【課題】 ドハティ増幅器の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅回路６に高調波反射回路６４を備えたドハティ増幅器において、ドハティ増幅器の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生回路３を備え、２次高調波をキャリア増幅回路６の入力に注入すると共に、高調波発生回路３を、飽和型２次高調波発生器３７と、可変減衰器３４と可変移相器３３とで構成して、２次高調波の出力レベルを必要十分なレベルで飽和させ、更に最適なレベルとなるよう調整することができ、高調波反射による効率向上を図ると共に、高調波発生回路３における消費電力を低減して、ドハティ増幅器全体の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）

【課題】 キャリア増幅器が飽和する前にピーク増幅器に流れる電流を低減して、増幅器全体としての効率を向上させることができる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級又はＢ級で動作する増幅素子を備えたキャリア増幅回路４と、Ｂ級又はＣ級で動作する増幅素子を有し、入力レベルに応じて段階的に動作を開始する複数のピーク増幅回路５-1〜５-nとを備え、キャリア増幅回路４とピーク増幅回路５-1〜５-nの出力を合成して出力し、ピーク増幅回路５-1〜５-nの内、最も低い入力レベルで動作を開始するピーク増幅回路の飽和出力がキャリア増幅回路４の飽和出力より小さい増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】Ｑファクタの低下を伴わずに出力整合回路としてのトランスフォーマ(変圧器)の一次側の入力インピーダンスを低減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅器は、トランジスタ3A 、3Bと出力整合回路としてのトランスフォーマ１A、１Ｂ、2を具備する。トランスフォーマは、磁気的に結合した一次コイル１A、１Ｂと二次コイル2を有する。トランジスタ3A 、3Bの入力端子に入力信号＋Input、−Inputが供給され、一次コイル１A、１Ｂにトランジスタ3A、3Bの出力端子が接続され、二次コイル2から出力信号Outputが生成される。一次コイルはトランジスタの出力端子の間に並列に接続され二次コイル2と磁気的に結合した第１コイル１Aと第２コイル１Ｂを含む。一次コイルの並列接続によって、一次コイルの入力インピーダンスが低減される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数特性を得ることができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】信号が入力される信号線路入力端子１２から能動素子１０の入力端子に至る入力線路１１と、能動素子の出力端子から信号を出力する信号線路出力端子２２に至る出力線路２１とを備えた回路に設けられ、能動素子に直流電力を供給する基板上に形成されたバイアス回路において、直流電力が供給される給電線路２７ａと、出力線路と給電線路とを接続する曲げ加工された架橋形の金属構造体２０と、給電線路と金属構造体との接続点と接地との間に設けられた容量素子２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の種類および入力信号電力レベルに依存することなく、常に高効率で動作させることが可能な電力増幅器の提供。
【解決手段】 電力増幅器は高周波入力信号のキャリアを増幅するキャリア増幅器２と、高周波入力信号のピーク成分を増幅するピーク増幅器３と、高周波入力信号の平均電力レベルを検出する平均電力レベル検出回路１１と、高周波入力信号のピーク電力レベルを検出するピーク電力レベル検出回路１２と、平均電力レベル検出回路１１の出力電圧信号に応じてキャリア増幅器２に供給する直流電圧を制御する第１電圧制御器１０ａと、ピーク電力レベル検出回路１２の出力電圧信号に応じてピーク増幅３器に供給する直流電圧を制御する第２電圧制御器１０ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】電源投入時の不要発振を低減すると共に、最終段ＦＥＴの破損を防ぐことのできる多段増幅回路に関し、回路構成を簡略化してコストダウンを可能とする多段増幅回路を提供する。
【解決手段】多段増幅回路１は４段構成の増幅回路を有し、多段増幅回路において、入力に最も近い第１段増幅器１１の出力は第２段増幅器１２の入力に接続され、第２段増幅器１２の出力は、第３段増幅器１３であるＬＤＭＯＳＦＥＴの入力に接続されている。さらに、第３段増幅器１３の出力は第４段増幅器１４であるＧａＡｓＦＥＴの入力に接続され、第４段増幅器１４の出力が図示しないアンテナフィーダに接続されている。さらに、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ３との時定数により第３段増幅器１３（ＴＲ３）のバイアス電圧の立ち上がりタイミングを第４段増幅器１４（ＴＲ４）の立ち上がりタイミングよりも遅延させる。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路および安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波負性抵抗発振に伴う負性抵抗を有する能動素子１４０の主電極に接続される抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とを備え、能動素子の負性抵抗をキャンセルすることを特徴とする安定化回路および安定化回路を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド又はマルチモードに適した高周波回路、高周波電力増幅装置、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波回路は、高周波信号を増幅する高周波回路であって、高周波信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、増幅回路の出力と接続された負荷回路と、複数の伝送線路と、増幅信号の所定パラメータに応じて、複数の伝送線路の中から負荷回路の出力と接続する伝送線路を選択する選択回路と、選択回路で選択された伝送線路毎に、増幅回路から増幅回路の出力側をみたときの負荷インピーダンスを所定の負荷インピーダンスに変換する変換回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴが破損するようなバイアスに誤設定されることなく、ＦＥＴのバイアス調整を行い得るバイアス制御装置を提供する。
【解決手段】ゲートバイアス回路１において、可変電圧リファレンス３１にてＦＥＴ１２，２２間で共通の温度補償用の正電圧信号を生成すると共に、この温度補償用の正電圧信号とは別に、電圧リファレンス３２から発生する正電圧信号を各可変抵抗３６，３７に通すことによりＦＥＴ１２，２２ごとに異なるバイアス調整用の正電圧信号を生成し、これら温度補償用の正電圧信号とバイアス調整用の正電圧信号とを各オペアンプ３３，３４で加算し反転増幅することで、各ＦＥＴ１２，２２へのバイアス電圧を生成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】エンベロープトラッキングを採用し、ＤＰＤを設ける場合であっても、ドレイン電圧の切り替えに伴うスペクトラムの劣化等を低減することが可能な電力増幅装置を提供する。
【解決手段】制御部１６は、ＯＦＤＭ信号から検波したエンベロープに基づいて、電圧操作部３０から出力されるドレイン電圧の電圧値を切り替える。電力増幅器２０は、このドレイン電圧を駆動電圧としてＯＦＤＭ信号を増幅する。また、制御部１６は、ドレイン電圧の電圧値を切り替える際、選択部１４に切り替え後の電圧値に対応する逆歪み特性を選択させる。これにより、ドレイン電圧の電圧値が瞬時に切り替わったとしても、その電圧値に対応する逆歪み特性を即座に選択することが可能となる。 （もっと読む）

