【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＥＸＣＩＴＥＲユニットの簡素化、コスト削減の実現を可能にする。
【解決手段】送信装置は、電力増幅部１３と、送出部１５と、冷却部２７と、温度検出手段１８１と、出力電力検出手段１８２と、冷却制御手段１８３とを備えている。電力増幅部１３は、伝送信号を電力増幅する。送出部１５は、電力増幅部１３の出力を伝送路へ送出する。冷却部１７は、電力増幅部１３を冷却する。温度検出手段１８１は、電力増幅部１３の温度を検出する。出力電力検出手段１８２は、電力増幅部１３の出力電力を検出する。冷却制御手段１８３は、温度検出手段１８１の検出結果及び出力電力検出手段１８２の検出結果に基づいて、冷却部１７の冷却処理を制御する。 （もっと読む）

【課題】ランプアップまたはランプダウンにおいてスイッチングスペクトラムの劣化を軽減すること。
【解決手段】初段と最終段のバイアス回路８１、８３が、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流を決定する。電力検出回路５、６は、最終段出力信号Ｐｏｕｔの信号レベルに応答する電力検出信号Ｖ_ＤＥＴを生成する。誤差増幅器７に検出信号Ｖ_ＤＥＴと目標電力信号Ｖ_ＲＡＭＰが供給され、電力制御電圧Ｖ_ＡＰＣが制御信号増強回路９の入力に供給され、出力から増強制御信号Ｖ_ＥＮを生成する。制御信号増強回路９は、所定の非線型の入出力特性を有する。増強制御信号Ｖ_ＥＮが初段と最終段のバイアス回路８１、８３とに供給され、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流は増強制御信号Ｖ_ＥＮによって制御され、ＲＦ電力増幅器の制御利得の低下が補償される。 （もっと読む）

【課題】加工コストを増大させず、適応型バイアシング出力段を用いた高スイング演算増幅器を提供する。
【解決手段】出力段１２３は、ＶＤＤＡノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ３及びバイアシングトランジスタＴ４）を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ１及びバイアシングトランジスタＴ２）も含む。前記バイアシングトランジスタＴ４，Ｔ２を提供することは、前記トランジスタＴ３，Ｔ４において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタＴ１〜Ｔ４がＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳプロセスで製造される半導体装置においてトランスリニア回路を実現する。
【解決手段】トランスリニアループを形成するｎｐｎトランジスタＱ１〜Ｑ４は、ｎ型基板を共通のコレクタとする一方、それぞれに対応して形成されたｐウェルをベースとし、ｎＭＯＳのソース、ドレインと同様にｐウェル内に形成されるｎ型領域をエミッタとする。入力トランジスタＱ１〜Ｑ３への入力電流の供給はエミッタに接続された電流源Ｉ１〜Ｉ３により行う。出力トランジスタＱ４のエミッタにトランジスタＭ１を接続する。Ｑ２，Ｑ４のエミッタ間は、演算増幅器２１０により仮想短絡する。演算増幅器２１０の出力端子はＭ１のゲートに接続する。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅器において、デバイスにばらつきがある場合にも、バイアス電圧を最適に設定できると共に、調整工数を削減できるようにする。
【解決手段】キャリア増幅器１２とピーク増幅器１３とで、ウェハロットや製造時期等のデバイスに関する共通要素を持つものを用い、ピーク増幅器１３に対するバイアス電圧Ｖｇ２を、キャリア増幅器１２に対するバイアス電圧Ｖｇ１と、所定のオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔとから生成する。デバイスのばらつきに係わらず、ピーク増幅器１３に対するバイアス電圧とピンチオフ電圧との差は同じになり、ピーク増幅器１３のバイアス電圧が最適に設定される。また、キャリア増幅器１２を構成するＦＥＴのゲートに印加するバイアス電圧を調整することで、同時に、ピーク増幅器１３を構成するＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧も調整できる。 （もっと読む）

