説明

Fターム[5J500AA04]の内容

増幅器一般 (93,357) | 増幅器の種類 (14,578) | 分布定数(マイクロ波、超高周波)増幅器 (438)

Fターム[5J500AA04]に分類される特許

61 - 80 / 438


【課題】受信雑音性能の低下をともなうことなく簡易な構成により受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐことのできるバイアス回路を得る。
【解決手段】過入力保護回路を有さない受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、受信用増幅器を構成する受信用トランジスタ2のゲート端子に接続されたゲートバイアス回路8と、受信用トランジスタ2のドレイン端子に接続されたドレインバイアス回路9とを備える。ゲートバイアス回路8は、過入力時における受信用トランジスタ2のゲート電流Igまたはゲート電圧Vgの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。ドレインバイアス回路9は、過入力時の変化信号に応答して、受信用トランジスタ2に対するドレイン電圧Vdを低減させる。 (もっと読む)


【課題】駆動増幅器を利用した3ウェイドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】ドハティ電力増幅器を構成するキャリア増幅器とピーキング増幅器の前端に駆動増幅器をそれぞれ連結して高い利得と高い効率を得ることができるようにした駆動増幅器を利用した3ウェイドハティ電力増幅器において、入力信号を第1の経路部と第2の経路部で分配するハイブリッド電力分配器と、前記ハイブリッド電力分配器から出力される信号の入力を受けて、キャリア増幅器、第1のピーキング増幅器及び第2のピーキング増幅器を駆動制御するための駆動増幅器を含んで、前記駆動増幅器の後端には前記キャリア増幅器、第1のピーキング増幅器及び第2のピーキング増幅器がそれぞれ連結されて、前記第1の経路部は低い入力電力で高い効率を発生させて、前記第2の経路部は高い出力範囲で高い効率と利得を維持させるようになされた。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の熱抵抗を低減すること、および小型化できる技術を提供する。
【解決手段】複数の単位トランジスタQを有する半導体装置であって、半導体装置は、単位トランジスタQを第1の個数(7個)有するトランジスタ形成領域3a、3b、3e、3fと、単位トランジスタQを第2の個数(4個)有するトランジスタ形成領域3c、3dとを有し、トランジスタ形成領域3c、3dは、トランジスタ形成領域3a、3b、3e、3fの間に配置され、第1の個数は、第2の個数よりも多い。そして、単位トランジスタは、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層とを備えており、エミッタ層上には、エミッタ層と電気的に接続されたエミッタメサ層が形成され、このエミッタメサ層上に、エミッタ層と電気的に接続されたバラスト抵抗層が形成されている。 (もっと読む)


【課題】デジタル信号処理(DSP:Digital Signal Process)を利用して電力増幅器を線形化する方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数個の歪曲発生源を有する増幅器を効果的に線形化する方法及び装置に関するものである。このために、複数個の歪曲発生源で出力される歪曲成分に対応する逆歪曲信号を発生させることができる複数個の補償方法及び補償器を含むことで、優秀な線形性を伝達することができる。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器と方向性結合器を多層基板内に一体化した高周波モジュールであって、小型、低コスト、高性能な高周波モジュール及び、高周波モジュールを搭載することで、小型化、低コスト化が可能な無線装置を提供する。
【解決手段】多層基板と前記多層基板の上層部で構成された高周波電力増幅器と前記多層基板の内層の上下2層を用いた方向性結合器と、前記高周波電力増幅器と前記方向性結合器の間にある内層のグランドパターンと、前記内層のグランドパターンと裏面のグランドパターン間に設けられている前記高周波電力増幅器用の多数のサーマルビアが方向性結合器と同じ層にある前記高周波電力増幅器用のバイアスラインとの間に設けられている高周波モジュールとする。このことによって小型、低コスト、高性能な高周波モジュールが実現出来る。 (もっと読む)


【課題】RF電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率(PAE)および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にRF信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 (もっと読む)


【課題】低電源電圧を用いて高性能な電子回路を提供すること。
【解決手段】信号が入力される制御端子と第1端子と第2端子とを有する第1トランジスタT1と、第1トランジスタの第2端子が接続された制御端子と第1端子と第2端子とを有する第2トランジスタT2と、第2トランジスタの第2端子が接続された制御端子と第1端子と第2端子とを有する第3トランジスタT3と、第2および第3トランジスタの少なくとも一方における第1および第2端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第2端子に直流電流を供給する第1直流経路31と、第2および第3トランジスタの少なくとも一方における第1および第2端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第2端子に直流電流を供給する第1直流経路とは異なる第2直流経路32と、第1および第2直流経路の間を共通に接続する共通接続点N1と、を具備する電子回路。 (もっと読む)


