【課題】
ＰＷＭ制御を行うことなく、簡単な構成でＨブリッジ回路を駆動する。
【解決手段】
制御信号Ｖｓが与えられ、前記制御信号Ｖｓを前記基準値ｒｅｆに対して非反転増幅するアンプ１１および反転増幅するアンプ１２を備えるＨブリッジ制御部１０と、Ｈブリッジ回路２０とを備え、前記非反転増幅された制御信号Ｖｓが、第１トランジスタ２１、第４トランジスタ２４に入力され、前記反転増幅された制御信号Ｖｓが、第２トランジスタ２２、第３トランジスタ２３に入力される。第１トランジスタ２１と第４トランジスタ２４のうち、一方がリニア動作するとき他方が飽和動作し、また、前記第２トランジスタ２２と第３トランジスタ２３のうち、一方がリニア動作するとき他方が飽和動作するように構成する。 （もっと読む）

【課題】参照用の時定数発生回路を集積回路の外部に用意すると、集積回路の端子数の増加および半導体チップ面積の増大を招き、その結果、製造コストが増大してしまう。また、集積回路単体では時定数の調整を行えない。
【解決手段】スイッチトキャパシタを用いることで、時定数発生回路を集積回路に内蔵しても十分な精度が保たれる。さらに、時定数の補正結果を記憶する記憶部を設けることで、時定数調整用回路と、時定数調整後の通常動作用回路を、一部兼用することが可能となる。集積回路の端子数と、半導体チップ面積を節約でき、その結果、製造コストを抑えられる。さらに、外部から電源さえ供給されれば、自動的かつ自律的に時定数の調整を行える。 （もっと読む）

【課題】Ｅ級と逆Ｆ級のハイブリッド回路を用いて高効率な電力増幅器を提供する。
【解決手段】「Ｅ／Ｆ級増幅器」と呼ばれる、新たな分類のスイッチング増幅器は、選択された調波でＦ^-1級のインピーダンスと、それら以外の調波でＥ級のインピーダンスを配備することによって、電圧と電流の改良された波形のための負荷ネットワークと共に、ゼロ電圧スイッチング(ＺＶＳ)位相補正技術を用いて、Ｅ級増幅器で利用されるスイッチングデバイスの固有キャパシタンスに通常関連した損失を取り除く。 （もっと読む）

【課題】 フィルタレス等を好適に実現可能なＤ級増幅回路を提供する。
【解決手段】 Ｄ級増幅回路は、第１パルス幅変調信号（Ｐａ）と第２パルス幅変調信号（Ｐｂ）とを同時に生成する。この場合、第２パルス幅変調信号中の幅狭パルス信号の立上り時点は、第１パルス幅変調信号中の幅広パルス信号の立上り時点よりも遅れ、その立下り時点は、当該幅広パルス信号の立下り時点よりも早い。他方、第１パルス幅変調信号中の幅狭パルス信号の立上り時点は、前記第２パルス幅変調信号中の幅広パルス信号の立上り時点よりも遅れ、その立下り時点は、当該幅広パルス信号の立下り時点よりも早い。これにより、出力信号（ＯＵＴ）は、プラス側に突出する２本のパルス、マイナス側に突出する２本のパルス、が交互に繰り返される信号となる。 （もっと読む）

【課題】ローパスフィルタを全く使用することなく、入力された２レベルのＰＷＭ信号から、３レベルのＢＴＬ用等のＰＷＭ信号を発生させる。
【解決手段】２レベルのＰＷＭ信号を入力して、クロック信号に同期させた同期ＰＷＭ信号を得るとともに、２レベルのＰＷＭ信号の正又は負の一方の極性のエッジを検出したエッジ検出信号を得る。同期ＰＷＭ信号をｎ段の第１のシフトレジスタに入力して、クロック信号に同期させて後段にシフトさせる。先のエッジ検出信号と次のエッジ検出信号の間の記同期ＰＷＭ信号を時間軸反転且つ論理反転し、ｎ段の第２のシフトレジスタの初段から順にセットしてから、記クロック信号に同期させて後段にシフトさせる。第１のシフトレジスタの出力ＰＷＭ信号と第２のシフトレジスタの出力ＰＷＭ信号の差分をとることで２レベルのＰＷＭ信号に応じた３レベルのＰＷＭ信号を得る。 （もっと読む）

