【課題】ピーク信号の電力および位相を最適化できるようにして、ドハティ増幅装置の生産性、リニアリティおよび効率を改善する。
【解決手段】ドハティ増幅装置を改良した増幅装置２においては、減衰器２４２および移相器２４４によるピーク信号の位相および電力の最適に調整される。この最適化の結果、キャリア増幅部２２およびピーク増幅部２４において生じるキャリア信号と、ピーク信号との位相差が解消されるので、高効率で、しかも、リニアリティよく、無線信号を増幅できるようになる。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増大させずにインダクタンスを大きくすることができる増幅器及び無線機を提供すること。
【解決手段】増幅器が、基板と、前記基板上に配置され、入力信号を増幅して出力する第１〜第４の増幅部と、前記基板上に配線され、前記第１の増幅部の出力と前記第２の増幅部の出力、前記第２の増幅部の出力と前記第３の増幅部の出力、前記第３の増幅部の出力と前記第４の増幅部の出力、及び前記第４の増幅部の出力と前記第１の増幅部の出力とをそれぞれ接続し、少なくとも一つの蛇行部を備えた第１〜第４の誘導性線路と、前記第１〜第４の誘導性線路と磁界結合する第５の誘導性線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のインピーダンス整合回路を低損失で実現する。
【解決手段】
信号経路上に直列に接続される、第１整合部と、第１直列整合手段と第１並列整合手段とからなる第２整合部と、第２直列整合手段とスイッチと第２並列整合手段とからなる第３整合部とにより構成され、第１の周波数では第１整合部を適宜設計することにより、第２の周波数では各直列・並列整合手段を適宜設計することにより整合対象のインピーダンスに整合される。第１並列整合手段は第１の周波数にて信号経路から切り離されるように設計され、第２整合部と第３整合部は、第２の周波数にて第２整合部と第３整合部との接続点から回路素子側を見たインピーダンスと整合対象のインピーダンスとの変換比が、第１整合部と第２整合部との接続点から回路素子側を見たインピーダンスと整合対象のインピーダンスとの変換比より小さくなるように設計される。 （もっと読む）

【課題】過入力判定回路の回路構成を簡易にし、かつ、入力信号レベルを検出するための回路にばらつきがあっても過入力判定における誤判定を防止する。
【解決手段】過入力判定回路２は、ゲート電圧を供給するゲート用定電圧源２１とＦＥＴのゲート端子との間に設けられたゲート抵抗２２と、ドレイン電圧を供給するドレイン用定電圧源２３とＦＥＴのドレイン端子との間に設けられたドレイン抵抗２４と、ドレイン抵抗のドレイン端子側に接続された整流回路２５と、整流回路２５の出力電圧の値によって過入力であるか否か判定する判定回路２６とを備えている。ゲート抵抗２２の抵抗値は、入力信号レベルが過入力であると判定される判定レベルを越えるとゲート電流の電流量が立ち上がる値に選定され、ドレイン抵抗２４の抵抗値は、入力信号レベルが判定レベルを越えた場合に整流回路２５の出力電圧を変化させる値に選定されている。 （もっと読む）

【課題】従来の高周波増幅器ではショートスタブと使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成するが、使用周波数の中心周波数以外ではインピーダンス整合がとれず、出力整合回路が狭帯域となる。
【解決手段】入力整合回路からの信号を増幅する、出力インピーダンスが50Ωより低く、容量性領域にある高周波トランジスタの出力側に直列接続された直列インダクタと、この直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと並列に接続された並列インダクタと、直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと直列に接続された使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成し、並列インダクタと１／４波長程度の長さの線路との間のインピーダンス値が高周波トランジスタの出力インピーダンスと50Ωの間となるようにされる。 （もっと読む）

