【課題】低周波数帯域の利得を効果的に抑圧して発振の発生を抑制すると共に、回路の高密度実装を可能とする多段増幅器を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１，２に、ゲートバイアス電圧を印加する入力整合回路３，５と、ＦＥＴ１，２に、ドレインバイアス電圧を印加する出力整合回路４，６と、出力整合回路４と入力整合回路５との間に直列接続されたコンデンサ１５，１６、および、一端がコンデンサ１５，１６間の接続点に接続され他端が接地された誘導性の線路１７を含み構成されたハイパスフィルタ１８と、を備え、コンデンサ１５，１６のキャパシタンス値および線路１７のインダクタンス値は、増幅素子の動作周波数よりも低い周波数帯域において、出力整合回路６と出力整合回路４とハイパスフィルタ１８とを介して形成されるドレインバイアスループ１１の損失が、ＦＥＴ２の利得よりも大きくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】高効率でかつ広帯域化されたC級増幅器を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係るC級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)未満において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、２倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ ＨＥＭＴ）電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用３ステージ（Ｔｈｒｅｅ−Ｓｔａｇｅ）ＧａＮ ＨＥＭＴドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率（ＰＡＥ）をもたらす改良されたＥ級増幅器を提供する。
【解決手段】２段のＥ級の高電力増幅器100は駆動装置段102、Ｅ級段間整合ネットワーク（ＩＳＭＮ）104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において、１つの集積回路で複数の機能を実現する集積回路と、その集積回路が表面実装される中継基板とに関し、特性の劣化の原因となる広帯域設計をすることなく、多様に異なる帯域に柔軟に対応可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板上に個別に形成された複数の回路と、前記基板上で前記複数の回路に隔たって形成され、前記複数の回路の何れにも接続され得る特定の回路とを備え、前記特定の回路と前記複数の回路とは、表面実装型の中継基板との突起電極を介する接続に供されるパッドを有する。 （もっと読む）

無線周波数電力増幅器に電源を供給する集積回路が記載される。当該集積回路は、スイッチング・レギュレータを含む低周波数電源経路と、負荷に結合するための前記集積回路の出力ポートにおいて結合された電源の出力電圧を調整するよう構成された高周波数電源経路とを有する。結合された電源は、前記低周波数電源経路と前記高周波数電源経路とにより供給される。高周波数電源経路は、電圧帰還を含み、前記高周波数電源経路に電源信号を駆動するよう構成された増幅器と、前記増幅器の出力に結合され、前記電源信号のＤＣレベル・シフトを実行するよう構成されたキャパシタとを有する。
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【課題】携帯電話機などの移動体通信機器に搭載される電力増幅器をバランスアンプから構成する場合に、電力結合器における電力合成の損失を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】本実施の形態における技術的思想は、アイソレーション容量素子を、並列接続された対称性の高い２つの容量素子ＣｉｓｏＡと容量素子ＣｉｓｏＢに分割することにより、容量素子ＣｉｓｏＡおよび容量素子ＣｉｓｏＢを配線基板の層間容量素子として形成する場合であっても、それぞれの容量素子ＣｉｓｏＡと容量素子ＣｉｓｏＢに起因する寄生容量をほぼ等しくできる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減すること。
【解決手段】送信信号が入力される第１の内部入力端子と、送信信号に比べて振幅が１／２であり、かつ、送信信号と同相の信号が入力される第２の内部入力端子と、特性インピーダンスＺを有する伝送路に接続された外部入出力端子と、外部入出力端子から入力された受信信号が出力される内部出力端子と、ソースが電流源及び外部入出力端子に接続され、ゲートが第１の内部入力端子に接続され、ドレインが第２のＭＯＳトランジスタのソース及び内部出力端子に接続された第１のＭＯＳトランジスタと、ソースが第１のＭＯＳトランジスタのドレイン及び内部出力端子に接続され、ゲートが第２の内部入力端子に接続された第２のＭＯＳトランジスタと、を備え、第１及び第２のＭＯＳトランジスタのトランスコンダクタンスが１／Ｚとなる、全二重伝送回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】高出力、高効率および広ダイナミックレンジを有する低歪みな高周波信号を出力する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器１００であって、増幅用トランジスタ３と、増幅用トランジスタ３の後段に配置された増幅用トランジスタ４と、増幅用トランジスタ３のベースにバイアス電流Ｉ_１を供給するバイアス回路１１と、増幅用トランジスタ４のベースにバイアス電流Ｉ_２を供給するバイアス回路１２とを備え、バイアス回路１１は、高周波出力信号の出力電力値が第１電力値のとき第１電流値の電流をバイアス電流Ｉ_１とし、第１電力値よりも大きい第２電力値のとき第１電流値よりも小さい第２電流値の電流をバイアス電流Ｉ_１とし、バイアス回路１２は、高周波出力信号の出力電力値が第１電力値であるとき第３電流値の電流をバイアス電流Ｉ_２とし、第２電力値であるとき第３電流値よりも大きい第４電流値の電流をバイアス電流Ｉ_２とする。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】 段間に減衰器を設けた構成において、利得切換前後での入力反射損失の劣化を抑制しつつ利得を切り換えることができる電力増幅器を提供する。