭＨｚ以上でも特性が安定している水晶発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 トランスの代わりに、発振閉ループに、λ／４変成器と抵抗を直列に接続した回路を挿入し、抵抗の両端から発振出力を得る構成の水晶発振器であり、また、λ／４変成器を電気長がλ／４より長いマイクロストリップラインで形成してスリットを設け、当該スリット間をコンデンサで接続した構成として、λ／４変成器のインピーダンス及び出力周波数の調整を容易にした水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】モノリシック・アンテナ励起音響変換（ＭＡＥＡＴ）装置を用いて基板内に音波を励起する圧電基板を有する検査装置。
【解決手段】音響装置は金属製の励起アンテナを圧電基板上にフォトリソグラフィーで堆積することにより製造する。検査装置は、音響装置と、励起アンテナと接続された可変周波数発信器と、検出回路と、音響装置のパラメータを監視しながら固有振動数を含む周波数範囲にたいし発信器を掃引させるコントローラから構成される。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の調整を容易にしたインダクタを有する弾性表面波発振器を提供する。
【解決手段】発振用増幅器と帰還回路とから発振閉ループを形成し、前記帰還回路には少なくとも弾性表面波フィルタと、発振周波数を変化させるインダクタと有する弾性表面波発振器において、前記インダクタは少なくともトリミングパターンを有し、前記トリミングパターンの両端子間に最下段が接続した２段以上の第１梯子状パターンと、前記第１梯子状パターンに並列方向に接続した少なくとも第２梯子状パターンを有することを構成とする。 （もっと読む）