【課題】本発明は送受信切替器における前置増幅器保護回路に関し、前置増幅器を保護することを目的としている。
【解決手段】送信波を入力して電力増幅させ、アンテナ5に供給して送信すると共に、アンテナ5からの信号を受信して前置増幅器7に与えるように構成され、送信と受信を切り替えることができるように構成された送受信切替器において、送信波を電力増幅してアンテナ5に供給する電力増幅器1と、該電力増幅器1の出力側に設けられた送信波を検出するためのカプラ10と、該カプラ10の出力を受けて、元の切り替え信号とのORをとり、切り替え信号として送受信切替器に与えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】特殊な機器を必要とせずに、電力増幅器の位相・ゲインの調整を人手を要することなく迅速かつ適切に行えるようにし、しかも調整所用時間の短縮を可能とする。
【解決手段】伝送信号を減力器に通し、並列に配置される複数の電力増幅器にて電力増幅し、これら複数の電力増幅器の出力を合成器にて合成して送出する送信機に用いられ、合成器の出力レベルを検出する合成レベル検出手段と、この合成レベル検出手段により検出される出力レベルが最大レベルになるように、複数の電力増幅器の位相制御を行う位相制御手段とを具備することを特徴とする送信機制御装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】利得を向上させ、高周波信号を供給するドライバアンプの消費電力を減少させることが可能な最終段に使用されるドハティ型の高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、挿入される線路の線路インピーダンスが予め設定され、入力された高周波信号を第1の信号と第2の信号とに分配するハイブリットと、第1の信号を増幅するメインアンプと、第2の信号を増幅するピークアンプとを具備する。ハイブリットは、高周波信号が入力される第1のポートと、メインアンプへ向けて第1の信号を出力する第2のポートと、ピークアンプへ向けて第2の信号を出力する第3のポートと、オープン接続された第4のポートとを備える。 (もっと読む)


【課題】複数の増幅部の動作時の出力電圧の波形を後段回路の処理可能な電圧範囲内に収めることができる増幅回路を提供する。
【解決手段】信号入力端子66に入力されたデジタル信号のレベルが所定の値以下である場合には、増幅率変更部64は、スイッチ35をオンにして増幅部62を動作状態にするとともに、スイッチ41をオフにして増幅部63を停止状態にし、かつ、増幅部62に流し込み電流を流し込むよう流し込み電流源65を制御する。それに対し、信号入力端子66に入力されたデジタル信号のレベルが所定の値を超える場合には、増幅率変更部24は、スイッチ35をオフにして増幅部62を停止状態にするとともに、スイッチ41をオンにして増幅部63を動作状態にし、かつ、増幅部62に流し込み電流を流し込まないよう流し込み電流源65を制御する。 (もっと読む)


【課題】 誤差増幅器から出力される歪成分の信号を全て無駄なく有効利用して、電力効率を向上させることができ、広帯域の信号に適用可能な電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 入力信号を3分配する分配器1と、位相及び振幅を調整した第1の分配信号を増幅する第1の増幅器4と、第2の分配信号と第1の増幅器4の出力とを逆位相で合成して歪成分を出力する分配合成器6と、歪成分を増幅する第2の増幅器9と、第2の増幅器9の出力と第3の分配信号とを合成する第1の合成器11と、第1の合成器11の出力を増幅する第3の増幅器14と、分配合成器6から出力される第1の増幅器4の出力信号と、第3の増幅器14の出力信号について、歪成分を逆相で合成して相殺し、信号成分を同相で合成して増幅器出力とする第2の合成器16とを備え、分配器1と、分配合成器6と、第1及び第2の合成器とをウィルキンソンカプラで構成した電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】増幅素子を並列合成する高周波増幅器において、不平衡モードの発振を抑制することができる高周波増幅器を得る。
【解決手段】入力された信号を分配する電力分配回路11と、分配された信号を増幅する1組の増幅素子12と、増幅された信号を合成して出力し、電力分配回路11と増幅素子12とともに閉ループ回路を構成する電力合成回路13と、閉ループ回路内に発生する不平衡モードの電力を吸収する第1の受動回路17と、不平衡モードに関する電力分配回路11との合成インピーダンス及び不平衡モードに関する電力合成回路13との合成インピーダンスの少なくとも一方の合成インピーダンスを、電力分配回路のインピーダンスと比べて大きくするようなインピーダンス値を有し、第1の受動回路による電力吸収量を調整するように閉ループ回路中に第1の受動回路に並列接続された第2の受動回路18とを備える。 (もっと読む)


