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Fターム[5J108FF01]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 電極 (2,795) | 励振電極 (1,099)

Fターム[5J108FF01]の下位に属するFターム

形状 (249)
多層構造のもの (210)
寸法 (101)
材料 (411)

Fターム[5J108FF01]に分類される特許

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【課題】温度係数が逆符号のXカット水晶板とYカット水晶板とを直接接合して零温度係数をもつ水晶振動子を構成し、温度依存性が小さく、かつ、電気機械結合係数が大な、さらに周波数温度特性の良い水晶振動子を得る。
【解決手段】プラスの温度係数を有するXカット水晶板10とマイナスの温度係数を有するYカット水晶板11の対向する主面を適宜の接合方法により直接接合するとともに、他の対向する露出した主面に電極12をそれぞれ形成して零温度係数を有する水晶振動子を構成する。 (もっと読む)


【課題】環境温度の検出結果に基づいて出力周波数を補正する発振装置において、出力周波数の温度補償を高精度に行うこと。
【解決手段】共通の水晶片により第1及び第2の水晶振動子を構成すると共に、これら水晶振動子に夫々接続される第1及び第2の発振回路の発振出力をf1、f2とし、基準温度における第1及び第2の発振回路の発振周波数を夫々f1r、f2rとすると、f1とf1rとの差分に対応する値と、f2とf2rとの差分に対応する値と、の差分値に対応する値をそのときの温度として取り扱う。そしてこの差分値に対応する値に基づいてf1の周波数補正値の近似式により第1の補正値を求め、この第1の補正値と実測した周波数補正値との差である補正残差から当該補正残差分を相殺するための第2の補正値を求める。そしてこれら第1の補正値と第2の補正値との和から周波数補正値を求める。 (もっと読む)


【課題】サーミスタ電極に外部からのノイズが重畳することを低減し、温度情報の差異を抑え、発振周波数の変動を低減させた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、素子搭載部材110と、素子搭載部材110に搭載されており励振用電極122を有している圧電振動素子120と、素子搭載部材110の内部に設けられているサーミスタ電極140とを備えている。サーミスタ電極140の全体が、平面透視において圧電振動素子120の励振用電極122と重なっている。 (もっと読む)


【課題】振動子の周波数調整において、電極パターンの電気容量の変化を低減し、電極パターンの浮遊容量の発生を抑制することで、振動子の精度を向上させる。
【解決手段】振動部分に加えて固定部分を有する振動子において、振動部分に金属膜を付着することによって周波数調整を行う場合に、金属膜を付着する必要がない固定部分において、周波数調整用の金属膜が不可避的に付着する可能性がある部分に金属膜を予め形成しておく。金属膜を予め形成しておくことによって、周波数調整時に固定部分に調整用の金属膜が付着した場合であっても、電気的特性が変化しないようにすることで、電極パターンの電気容量の変化を低減し、また、電極パターンの浮遊容量の発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】圧電板の外形を正しく認識して、電極部を高精度に形成できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】金属積層膜28上にフォトレジスト材を塗布し、金属積層膜28上にフォトレジスト膜44を形成する第1フォトレジスト膜材形成工程と、フォトレジスト膜44をパターニングしてレジストパターン54を形成する第1パターニング工程と、レジストパターン54の形成領域以外の領域の金属積層膜28を除去して、下地電極膜を形成する第1エッチング工程と、を有し、フォトレジスト膜形成工程は、ウエハSにおける第1面Sa側に配置された第1治具72、及び第2面Sb側に配置された第2治具73により、ウエハSを厚さ方向の両側から挟持して行い、第1治具72及び第2治具73は、ウエハSの厚さ方向から見て重なり合わない位置に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単かつ安価に、所望の振動特性を得ることができる振動体を用いた振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】振動体2は、基部27と、該基部から延出する3つの振動腕28、29、30と、該振動腕上に設けられた圧電体素子22、23、24とを有し、該圧電体素子は、該振動腕上に設けられた第1の電極層221、231、241と、該第1の電極層上に設けられた圧電体層222、232、242と、該圧電体層上に設けられた第2の電極層223、233、243とを備え、これらの層のうちの少なくとも1つの層には、その厚さ方向に貫通する微細な複数の孔が形成され、これにより、該圧電体素子の振動特性が調整されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、励振電極をキャビティの外に形成することにより小型化された圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電デバイス(100)は、一主面及び他主面を有し、電圧の印加により振動する圧電振動部(111)を有する第1板(110)と、第1板の一主面に接合される第2板(120)と、第1板の他主面に接合される第3板(130)と、圧電振動部を振動させる第1励振電極(160a)及び第2励振電極(160b)と、を備え、第1励振電極は第2板の第1板とは反対側の面に形成され、第2励振電極は第3板の第1板とは反対側の面に形成される圧電デバイス。 (もっと読む)


