【課題】高利得特性を有するとともに、小型でかつ安定な差動増幅動作を実現した差動増幅回路を得る。
【解決手段】１対のバイポーラトランジスタ１、２と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の各々に対する出力バイアス印加回路および入力バイアス印加回路と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の２つの出力端子の一方を接地するための終端抵抗１５と、を備えている。１対のバイポーラトランジスタ１、２は、互いに異なるサイズからなり、２つの出力端子の他方は、振幅が大きい線路側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの出力キャパシタンスと、電源供給インダクタンスによって増幅器の電源装置端子に現れる高Ｑ値の直列共振を防止した高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】電位不安定の原因を生み出し増幅器が振動する（ｏｓｃｉｌｌａｔｅ）のを防止するために、安定化回路５３０が、電力増幅器トランジスタ５０２の出力に接続される。この安定化回路５３０は、基本的に、コンデンサ５３４と直列に接続された抵抗器５３６を含む。また、この安定化回路は、コンデンサと抵抗器とに直列に接続されたインダクタ５３２を含んでもよい。このインダクタは、プリント導電線及び／又はボンディング・ワイヤによって部分的に、又は完全に実現されることができる。この安定化回路は、動作周波数の範囲全体にわたって、トランジスタ出力において低インピーダンスをもたらす。 （もっと読む）

【課題】アンテナ負荷変動や広帯域の周波数を増幅する電力増幅回路に対して性能の良い方向性結合器を提供する。
【解決手段】アンテナ４の負荷変動や広帯域な増幅周波数に対して方向性結合器３の方向性が良くなるように方向性結合器３の終端抵抗Ｒ１に並列に可変容量ダイオードＶＤ１を入れて、あらかじめ増幅する全周波数で整合を取ったときの情報を不揮発性メモリ８に記憶しておき、運用時にはこの情報を使用して方向性結合器３の整合を取り、方向性結合器３の方向性を改善してＡＰＣ特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】温度変化や、入力信号の周波数等に応じて生じるおそれのある入出力特性の歪を抑制することができる増幅回路、及びこれを用いた無線通信装置を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路１は、入力信号の電力を増幅する増幅器２と、増幅器２に電源電圧を付与する電源部３と、増幅器２の温度を検知するための温度センサ１１と、入力信号の送信周波数を決定する周波数決定部８とを備えている。さらに、温度センサ１１から得られる検知温度、及び周波数決定部８から得られる送信周波数に基づいて電源部３の電源電圧、及び入力信号の信号電力を調整する制御部１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器のうちの一部が故障しても、電力合成分配器の分配損、合成損を最小とする。
【解決手段】複数の並列接続された第１の分岐側端子（１１３、１１４）と１つの第１の合成側端子（１１５）が第１の電力合成点（１１６）を介して接続された第１の分岐回路（１２７）と、複数の並列接続された第２の分岐側端子（１３３、１３４）と１つの第２の合成側端子（１３５）が第２の電力合成点（１３６）を介して接続された第２の分岐回路（１３７）とを有し、第１の合成側端子と複数の第２の分岐側端子が接続された電力合成あるいは電力分配を行う電力合成分配器において、第１の電力合成点から第２の電力合成点までの長さが１／２波長の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、１つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】ＲＦチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極４０が形成された誘電体基板３０と、前記誘電体基板３０の表面に形成された入力端子３２及び出力端子３４と、前記誘電体基板３０内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子３２に接続され、且つ、他端が前記出力端子３４に接続され、前記ＲＦチョークを形成するＲＦチョーク形成電極３６と、前記誘電体基板３０内に、前記グランド電極４０に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子３４に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】誘電体基板２上に形成されたマイクロストリップ線路３と、このマイクロストリップ線路３に接続された増幅素子１と、誘電体基板２上に載置された増幅素子１を収容する収容部７ａが形成された金属筐体７と、この金属筐体７の収容部７ａに嵌合するとともに、増幅素子１と対向する面側に第１の溝部８ｂが形成された金属体８と、金属体８の第１の溝部８ｂに嵌挿される第１の導電性ラバー９とを備え、金属筐体７の収容部７ａに金属体８を嵌合した時、第１の導電性ラバー９が誘電体基板２上に実装されている増幅素子１を押圧して、増幅素子１上の空間ループを遮断する。 （もっと読む）

【課題】幅広い送信電力の範囲でひずみ特性を満足することのできる電力増幅装置を提供すること。
【解決手段】この電力増幅装置は、第１の増幅素子を有し入力信号を増幅する第１の増幅部と、第２の増幅素子を有し第１の増幅部の出力信号を増幅する第２の増幅部と、第１の増幅素子および第２の増幅素子を非線形領域で動作させるバイアス値を第１の増幅素子および第２の増幅素子それぞれに与えるバイアス供給部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による利得変動を安定的に補償できる電力増幅装置を提供する。
【解決手段】入力段に可変アッテネータを配置し、この可変アッテネータの後段に電力増幅用の複数のトランジスタをカスケード接続し、複数のトランジスタのうち少なくとも２以上のトランジスタそれぞれの近傍に温度センサを配置されて温度を検出し、前記複数の温度センサそれぞれの温度検出結果から前記複数のトランジスタの利得変化量を求め、その利得変化量を抑圧するように前記可変アッテネータを制御して入力信号レベルを制限し、これによって温度変化による利得変動を安定させる。 （もっと読む）