送信装置（300）における雑音を抑圧する技術が提供され、当該送信装置（300）は、ベースバンド信号をＲＦ信号に変換する変調器（316, 320）を備え、ベースバンド周波数で動作するベースバンド信号処理ステージ（301）と、ＲＦ信号を増幅する増幅器（330）を備え、ＲＦで動作するＲＦ信号処理ステージ（302）とを備える。本技術を実現する方法は、増幅器（330）の回りに接続されたフィードバックループ（333, 336）において実行されるステップとして、ベースバンド信号成分と雑音成分とを含む増幅されたＲＦ信号を取得するために、増幅器（330）の下流でＲＦ信号処理ステージ（302）をタップするステップと、タップされたＲＦ信号をベースバンド周波数にダウンコンバートするステップと、ダウンコンバートされた信号からベースバンド信号成分を除去するステップと、雑音成分を依然として含む、当該除去の結果として得られた信号を、ＲＦ周波数にアップコンバートするステップと、アップコンバートされた信号を、増幅器（330）の上流でＲＦ信号処理ステージ（302）にフィードバックすることにより、雑音成分を抑圧するステップと、を含む。
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【課題】ミリ波帯において、安定して動作するとともに、高利得または高出力なミリ波デバイスを実現することができるカスコード回路を提供することにある。
【解決手段】２つのトランジスタが縦続接続されたカスコード回路であって、ソースが接地されたＨＥＭＴ１と、ソースがＨＥＭＴ１のドレインに接続されたＨＥＭＴ２と、ＨＥＭＴ２のゲートに接続され、反射利得を抑制する反射利得抑制抵抗３と、反射利得抑制抵抗３のＨＥＭＴ２と反対側に接続され、所定周波数近傍の高周波信号を短絡するオープンスタブ４とを備えたものである。 （もっと読む）

入力歪補償信号を作り出すために、ＲＦフィードバック・パスを使用することによって高効率性および高線形性を同時に備えながら、動作するようになされた電力増幅器。この電力増幅器は、主増幅器（ＭＡ２１）と、２つのスプリッタ（ＳＰ２１、ＳＰ３１）と、１つの合成器（ＣＯ２１）と、１つの減算器（ＳＵ２１）と、２つの移相器（ＰＨ２１、ＰＨ３１）と、１つの減衰器（ＡＴ２１）と、１つの誤差増幅器（ＥＡ２１）とを主に含む。スプリッタ、減算器、および合成器は、９０°または直交ハイブリッド結合器の形態で設計される。直交ハイブリッド装置は、いくつかの集中型または伝送線要素で実装することができ、同相スプリッタに比べて、同相端子および９０°移相端子に接続される負荷からの等しい値の反射率で、反射波が、主入力端子において欠けていき、その結果、直交ハイブリッド装置の入力電圧定常波比は、等しい負荷の不整合レベルに依存しないという重要な利点を有する。
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【課題】低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得特性を得ると共に、低消費電力で小型な高周波低雑音増幅器を提供する。
【解決手段】高周波低雑音増幅器10において、初段の増幅回路12は、低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得が得られるGaNをベースとしたＨＥＭＴを用い、次段以降には低消費電力で小型にできるGaAsをベースとしたＨＥＭＴを用いた増幅回路13を採用した。これらを多段カスケード接続した構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンス変換器の物理長を変化させることなく増幅器のインピーダンス調整を行えるようにして、容易に最適な特性を得ることができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅器１４の出力側に設けられた出力整合回路１５０に、半固定可変コンデンサ１５３を備えたドハティ増幅器としており、半固定可変コンデンサ１５３の静電容量を変化させることによりインピーダンスを調整して、インピーダンス変換器１６に設けられているマイクロストリップラインの物理長を変化させることなく、容易に最適な特性が得られるインピーダンスに調整することができるものである。 （もっと読む）