【課題】アナログスイッチとアナログスイッチ及びアナログスイッチと電荷信号を放電させるリセット回路とを備えることでオペアンプの入力端には流れこまないようにした、漏れ電流が信号に影響を与えないようにしたチャージアンプを提供する。
【解決手段】オペアンプ２の出力端子６とオペアンプ−入力端３に接続された積分コンデンサ７に、直列に接続したアナログスイッチＳ１とアナログスイッチＳ２を並列に接続し、更に前記アナログスイッチＳ１と前記アナログスイッチＳ２の接続点から接地点との間にアナログスイッチＳ３を接続し、前記積分コンデンサに充電した電荷信号を前記スイッチＳ１及びＳ２とで放電させるリセット回路とを備えたことを特徴とする圧電型センサの電荷信号を電圧信号に変換するチャージアンプにより提供される。 （もっと読む）

【課題】音声信号処理回路の汎用性を向上する。
【解決手段】ゲインコントローラ１２は、音声信号の振幅をコントロールする。ＰＷＭ変換器１８は、振幅がコントロールされた信号をＰＷＭ変換する。そして、ゲインコントローラ１２は、リミッタ制御信号に応じて、音声信号の振幅を制限し、ＰＷＭ変換回路１８は、振幅コントロールされた音声信号の最大振幅の信号については、リミッタ制御信号にかかわらず、ＰＷＭ変換の変調度を制限による振幅制限を掛ける。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールにおいて、同一設計の受光素子を用いながら入力インピーダンスの異なるプリアンプを用いた場合にでも良好な周波数通過特性(Ｓ２１)を実現する。
【解決手段】受光素子を搭載した半導体チップ６と、受光素子の出力信号を増幅するプリアンプ２と、受光素子を搭載する絶縁性キャリア基板３と、受光素子の出力信号がキャリア基板上の電極５を介してプリアンプに入力されるように接続し、受光素子を搭載しない状態でキャリア基板上の２電極間の容量値を４０ｆＦ以上とした２電極４、５を有することより解決できる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて小さな占有面積で配置され、かつ、出力信号の損失をできる限り低減することができる電力増幅器および送信機を提供する。
【解決手段】電力増幅器１６はハイブリッド電力分配器２２およびハイブリッド電力結合器２３の間に設けられたアンプ回路２４を有するバランスアンプ２１を備える。ハイブリッド電力結合器２３のアイソレーションポート２３ｄに検波回路２７が接続される。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大きくすることなく、電力効率を改善する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器は、第１スイッチ素子１０４の他端と第２スイッチ素子１０５の他端との間に接続され、第１スイッチ素子１０４および第２整合回路１１５を介して第２アンプに電源を供給し、第２スイッチ素子１０５および第３整合回路１１６を介して前記第３アンプ１０３に電源を供給するための第１電源ライン１３３を具備し、第１スイッチ素子１０４の前記他端は、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第２スイッチ素子１０５の前記他端は、第１電源ライン１３１を介して、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第３アンプ１０３の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスが、第２アンプ１０２の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスより高い。 （もっと読む）

【課題】増幅器における歪成分を簡単な構成で検出し、低コストおよび低消費電力で歪成分を抑制することができる高出力増幅回路を提供する。
【解決手段】線形増幅特性を有し、中心周波数が既知の入力信号を増幅して出力する増幅器と、増幅器の出力信号から非線形増幅特性により発生する高調波成分のうち、中心周波数が入力信号の３倍の３次高調波成分を抽出する３次高調波成分抽出回路と、３次高調波成分抽出回路の出力から、３次高調波成分の包絡線信号を検出する包絡線検出回路と、入力信号をキャリア信号および包絡線信号に分離し、入力信号の包絡線信号と３次高調波成分の包絡線信号とを加算した和信号を生成し、この和信号と入力信号のキャリア信号とを乗算して増幅器に入力する歪成分抑圧回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電力出力時の消費電流を低減して、ＤＣ電圧変換器による実装面積の増大を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置２００は、外部電源電圧Ｖｃｃ１、２、３によって動作するドライバー段増幅器２３０と第１のＲＦ増幅器２７０ａと第２のＲＦ増幅器２７０ｂとＤＣ電圧変換器２８０を具備する。ドライバー段増幅２３０の出力は第１と第２のＲＦ増幅器２７０ａ、２７０ｂの入力に供給され、第１のＲＦ増幅器２７０ａの実効素子サイズは第２のＲＦ増幅器２７０ｂのそれより大きな素子サイズに設定される。ＤＣ電圧変換器２８０に外部電源電圧Ｖｃｃ３が供給され、ＤＣ電圧変換器２８０は低電圧の動作電源電圧Ｖｃｃ４を生成して、第２のＲＦ増幅器２７０ｂの出力端子に供給する。第１のＲＦ増幅器２７０ａの出力端子には、ＤＣ電圧変換器２８０を介することなく、外部電源電圧Ｖｃｃ２が供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】
高周波パワーアンプの試験工程のコストを低減する。
【解決手段】
高周波パワーアンプは，インダクタを有する入力整合回路と，前記入力整合回路を通過した入力信号を増幅する増幅トランジスタと，入力整合回路内のインダクタに第１の試験スイッチにより接続されるキャパシタと，インダクタに第２の試験スイッチを介して第１の基準電圧との間に設けられた負性抵抗用トランジスタと，第２の基準電圧とインダクタとの間に設けられた電流源トランジスタとを含む試験用回路とを有し，試験時に第１，第２の試験スイッチ及び電流源トランジスタが導通してインダクタと試験用回路とで高周波発振器が構成され，通常動作時に第１，第２の試験スイッチ及び前記電流源トランジスタが非導通になる。 （もっと読む）