【課題】メモリ効果歪みを効果的に打ち消すことのできる歪み補償装置を得る。
【解決手段】直流電源（３０）と、直流電源から供給される直流電圧をパラメータとして変化させることで入力電力に対する利得特性および通過位相特性を調整する歪み補償回路（２０）と、変調波信号の偶数次高調波、奇数次高調波、またはベースバンド変調波周波数のうち、少なくとも１つに対して振幅と位相を制御することで、歪み補償回路の能動素子からみた負荷インピーダンスを決定する整合回路（１０）とを備え、整合回路は、歪み補償装置の入出力端子を結ぶ信号路に対して縦続に接続され、振幅と位相を制御することで、歪み補償装置の前段または後段に接続される増幅器の歪み成分と逆特性を持つ歪み成分を歪み補償回路から発生させる。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス変換の特性を低損失で容易に調整し、高周波大電力への耐用性が高く、小型化を実現するドハティ増幅器及び高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】誘電体１０１は、厚さＨ_ＡとＨ_Ｂの２層からなり、基板を構成する。２層の誘電体１０１の間には電極層１０２が積層されている。また、誘電体１０１の一面には、マイクロストリップ線路１０３が配設され、他面がグランド（ＧＮＤ）に接地されている。電極層１０２とＧＮＤとはスイッチ１０４を介して接続されており、制御部１０５がスイッチ１０４を制御して、電極層１０２とＧＮＤとの接続と開放を切り替える。 （もっと読む）

【課題】サーミスタを使わずに簡便な回路で所望の温度補償が達成できると共に、抵抗での消費電力が増加しないようにし、また温度補償の特性変更や調整を抵抗の仕様等の変更のみで任意に行えるようにする。
【解決手段】ＦＥＴ１のゲート電圧を制御するためのＰＮＰの第１トランジスタＱ1 が設けられ、上記ＦＥＴ１のドレイン及び第１トランジスタＱ1 のエミッタには、ＦＥＴ１のドレイン電流検出用の抵抗Ｒ_４を介して正電源４が配置され、第１トランジスタＱ1 のベースと接地との間に第１抵抗Ｒ_１、このベースと正電源４との間に第２抵抗Ｒ_２が接続される回路で、上記第２抵抗に対し並列となるように、直列接続のダイオード（ＰＮＰトランジスタでもよい）Ｄ1 と第３抵抗Ｒ_３を接続する。これによれば、Ｒ_２とＲ_３のそれぞれの値の組合せの調整で任意の温度勾配のドレイン電流を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低減、電源電圧依存性の低減、電源電圧および負電圧に重畳されている雑音の十分な減衰、製造プロセスの選定自由度の向上、を実現することができるバイアス回路、ＬＮＡ、ＬＮＢ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステムを提供する。
【解決手段】ソース端子４が接地されたＨＥＭＴ１のためのＨＥＭＴバイアス回路１１であって、両電源型のオペアンプＡＭＰ１と、抵抗素子ＲＩと、第１基準電圧源ＶＸと、第２基準電圧源ＶＹとを備え、オペアンプＡＭＰ１は、正入力端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子３に接続され、負入力端子が第２基準電圧源ＶＹに接続され、出力端子がＨＥＭＴ１のゲート端子に接続され、抵抗素子ＲＩは、一方の端子がＨＥＭＴ１のドレイン端子３に接続され、他方の端子が第１基準電圧源ＶＸに接続されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】３セル以上のユニットセルトランジスタ（１１）が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ（１０）と、スリット（２３）で区切られたオープンスタブ（２２）により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路（２１）を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路（２０）とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路（２１）は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で１／２波長未満の距離に配置され、オープンスタブ（２２）が、主線路と平行して片側に１本で配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴセルごとに電源を用意・制御することなく、所望の出力電力値に合わせて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】分配・入力整合回路３２と入力伝送線路パターン３６とを搭載した分配・入力整合回路基板１４と、複数の入力キャパシタセル４０を搭載した入力キャパシタ基板１６と、複数の電界効果トランジスタセルを搭載した半導体基板１８と、複数の出力キャパシタセル４１を搭載した出力キャパシタ基板２０と、出力伝送線路パターン３８と合成・出力整合回路３４とを搭載した合成・出力整合回路基板２２とを備え、所望の出力電力値に合わせて複数のセルからなる電界効果トランジスタのセル数を接続・非接続により、総ゲート電極長を実質的に変化させて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置３０。 （もっと読む）

【課題】小型で伝送損失の少ないインピーダンス変換器、集積回路装置を実現する。
【解決手段】集積回路装置は、インピーダンス変換器15と、集積回路11A,11Bとを有し、インピーダンス変換器15は、第１の誘電率を有する第１の基板21の上方に設けられ、第１のインピーダンスを有する第１の伝送線路22A,22Bと、第１の誘電率より高い誘電率を有する第２の基板31の上方に設けられ、第１の伝送線路22A,22Bと電気的に接続され、第１のインピーダンスよりも低い特性インピーダンスを有する第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと、第２の伝送線路32AA,32ABと第３の伝送線路32BA,32BBとの間に接続される抵抗35A,35Bとを有し、集積回路11A,11Bは、第２の伝送線路32AA,32ABおよび第３の伝送線路32BA,32BBと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子３に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ５及びキャパシタ６が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ７と、接地されたキャパシタ８とインダクタ７との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子９を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子３の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。 （もっと読む）