【課題】高電力レベルの高周波信号が入力されても低消費電力状態の維持を可能とする。
【解決手段】カスコード接続された第１及び第２のＦＥＴ１，２により増幅経路１０１においてカスコードアンプが構成され、また、第４のＦＥＴ４を中心としてバイパス経路１０２が構成される一方、第１のＦＥＴ１のドレインＤ１と第２のＦＥＴ２のソースＳ２の接続点には、第３のＦＥＴ３のドレインＤ３が接続されると共に、この第３のＦＥＴ３のソースＳ３は接地されており、高電力レベルの高周波信号が入力された際には、第１及び第２のＦＥＴ１，２を非動作状態とする一方、第３のＦＥＴ３を導通状態とすることで、第１及び第２のＦＥＴ１，２の段間を低インピーダンスにして、段間に掛かる入力信号の振幅を低減し、低消費電力状態の維持を可能としたものである。 （もっと読む）

【課題】 設計性及び製造性に優れた高周波数帯域を有する分布型増幅器を提供する。
【解決手段】 カスコード型トランジスタを構成するゲート接地トランジスタ１１のゲート端子を、伝送線路ＬｇＡと抵抗ＲｇＡからなる直列回路を介して高周波接地用キャパシタＣｇＡに接続するとともに、伝送線路ＬｇＢと抵抗ＲｇＢからなる直列回路を介して高周波接地用キャパシタＣｇＢに接続するようにして、伝送線路ＬｇＡ、ＬｇＢの伝送線路長及び抵抗ＲｇＡ、ＲｇＢの抵抗値に対する回路性能の感度を従来と比較して低下させて伝送線路長及び抵抗値の変化に対する回路特性への影響を低減し、伝送線路及び抵抗における設計マージン及び製造マージンを拡大する。 （もっと読む）

【課題】 音割れや音の消失が生ずるのをより小さくすることを目的とする。
【解決手段】 フォールデッドカスコード型の差動増幅段を有する演算増幅回路において、Ｎ形ＭＯＳトランジスタ３１Ｎ，３２Ｎの差動入力トランジスタのドレインと電源ライン３４との間に設けられた第１のＰ形ＭＯＳトランジスタ３５Ｐ，３６Ｐの負荷回路に並列に第２のＰ形ＭＯＳトランジスタ５１Ｐ，５２Ｐの負荷回路を設けると共にＰ形ＭＯＳトランジスタ３１Ｐ，３２Ｐの差動入力トランジスタのドレインと接地ラインとの間に設けられた第１のＮ形ＭＯＳトランジスタ３５Ｎ，３６Ｎの負荷回路に並列に第２のＮ形ＭＯＳトランジスタ５１Ｎ，５２Ｎの負荷回路を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 白色雑音を発生させることなく、３次相互変調歪みを抑圧し、かつ低消費電力の増幅回路を提供する。
【解決手段】 第１の並列帰還増幅器及び第２の並列帰還増幅器を縦列に接続し、多段増幅装置を構成する。第１の帰還部及び第２の帰還部は、異なるサセプタンス成分を持つ。第１の並列帰還部は、サセプタンス成分によって、第１の増幅部で増幅された所望信号成分の位相と第１の増幅部で発生した第１のＩＭ３成分の位相とを変化させる。第２の並列帰還部は、サセプタンス成分によって、第２の増幅部で増幅された所望信号成分の位相と、第１のＩＭ３成分の位相と、第２の増幅部で発生した第２のＩＭ３成分の位相を変化させる。第２の並列帰還増幅器から出力される第１のＩＭ３成分の位相と第２のＩＭ３成分の位相との差は、１２０°以上１８０°以下であり、第１のＩＭ３成分と第２のＩＭ３成分とは、合成されて抑圧される。 （もっと読む）

【課題】 利得を可変にしつつ、信号源とのインピーダンスマッチングを実現する。
【解決手段】 可変利得増幅回路１は、所定の利得を有し、一端が回路出力部に接続される増幅器Ａ１と、上記増幅器Ａ１とは異なる利得を有し、一端が上記回路出力部に接続される増幅器Ａ２と、一端が回路入力部に接続され、他端が上記増幅器Ａ１の他端に接続されるインダクタＬ１と、上記インダクタＬ１と共に変圧器Ｔを構成し、一端が接地され、他端が上記増幅器Ａ２の他端に接続されるインダクタＬ２と、を備えた構成である。これにより、入力信号Ｖｉｎが入力される信号経路に応じた入力インピーダンスの変動を抑えることができ、信号源とのインピーダンスマッチングを担保できる。 （もっと読む）