【課題】 回路構成の簡素化と回路面積の低減とコストの削減とを図ることが可能な無線通信機器を提供する。
【解決手段】 無線送信回路は、送信出力を１−ポートＲＦ出力あるいはハイバンド出力とローバンド出力との２−ポートＲＦ出力にまとめたＲＦＩＣ（１）と、マルチ通信方式及びマルチバンド送信に対応するための広帯域パワーアンプ（２１）と、広帯域パワーアンプの出力を各送信バンドに対応した信号パスに出力するバンドスイッチ（２４）と、各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの入力とＲＦＩＣの出力との間でマッチングを取る第１のマッチング補正回路（２２）及び各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの出力とバンドスイッチの入力との間でマッチングを取る第２のマッチング補正回路（２３）とを含む送信部分（２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価かつ容易に歪特性の劣化を抑制できる検出回路とそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電力増幅器とアンテナの間に配置された方向性結合器の結合線路両端の信号を用いて、該電力増幅器の歪特性劣化を検出する回路であって、該結合線路の結合端子の電力を移相および減衰する移相・減衰器と、該移相・減衰器からの出力電力と、該結合線路のアイソレーション端子の電力の差分を出力する手段と、該差分をＤＣ信号に変換する検波回路と、該ＤＣ信号の電圧レベルが所定値よりも高いかを判定する比較回路とを備える。そして、該移相・減衰器は、該電力増幅器の歪特性が劣化する該アンテナ端の負荷状態において、該移相・減衰器が出力する信号の位相が該アイソレーション端子の信号の位相と１８０°の位相差になるように該結合端子の電力を移相することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧の供給構造を簡素化する。
【解決手段】同一高周波信号を増幅する増幅器Ａ４１，Ａ４２，Ａ４３，Ａ４４と、増幅器Ａ４１，Ａ４２の出力信号を合成する合成器Ｓ１１と、増幅器Ａ４３，Ａ４４の出力信号を合成する合成器Ｓ１２と、合成器Ｓ１１，Ｓ１２の出力信号を合成する合成器Ｓ１３と、＋ＶのＤＣバイアス電圧を合成器Ｓ１３に印加する高周波カット用インダクタＬ１１と高周波パス用キャパシタＣ１１からなるバイアス供給回路とを設ける。＋ＶのＤＣバイアス電圧を、合成器Ｓ１３から合成器Ｓ１１を経由して増幅器Ａ４１，Ａ４２に供給し、合成器Ｓ１３から合成器Ｓ１２を経由して増幅器Ａ４３，Ａ４４に供給する。 （もっと読む）

【課題】より低いブレークダウン電圧プロセスを適切に使用することが可能なオーディオ増幅回路を提供する。
【解決手段】正の電源電圧ＶＤＤ及び負の電源電圧ＶＳＳで動作するオーディオアンプについて、供給されるＶＤＤから反転型ＤＣ−ＤＣコンバータを介して大きさがＶＤＤより小さく負の値であるＶＳＳを生成し該オーディオアンプに供給しようとするもので、反転型ＤＣ−ＤＣコンバータとしては好ましくはチャージポンプ構成とする。 （もっと読む）