【課題】MEMS共振器において、差動動作を可能とする構成を有して、ノイズの低減を図ることができ、小型で高出力の捩り振動を用いたMEMS共振器を提供すること。
【解決手段】MEMS共振器は、両端が捩り振動の節となり、中央が捩り振動の腹となる振動部(5a)を有する振動子(5)と、前記振動部(5a)の外周面を構成する少なくとも2つの側面に対向し、前記振動部(5a)の中央に配置された少なくとも3つの電極(2,3,7)と、を備えており、前記少なくとも3つの電極における2つの電極に対して、互いに位相が180度異なる交流信号が入力または出力されるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】振動体の支持構造体の寸法精度のばらつきによる共振周波数のばらつきを小さくし、かつ、支持構造体から漏洩するエネルギー損失を極力小さくする。
【解決手段】ディスク型の振動体1と、該振動体1の両側に前記ディスク型振動体の外周部に対して所定の空隙gを有して、それぞれ対向して配置される駆動電極2,2と、該駆動電極2,2に同相の交流バイアス電圧を印加する手段2aと、前記ディスク型振動体1と前記駆動電極2,2との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段3,3aとを備えた静電駆動型のディスク型MEMS振動子において、前記ディスク型振動体1が該ディスクの中心に直立して設けた柱状の支持構造体1aで支持され、かつ、該支持構造体1aの横断面形状が非円形であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】CI値を低く抑え、且つ加工が容易な小型の振動子を提供することを目的とする。
【解決手段】振動子の振動細棒の表面及び裏面のいずれか又はその両方に溝(120a)を形成し、かつ、この溝の中に電極(140a)を形成する。これによって、CI値を低く抑え、且つ加工が容易な小型の振動子を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも2つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 (もっと読む)


【課題】内部応力の集中を回避し、信頼性の高い振動片、振動子、発振器を提供する。
【解決手段】基部10と、前記基部から延出する腕部20,30,40とを備える振動片であって、前記腕部10の一方の主面に配置される圧電素子を備え、前記圧電素子は圧電体膜70a、70b、70cと、前記圧電体膜の一方の側に設けた第1電極膜50と、前記圧電体膜の他方の側に設けた第2電極膜60と、を備え、前記圧電素子は、前記第1電極膜を前記主面の側に配置され、前記圧電体膜の前記基部の側の端部が、前記腕部の平面内に有る振動片。 (もっと読む)