低雑音トランスコンダクタンス増幅を提供するためのデバイスが提示される。前記デバイスは、差動ＲＦ入力信号を受信するように構成されたＰＭＯＳトランスコンダクタンス部と、前記ＰＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＰＭＯＳカスコード部と、前記ＲＦ差動入力信号を受信するように構成されたＮＭＯＳトランスコンダクタンス部と、前記ＮＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＮＭＯＳカスコード部と、を含み、前記ＰＭＯＳカスコード部及びＮＭＯＳカスコード部は、差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供する。ＲＦ信号を増幅するための方法も提示される。前記方法は、差動ＲＦ入力信号を受信することと、前記差動ＲＦ入力信号を電流信号に変換することと、前記電流信号をバッファリングして差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供すること、とを含む。
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【課題】解決しようとする課題は、静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプにおいて、スピーカをドライブするチョークコイルを不要とし、且つ、出力用静電誘導トランジスタの特性選別も容易になり、正負のバランスのよいアンプを提供することである。
【解決手段】本発明では、同一導電型、特に特性の揃ったＮチャネル静電誘導トランジスタ２つを出力段としてシリーズに重ねて、両者をシリーズ接続した電圧の同じ電源で各々バイアスし、両Ｎチャネル静電誘導トランジスタの中間端子と電源の中間端子からスピーカを駆動するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ハムノイズ除去のための構成をＩＣの外付け部品として設けることなく、ハムノイズを除去できるようにする。
【解決手段】ＡＭ受信回路の初段アンプを差動増幅回路３としてＩＣ２に内蔵し、ＩＣ２の一のパッドＰ１に対して当該差動増幅回路３を接続する。そして、この差動増幅回路３が有する２つの入力端子の間に抵抗Ｒａを接続するとともに、当該抵抗Ｒａとグランドとの間に直列にコンデンサＣａを接続してハイパスフィルタを構成することにより、ＩＣ２内に集積した抵抗ＲａとコンデンサＣａとによりハムノイズを除去できるようにする。 （もっと読む）

【課題】出力側をフィルタレスとすることを前提に、回路規模を縮小化したスイッチングアンプを提供する。
【解決手段】１フレーム期間内の基準信号として半フレームは第１のランプ波を生成し他の半フレームは前記第１のランプ波の次に続く第２のランプ波を生成するランプ波発生器２１を具え、信号基準レベルを中心として上下レベルを相補的に交互に推移する二種類のレベル信号のうち片方のレベル信号と第１及び第２のランプ波とを比較する第１の比較器２２と、他の片方のレベル信号と第１及び第２のランプ波とを比較する第２の比較器２３とを具え、比較器２２、２３の出力信号を次の第２のランプ波まで持続させて、あたかも従来の三角波の比較器出力と同等のパルス幅変調信号ＰＧ、ＮＧを得るパルス幅変調信号生成器２４を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級アンプを有していながら、電気的構成が複雑なＨブリッジドライバや出力フィルタを必要とせず、トロイダルコアやコイルも不要にして、小型で磁気飽和による歪を無くすことができるスピーカを得る。
【解決手段】磁界の変動に応じて変位する超磁歪部材２０と、超磁歪部材２０の周囲に間隔を設けて配置され、駆動電流に応じて超磁歪部材２０の変位方向に沿った向きの磁界を発生するコイルと、超磁歪部材２０の一端に支持された振動板３０と、コイルに駆動電流を供給するＤ級アンプと、を備え、コイルは、Ｄ級アンプのアップ側駆動電流で駆動されるアップ側コイル２２と、Ｄ級アンプのダウン側駆動電流で駆動されるダウン側コイル２４を備えている。 （もっと読む）