【課題】バイアスの供給のオン・オフを切り替える際の、過剰な貫通電流の発生を防止する。
【解決手段】ソース端子が接地されたHEMT1にバイアスを供給するHEMTバイアス回路10であって、オペアンプAMP1と、抵抗素子RIと、スイッチSWgと、スイッチSWdと、基準電圧源VREFと、基準電圧源VDRAINと、負電源電圧源VNEGとを備え、オペアンプAMP1は、正入力端子がHEMT1のドレイン端子に接続され、負入力端子が基準電圧源VDRAINに接続され、出力端子がHEMT1のゲート端子に接続され、負電源端子がスイッチSWgの切り替えにより負電源電圧源VNEGまたはグランドに接続可能とされ、抵抗素子RIは、第1端子および第2端子を有し、該第1端子がHEMT1のドレイン端子に接続され、該第2端子がスイッチSWdの切り替えにより基準電圧源VREFまたはグランドに接続可能とされている。 (もっと読む)


【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第1中心周波数有する第1増幅ユニットと、第1増幅ユニットに並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニットと、第1増幅ユニットの入力と第2増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第1増幅ユニットの出力と第2増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 (もっと読む)


【課題】ドレイン効率の低下を抑制することが可能な増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の増幅器200は、入力信号を2つの信号に分配する分配器14と、2つの信号のうち一方が入力する第1FETからなるキャリアアンプ10と、2つの信号のうち他方が入力する第2FETからなるピークアンプ12と、キャリアアンプ10の出力インピーダンスを変換し、キャリアアンプ10の出力信号と合成する合成器20と、を有するドハティ増幅器100と、入力信号の周波数が変化した場合、入力信号の周波数に応じて第1FET及び第2FETの少なくとも一方に供給されるゲート電圧及びドレイン電圧の少なくとも一方を変更する電圧変更部70と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐湿性を向上させることができるドハティ増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドハティ増幅器は、入力信号を2つの信号に分配する分配器と、2つの信号のうち一方が入力し、第1チップに形成される第1FET11からなるキャリアアンプ10と、2つの信号のうち他方が入力し、第1チップと異なる第2チップ200に形成される第2FET13からなるピークアンプ12と、第2チップ200に形成され、第2FET13を加熱する第3FET32と、キャリアアンプ10の出力インピーダンスを変換し、キャリアアンプ10の出力信号と合成する合成器20と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、FET1の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
主スイッチ2をONすると+電源3および−電源4に電圧が供給されコンデンサC3およびC4により+電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ21はOFFに設定されている。−電源4が規定値まで立ち上がると電子スイッチ21はONとなりFET1のドレインに+電源3が印加される。主スイッチ2をOFFとすると+電源3と−電源4はコンデンサC3およびC4により徐々に電圧は下がり始める。−電源が下がり始めると電子スイッチ21はOFFとなりFET1のドレイン電圧7はOFFとなる。
(もっと読む)


【課題】発振対策を容易に講ずることができる高周波半導体増幅装置を提供すること。
【解決手段】パッケージ14内部に、半導体増幅素子11、入力整合回路基板17の表面上に形成された入力整合回路パターン15、および出力整合回路基板24の表面上に形成された出力整合回路パターン23を、パッケージ14内部に有する高周波半導体装置であって、出力整合回路基板24の表面上には、出力整合回路基板24の表面上に、出力整合回路パターン23に接続するように形成された出力信号ライン25に対して、容易に電気的に接続・切断可能な減衰器29が形成されている。 (もっと読む)


【課題】入力の整合回路での損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器100であって、第1金属配線である環状1次コイル121と、複数の第2金属配線である複数の直線2次コイル122とを有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ120と、複数の分配信号の1つを増幅する1対のトランジスタ111をそれぞれが備える複数のプッシュプル増幅器110と、第3金属配線である環状2次コイル131と、複数の第4金属配線である複数の直線1次コイル132とを有し、増幅された複数の分配信号を合成するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ130とを備え、1対のトランジスタ111の2つの入力端子は、第2金属配線を介して互いに接続され、2つの出力端子は、第4金属配線を介して互いに接続される。 (もっと読む)


61 - 80 / 438