【課題】圧電体膜の段差部へ第2電極を延伸して確実に形成することが可能な圧電振動片を提供する。
【解決手段】水晶振動片(屈曲振動片)1は、基部2と、基部2から延長して形成され屈曲振動をする振動腕3と、励振電極(第1電極)12と、励振電極(第2電極)22と、励振電極12および励振電極22との間に配置された圧電体層6と、を含み、励振電極12を振動腕3の側にして少なくとも振動腕3に形成された積層構造体9と、を有し、励振電極22は、積層構造体9からさらに延伸し、圧電体層6の端部の段差部7を含んで基部2にまで形成され、段差部7では振動腕3に形成された励振電極22より幅の広い拡幅部4を有していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 小型化されても電界成分が減少しなく、生産性及び振動の安定性に優れる圧電振動片または圧電デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電振動片(10A)は、表裏面を有する矩形状の音叉基部(11)と、表裏面とその表裏面と交差する両側面とを有し、音叉基部のX軸方向の幅よりも狭い位置からY軸方向に伸びる一対の振動腕(12)と、一対の振動腕の表裏面から音叉基部の表裏面まで伸びる二対の振動腕溝部(13A、13B)と、二対の振動腕溝部に並行して配置され、音叉基部のX軸方向の両外側に形成される一対の段差側面部(15A、15B)と、振動腕の一方に設けられた振動腕溝部と音叉基部の一方の段差側面部に形成された第1電極と、振動腕の他方に設けられた振動腕溝部と音叉基部の他方の段差側面部に形成され、第1電極とは異なる極性の第2電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、振動部と振動電極とを所定の間隙に維持して、十分な気密性が確保できる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 厚みすべり振動モードを有する振動部(SB)とこの振動部の周囲に形成され前記振動部を支持する支持枠部(SW)とを有する圧電振動板(20)と、圧電振動板に接合され、前記振動部に対応する位置に振動部を励振させる励振電極とこの励振電極の周囲に形成される周囲部とを有する第1カバー板(10)と、を備え、圧電振動板の支持枠部と前記第1カバー板の周囲部との少なくとも一方に、振動部と励振電極とを所定の間隙に維持する高さで振動部の全周を囲む第1凸部(11)を有し、第1凸部を除く第1凸部の近傍に振動部の全周を囲んで塗布された接着剤(23)で圧電振動板と第1カバー板とが接合される。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単かつ安価に、所望の振動特性を得ることができる振動体および振動デバイスを提供すること。
【解決手段】振動体2は、基部27と、基部27から延出する3つの振動腕28、29、30と、振動腕28、29、30上に設けられ、通電により伸縮して振動腕28、29、30を振動させる圧電体素子22、23、24とを有し、圧電体素子22、23、24は、振動腕28、29、30上に設けられた第1の電極層221、231、241と、第1の電極層221、231、241上に設けられた圧電体層222、232、242と、圧電体層222、232、242上に設けられた第2の電極層223、233、243とを備え、これらの層のうちの少なくとも1つの層には、その厚さ方向に貫通する微細な複数の孔が形成され、これにより、圧電体素子22、23、24の振動特性が調整されている。 (もっと読む)


【課題】共振器の信号対ノイズ比の効果的な低減を可能にするのに十分に高い振動振幅を達成しながら、安定した様式でヒステリシス効果の抑制を実現することを可能にする、共振器を発見提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つの変形可能な要素(20)と、少なくとも1つの第1の周波数での第1の作動力および少なくとも1つの第2の周波数での第2の作動力を同時に少なくとも1つの変形可能な要素に加えるための、この変形可能な要素のための作動手段(40、42、44)とを含み、第1および第2の周波数が作動力のうちの1つの周波数に等しい周波数で少なくとも2つの同時共振を生成する、電気機械共振器に関する。 (もっと読む)


【課題】 振動腕部の側面に設けられる励振用電極をショートさせずに、容易に電極形成を行う。
【解決手段】 音叉型屈曲水晶振動素子であって、基部と、基部から延設する2つ一対の振動腕部と、振動腕部の間であって基部から延設する内側腕部と、振動腕部と向かい合うそれぞれの内側腕部の側面に内側腕部から所定の間隔をあけて設けられる電極膜切断用腕部と、を備え、内側腕部の振動腕部と対向する側面と電極膜切断用腕部の振動腕部と対向する側面とに電極膜が設けられ、内側腕部の振動腕部と対向する側面に設けられる電極膜と電極膜切断用腕部の振動腕部と対向する側面に設けられる電極膜とが切断した状態で構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発振周波数の変動を抑制すること。
【解決手段】図2に示す振動子10は、互いに対向する位置に配置され、同一材料の一対の筐体となる基板12、13と、基板12、13にそれぞれ設けられる励振用の電極17、18と、基板12、13間に設けられ、電極17、18に電圧が印加されることにより発振する可動部16と、可動部16を支持し、外力の可動部16への伝達を抑制する少なくとも2つの支持部15、15と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 圧電振動デバイスの製造に際し、アニール処理により減少させたCI値が、アニール処理後のさらなる熱処理により大幅に増加することを抑制する。
【解決手段】圧電材料からなる圧電振動片1において、前記圧電材料に接合する第1金属と、この第1金属に接合する第2金属とにより励振電極26,27を形成する。ここで、前記第2金属は前記第1金属よりも高い導電性を有するものとし、且つ、前記第2金属に対する前記第1金属の重量比を、5.9%超〜30.3%以下とする。 (もっと読む)


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