【課題】回路を複雑にすることなく高効率な高周波電力増幅器および電力増幅方法を提供する。
【解決手段】メインアンプ１および所定の出力以上になると動作するピークアンプ２とによりドハティ型増幅器と呼ばれる回路を構成し、入力信号の一方は、メインアンプ１へ、他方はλ/４線路３を介してピークアンプ１へ入力される。メインアンプ１の出力は、λ/４線路４を介して出力され、そのλ/４線路４の出力は更にλ/４線路５へ入力される。
ピークアンプ２の出力も同様にλ/４線路５へ入力され、バンドパスフィルタ６は、このピークアンプの出力を入力し入力信号の２倍波の信号を抽出して更に補償部７へ出力する。補償部７は振幅および位相を整えた信号を両アンプ１、２の入力へフィードバックする。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】 ２次高調波の反射レベルを増大させると共に、寄生容量による電力損失を無くして、ドハティ増幅装置の電力効率を更に向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器において、２次高調波を発生する高調波発生器３２と、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器３３と、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器３４とを備え、基本波信号に２次高調波を注入した合成信号を、高調波反射回路６４を備えたキャリア増幅回路６の入力信号とし、更にキャリア増幅回路６のＦＥＴ６２と出力整合回路６３との間にＥ級処理回路６５を備えた高周波電力増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】高効率スイッチド利得パワー増幅器
【解決手段】駆動増幅器と、スイッチと、帯域通過フィルタ及びパワー増幅器を有する増幅経路と、余分の利得と出力パワーが必要ない場合にパワー増幅器をバイパスするバイパス経路と、を含むパワー増幅回路装置である。起動増幅器からのＲＦアナログ信号は、増幅経路にスイッチングされると、帯域通過フィルタリングされて増幅される。次に、この信号は同相信号と直交位相信号に分割される。同相信号と直交位相信号のどちらかが、反転されてこれら信号の他方と加算され、加算された信号が出力ポートに送信される。駆動増幅器からのＲＦ信号がバイパス経路にスイッチングされると、パワー増幅器はオフされて、バイパス経路が、その信号を、この信号にとっては高インピーダンスとして作用するパワー増幅器の出力に方向付けする。信号はパワー増幅器から出力ポートに反射される。 （もっと読む）

【課題】パルス増幅動作時間の近傍において不要な信号の送出を制限できる化合物半導体デバイスを使用した電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００は、電力増幅する高周波増幅素子１１への電源を電源制御トランジスタ２１が遮断する。放電用トランジスタ３１は、電源制御トランジスタ２１による電源遮断に同期して電源制御トランジスタ２１及び高周波増幅素子１１に残留する電荷を放電する。 （もっと読む）

【課題】入力信号が過大レベルになっても半導体増幅素子に機能破壊が生じないようにした高周波増幅装置を提供すること。
【解決手段】ＦＥＴ１０１を用いた高周波増幅装置において、ＦＥＴ１０１対する電源電流Ｉの供給ラインに直列にパワーサーミスタ１３１を設け、入力信号のレベルの増加による電源電流Ｉの急激な増加に対する抑制機能がパワーサーミスタ１３１の電圧降下により与えられるようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】 広い帯域に亘る周波数範囲で良好な振幅補償や反射特性を得ることが可能であると共に、部品の性能ばらつきによる特性変化を軽減したイコライザを提供する。
【解決手段】 一端を入力端とし、他端を入力側開放端（Ａ）とした入力側線路と、入力側開放端（Ａ）から１／４波長分入力側に離間した位置（Ｂ）と対向する位置を出力側開始端（Ｃ）とし前記入力側開放端（Ａ）と対向する位置（Ｄ）まで入力側線路と平行配置して終端を出力端とした出力側線路と、Ｂ点とＣ点とを抵抗器を介して減衰させる回路と、Ａ点とＤ点とを抵抗器を介して減衰させる回路とを備え、Ａ点、Ｂ点、Ｃ点、Ｄ点をそれぞれスタブを用いて高周波開放点とし、減衰回路に挟まれた入出力線路の平行領域でカップリングさせて高周波帯域内の振幅又は電力を減衰制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】入出力ボンディングワイヤ若しくは入出力伝送線路のインダクタンス分布を調整して、信号位相を同相化し、利得および出力電力を向上させ、かつ各ＦＥＴセルのアンバランス動作による発振を抑制する。
【解決手段】ゲート端子電極Ｇ１〜Ｇ１０、ソース端子電極Ｓ１〜Ｓ１１およびドレイン端子電極Ｄを有するＦＥＴ２４と、ＦＥＴに隣接する入力回路パターン１７，出力回路パターン１８と、ゲート端子電極Ｇ１〜Ｇ１０と入力回路パターン１７とを接続する複数の入力ボンディングワイヤ１２，１２Ｌと、ドレイン端子電極Ｄと出力回路パターン１８とを接続する複数の出力ボンディングワイヤ１４，１４Ｌとを備え、複数の入力ボンディングワイヤ１２，１２Ｌのインダクタンス分布を調整して、入力信号の位相を同相化し、かつ複数の出力ボンディングワイヤ１４，１４Ｌのインダクタンス分布を調整して、出力信号の位相を同相化した高周波半導体装置２５。 （もっと読む）