また、段間に減衰器を設けた構成において、利得切換前後での通過位相差の増大を抑制しつつ利得を切り換えることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ＩＮ、ＯＵＴはＲＦ入力・出力端子であり、Ｔｒ１、Ｔｒ２はＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）である。Ｆａ１、Ｆａ２はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）である。Ｃｃ１、Ｃｃ２はデカップリング容量であり、Ｖｃ１、Ｖｃ２はパワー段Ｔｒ１、Ｔｒ２のコレクタ電源端子であり、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａａ２、Ｒｇ１、Ｒｇ２は抵抗であり、Ｃｓ１は段間整合容量であり、Ｃｐ１は減衰器の並列容量であり、Ｖｇ１、Ｖｇ２は減衰器の制御端子である。抵抗Ｒａ１に直列に容量Ｃａ１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】トークカレントの低減を実現可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、出力レベルに応じていずれか一方が活性化されるパワーアンプ回路ＰＡ２ｍ，ＰＡ２ｓと、伝送線路ＬＮｍｎ，ＬＮｓｕｂを備え、ＬＮｍｎ，ＬＮｓｕｂが互いに近接配置された領域を持つ。ＬＮｓｕｂの他端（ＰＡ２ｓの出力ノード）は、ＰＡ２ｓが活性化された際、ＮＭＯＳトランジスタＭＮｓｗのオンに伴い接地電源電圧ＧＮＤとの間に容量Ｃ３が接続され、ＰＡ２ｍが活性化された際、ＭＮｓｗのオフに伴い開放状態とされる。ＰＡ２ｓが活性化された際、ＬＮｍｎとＬＮｓｕｂには同一方向の電流が流れるため、強め合う磁気結合が生じる。一方、ＰＡ２ｍが活性化された際、ＬＮｍｎに流れる電流と、ＭＮｓｗのオフ容量に伴いＬＮｓｕｂに洩れる電流とは反対方向となり、ＬＮｍｎとＬＮｓｕｂには弱め合う磁気結合が生じる。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第１端子と、第２端子と、を有する第１トランジスタＴ１と、制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続し、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第２トランジスタの第１端子から前記第１トランジスタの第２端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路１１、１２と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路Ｌ１１、Ｌ１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】電流共有増幅器を用いた信号増幅を提供する。
【解決手段】電力増幅器は増幅段を有する。増幅段はトランジスターを有する。また少なくとも１つの増幅段は駆動段を有する。増幅段は、第１のトランジスターと有し及び第１の出力電力と関連付けられた第１の増幅段、並びに第２の出力電力と関連付けられた第２のトランジスターを有する第２の増幅段、を有する。電流共有結合は、第１の増幅段と第２の増幅段を結合する。第１の増幅段と第２の増幅段は、電流共有結合を通じて電流を共有する。電流共有結合は、第１の出力電力と第２の出力電力のスケーリングを助ける。 （もっと読む）

【課題】増幅する信号が高周波数帯の信号であっても高効率動作が可能な増幅器を得る。
【解決手段】ドハティ増幅器５は、入力端子１０と出力端子１１間に２つの並列回路を有し、一方には第１のトランジスタ１２０を有するキャリア増幅器１２、及び入力信号の略４分の１波長の電気長を有する導体線路１４が直列に設けられ、他方には導体線路１４の位相差に相当する電気長の導体線路１５、及び第２のトランジスタ１３０を有するピーク増幅器１３が設けられ、キャリア増幅器１２とピーク増幅器１３は、出力部１２４と出力部１３４が対向するよう配置され、トランジスタ１２０とトランジスタ１３０は、伝送する信号の出力方向ベクトルが１８０ｄｅｇとなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】発振抑制用の抵抗を備えながら高周波処理による高効率化を図る。
【解決手段】分配された高周波信号を伝送線路１４ａ，１４ｂの一端の入力部１３ａ，１３ｂに供給し、伝送線路１４ａは直列接続された伝送線路１５ａを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ａから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ｂは直列接続された伝送線路１５ｂを介して被増幅用高周波信号として出力部１６ｂから次段の増幅用トランジスタに供給する。伝送線路１４ａ，１５ａの接続点Ｐａに一端を接続したスタブ１９ａと伝送線路１４ｂ，１５ｂの接続点Ｐｂに一端を接続したスタブ１９ｂとの間に発振抑制用の抵抗Ｒ１を介挿接続した。接続点Ｐａ，Ｐｂの電位差がない場合は、抵抗Ｒ１が見えない状態となり、スタブ１９ａ，１９ｂは高周波信号処理の効率化に寄与し、抵抗Ｒ１はセルＡ，Ｂ間のループ発振の抑制させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】受信雑音性能の低下をともなうことなく簡易な構成により受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐことのできるバイアス回路を得る。
【解決手段】過入力保護回路を有さない受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、受信用増幅器を構成する受信用トランジスタ２のゲート端子に接続されたゲートバイアス回路８と、受信用トランジスタ２のドレイン端子に接続されたドレインバイアス回路９とを備える。ゲートバイアス回路８は、過入力時における受信用トランジスタ２のゲート電流Ｉｇまたはゲート電圧Ｖｇの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。ドレインバイアス回路９は、過入力時の変化信号に応答して、受信用トランジスタ２に対するドレイン電圧Ｖｄを低減させる。 （もっと読む）