レンズアレイ増幅器の形態に基づくモジュラー・ソリッドステートＭＭＷパワーソースは、出力パワーを調整フレキシビリティと効果的な熱管理の両方を提供する。モジュラーパワーソースは、１以上のパワーディバイダと１以上のソリッドステート増幅ステージとを使用する単一のサブモジュールを含んでいて、ＲＦ入力信号をＲ個の増幅ＲＦ信号に分割し増幅する。サブモジュールはヒートシンクの表面上の適切にはＸ−Ｙ平面にマウントされ、冷たいバックプレーンに適切に結合されて熱を除去する。Ｒ個の１：Ｎ低ロスパワーディバイダは増幅されたＲＦ信号をＲ^＊Ｎ個の放射素子に導く。１：Ｎパワーディバイダの各々は、Ｘ−Ｚ平面に適切に存在し、Ｙ方向に積層されて、Ｙ−Ｚ平面のＲ^＊Ｎ個の放射素子のプレーナ出力を提供する。単一のサブモジュール上に増幅チップを配置すると、増幅チップ数、即ち放射素子数からの出力パワーを分離できる。増幅チップを放射素子から離して配置すると、ヒートシンクからバックプレーンに向かう大きな断面を有する短経路を形成でき熱を除去できる。この形態によると、高いアンテナ利得と結合される高出力パワーを生成でき、以前はジャイロトロンでのみ達成可能であった大きなパワーアパーチャー製品を作成できる。増幅チップはよりパワフルになるので、この形態によるとより少ないチップを使用することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】簡単に最適な状態へ調整することができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】メインアンプから出力されるＲＦ信号を入力するＲＦ入力Ａと、ピークアンプから出力されるＲＦ信号を入力するＲＦ入力Ｂと、ドハティ増幅器を構成する二つの高周波アンプの出力信号を９０度の位相差を加えて合成するλ／４ラインと、λ／４ラインの合成部のインピーダンスを出力負荷インピーダンスへ変換するインピーダンス変換回路と、インピーダンス変換回路に接続された電源ラインと、ＲＦ入力Ａからλ／４ラインとの間に挿入されたコントロール電圧ＶｃｏｎｔＡで動作をＯＰＥＮとＳＨＯＲＴに切り替え可能なＤＣスイッチＡと、ＲＦ入力Ｂからλ／４とインピーダンス変換回路の合成部との間に挿入されたコントロール電圧ＶｃｏｎｔＢで動作をＯＰＥＮとＳＨＯＲＴに切り替え可能なＤＣスイッチＢと、電源ラインに接続した歪みを抑圧する高調波制御回路とから構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

本開示は、概して高速、低信号電力増幅を提供する方法および装置に関する。１つの例示的実施形態において、本開示は、第１の伝送線を第２の伝送線と並列に形成することによる、信号の広帯域増幅を提供する方法に関し、第１の伝送線および第２の伝送線の各々は、複数の超伝導伝送要素を有し、各伝送線は伝送線遅延を有し、複数の増幅段を第１の伝送線と第２の伝送線との間に挿入し、各増幅段は共振回路遅延を有する共振回路を有し、複数の増幅段のうちの少なくとも１つに対する共振回路遅延を超伝導伝送線のうちの少なくとも１つの伝送線遅延と、実質的に整合させる。
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【課題】
本発明の目的は、高出力特性及び高利得特性を有するとともに、安定動作性を有する増幅器を提供することである。
【解決手段】
上記課題を解決するために、複数のカスコードトランジスタと、隣接するカスコードトランジスタ間に配置された抵抗素子と、を具備する増幅器が提供される。カスコードトランジスタはソース接地トランジスタとゲート接地トランジスタとが直列に接続されて構成されていることを特徴とする。また、抵抗素子は、ソース接地トランジスタとゲート接地トランジスタとが接続されている接続ノード間を接続していることを特徴とする。
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