【課題】高利得を得ることができる増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲートが入力ノードに接続される第１の電界効果トランジスタ（６０３）と、第１の正電位ノード及び第１の電界効果トランジスタのドレイン間に接続される第１のインダクタ（６０２）と、ゲートが第１の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１のノードに接続され、ソースが第２のノードに接続される第２の電界効果トランジスタ（６１３）と、第２の正電位ノード及び第１のノード間に接続される第２のインダクタ（６１２）と、ゲートが第１のゲート電位ノードに接続され、ドレインが第１のドレイン電位ノードに接続され、ソースが第２のノードに接続される第３の電界効果トランジスタ（６１４）と、第２のノード及び基準電位ノード間に接続される第１の容量（６１５）と、第２のノード及び基準電位ノード間に接続される第１の抵抗（Ｒ１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子５と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第１インピーダンス変成器１と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第２インピーダンス変成器２と、第１及び第２インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路３と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路４と、抵抗器を備え、高調波インピーダンス調整線路３は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路４は基本波に対しては半導体増幅素子５のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 （もっと読む）

【課題】増幅用ＩＣ及びスイッチ回路を多層基板を用いてモジュール化し、電力効率の良い増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】増幅器モジュールは少なくとも２つの枝Ｂ１１，Ｂ１２を有する第１の増幅器回路ＰＡＣ１を含む集積回路デバイスを有する。各枝は所望の電力レベルの増幅された信号を出力端子Ｔｏｕｔ１、Ｔｏｕｔ２、Ｔｏｕｔ３に送出するようになされる。各枝は整合回路ＭＣ１１，ＭＣ１２によって所望の出力インピーダンスレベルに整合され、それぞれの枝を所望の出力端子に接続するようになされた切り替え装置ＳＷに接続される。集積回路デバイスおよび切り替え装置は多層基板に取り付けられた別々の構成要素である。整合回路の部分であるパッシブな整合要素は多層基板へと統合されてもよく、集積回路であってもよく、個々の構成要素として形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】差動信号の増幅および合成を行ない、かつ高調波を抑制することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１０１は、差動信号である第１の入力信号および第２の入力信号を増幅する第１の増幅器１１，１２と、第１の増幅器１１，１２によって増幅された第１の入力信号および第２の入力信号を受ける第１のコイル２１と、第１のコイル２１と磁気的に結合され、増幅された第１の入力信号および第２の入力信号の合成信号が出力される第２のコイル２２と、第２のコイル２２と磁気的に結合された第３のコイル２３と、第３のコイル２３の両端間に接続された第１のキャパシタ４１とを備え、第１のキャパシタ４１の一端が接地ノードに接続されている。 （もっと読む）

【課題】相対的に通信可能距離が遠距離であり狭帯域を占有する通信モード（通常モード）と、通信可能距離が近距離であり広帯域を占有する通信モード（近接モード）との切り替えを可能とするとともに、広帯域を占有する近接モードでの利得周波数特性の劣化を抑制する。
【解決手段】通常モードから近接モードに切り替える場合に、バイパス路１００５は、増幅回路１００３及び１００４を迂回する。さらに、インピーダンス素子１０１３は、近接モードに切り替える場合に信号経路上に接続され、バイパス路１００５による増幅回路１００３及び１００４の迂回の有無によるリアクタンスの変化を補償する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）