増幅器（２２）は、増幅器の入力インピーダンスの実部を設定するために、ソースデジェネレーションインダクタ配置構成に代わる容量性素子（２６，２８）の配置構成を含む。
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【課題】回路の安定化を損なうことなく、受動素子型のインダクタンスを使用した場合に比べてサイズが大幅に小さい増幅回路を提供する。
【解決手段】信号増幅用半導体トランジスタ1と、信号増幅用半導体トランジスタを安定に動作させるための安定化回路と、を備える増幅器であって、安定化回路は、信号増幅用半導体トランジスタ1の接地端子4とグランド6との間に接続され、周波数の増大に伴って、出力インピーダンスが増大する安定化用半導体トランジスタ7を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｘ帯からＫｕ帯にわたる高周波領域で動作する大きなサイズのパワートランジスタを用いた高出力増幅器において、低インピーダンスの入力整合回路を実現すると共に実装ばらつきを低減する。
【解決手段】ソース端子とゲート端子とが複数交互に配置されたトランジスタ１と入力整合回路２とを含む高出力増幅器であって、入力整合回路２において、トランジスタ１のソース端子に対向する位置にグランドに導通したビア８を設け、トランジスタ１のゲート端子に対向する位置に信号線としての導体６を設け、ソース端子と当該ソース端子に対向する位置に設けられたビア８とをソースワイヤ１２を用いて接続し、ゲート端子と当該ゲート端子に対向する位置に設けられた導体６とをゲートワイヤ１３を用いて接続する。 （もっと読む）

【課題】 アイドル電流の温度変動を大幅に減らし、ベースバイアス回路の出力インピーダンスをＤＣでは低くＲＦに対しては高くすることによってベースバイアス回路へのＲＦ信号の漏れを防いでチョーク用インダクタンスを省くことが出来る高周波高出力増幅器を提供する。
【解決手段】 低電圧であるベースバイアスコントロール電圧Ｖｃｏｎでコレクタ電流の温度補償ができるように、アイドル電流はベース・コレクタを抵抗Ｒ４を介しダイオード接続されたトランジスタＱ３と抵抗Ｒ１とで温度補償し、高出力時には、トランジスタＱ４を介してベース電流を供給し、トランジスタＱ４のベース電位をトランジスタＱ２とエミッタ接地トランジスタＱ１で与えるベースバイアス回路を使用する構成によって増幅用トランジスタＲＦＴｒとベースバイアス回路の接続に必要なチョークコイルＬを省略することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 分布型増幅器において、増幅要素に単一半導体素子を用いた場合電源供給用のチョークコイルを必要としていた。このチョークコイルは容積が大きく、分布増幅器の小型化の障害になっていた。
【解決手段】 分布型増幅器を、入力側伝送線路１と、出力側伝送線路２と、入力側伝送線路１及び出力側伝送線路２に接続された複数の増幅回路３とを備えるものとし、増幅要素をプッシュプル増幅回路とした。この置き換えによって電源供給用チョークコイルを省略することができた。
【効果】分布増幅器全体が小型でき、さらに高出力化および良好な線形性が得られた。 （もっと読む）

半導体装置（２０）は、配線基板（２１）と、配線基板（２１）上に搭載された能動素子からなる半導体チップ（２２）と、配線基板（２１）上に搭載された受動素子からなるチップ部品（２３）と、配線基板（２１）上に搭載された導体線を複数回巻いた空芯コイル（２４）と、半導体チップ（２２）、チップ部品（２３）および空芯コイル（２４）を覆う封止樹脂（２５）とを有している。空芯コイル（２４）は、幅に対する高さの比率が０．９より小さく、空芯コイル（２４）の幅はチップ部品（２３）の高さよりも大きい。
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【課題】電力増幅モジュールの素子に複数機能を持たせて、大規模な回路を追加することなく、安定度の向上と任意帯域の抑圧を実現する。
【解決手段】電力増幅モジュールは、高周波増幅用半導体素子ＴＲ１１，ＴＲ１２が縦続的に接続され、入力端子Ｐｉｎの信号を、ＴＲ１１で増幅しＴＲ１２のベース端子に供給し、２次高調波対策部Ａ３と、出力整合部Ａ４を通し出力端子Ｐｏｕｔから出力する。出力整合部Ａ４は使用周波数帯にて増幅対象の周波数帯（基本波）でインピーダンス整合をとる。２次高調波対策部Ａ３は伝送により特性劣化となる２次高調波成分の伝送を防ぐ。コレクタバイアス部Ａ１は、ＴＲ１２に直流バイアスを印加して信号が外部へ漏洩しないように、インダクタＬ１２，Ｌ１７の値を設定しキャパシタＣ１８と接続する。またインダクタＬ１２とＬ１７の接続点にインダクタＬ１６を接続し、キャパシタＣ１７を介してＴＲ１２のベース端子に接続する。 （もっと読む）