【課題】増幅トランジスタのトランスコンダクタンスｇｍの変動を抑制する。
【解決手段】バイアス回路は，第１のドレイン電流を生成する第１のトランジスタと，第２のドレイン電流を生成する第２のトランジスタと，直列に接続された複数の抵抗素子を有し，複数の抵抗素子に前記第２のドレイン電流と第１のドレイン電流の差電流が供給され，複数の抵抗素子間の複数のノードにそれぞれ対応する電圧を生成する抵抗回路とを有する。そして，抵抗回路の第１のノードの第１の電圧が第１のトランジスタのゲートに印加され，第２のノードの第２の電圧が第２のトランジスタのゲートに印加され，第１，第２のノードと異なる第３のノードの第３の電圧がバイアス電圧として出力される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズによる受信感度の劣化を防ぐとともに、ダイナミックレンジの減少を防ぐことが可能な半導体集積回路、増幅器および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、供給された第１の電源電圧によって動作する。半導体集積回路１０１は、受けた信号を増幅するための増幅回路２と、第１の電源電圧から第２の電源電圧を生成するための安定化電源５と、第１の電源電圧および第２の電源電圧を受けて、増幅回路２に対して供給する電圧として、第１の電源電圧と第２の電源電圧とを選択可能な電源選択回路６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＰＰ回路の温度上昇の熱が放熱器を介してバイアス回路に伝わるまでの熱結合によるタイムラグを解消して、熱暴走の発生を未然に防止する。
【解決手段】トランジスタ素子を有して構成されるトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のトランジスタ素子とは逆極性のトランジスタ素子を有して構成されるトランジスタＱ２と、が直列接続されると共に、両端が電源に接続されたシングルエンデッド・プッシュプル回路と、トランジスタＱ１回路にバイアス電圧を印加するバイアス回路を構成するトランジスタＱ５と、トランジスタＱ２にバイアス電圧を印加するバイアス回路を構成するトランジスタＱ６と、トランジスタＱ１のベース電圧を検出してトランジスタＱ５にフィードバックする直列接続の抵抗Ｒ３、Ｒ４と、トランジスタＱ２のベース電圧を検出してトランジスタＱ６にフィードバックする直列接続の抵抗Ｒ５、Ｒ６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅用のＦＥＴのドレインに印加されるパルス電圧の安定化を図る。
【解決手段】駆動用電源１１の出力電圧に基づきＭＯＳ−ＦＥＴＱ１を駆動する。Ｑ１はパルス信号源１２から出力される基準パルス信号ｂでスイッチングさせ、Ｑ１オン時は、コンデンサＣ１の電荷を移行させて得られる電圧でＱ１を非飽和状態で駆動する。Ｑ１のスイッチングによりソース電極に得られるパルス電圧を、ゲート電極に供給される高周波信号を増幅する高周波電力ＦＥＴＱ２の駆動電圧としてドレイン電極に印加する。Ｑ２のドレイン電極に発生するパルス電圧ｄと基準パルス信号ｂの電圧をオペアンプＯＰ２で比較し、Ｑ１のゲート電極にフィードバックする。非飽和状態で駆動されるＱ１にフィードバックさせたことで、Ｑ１に印加されるパルス内ドレイン電圧の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因する入力信号と出力信号のデューティばらつきを抑制する。
【解決手段】トランスミッタ１０は、一端から充電電圧Ｖａが引き出されるコンデンサ１０５と、コンデンサ１０５の充電電流Ｉ１を生成する第１定電流源１０３と、コンデンサ１０３の放電電流Ｉ２を生成する第２定電流源１０４と、送信入力信号ＩＮの論理レベル、及び、充電電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、コンデンサ１０５の充放電制御を行う充放電制御部（１０１、１０２、１０６）と、充電電圧Ｖａに応じてスルーレートが設定され、出力側電源電圧Ｖ２に応じて信号振幅が設定される送信出力信号ＯＵＴを生成する出力段（１０９〜１１６）と、出力側電源電圧Ｖ２に依存して基準電圧Ｖｒｅｆを変動させる基準電圧生成部１０７と、基準電圧Ｖｒｅｆに依存して充電電流Ｉ１及び放電電流Ｉ２の各電流値を変動させる定電流制御部１０８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】内部電源電圧を供給されるロジック回路の貫通電流が電源電圧に依存しない内部電源電圧生成回路を提供する。
【解決手段】電流源１の定電流に基づき、基準電圧ＶＲＥＦは電源電圧ＶＤＤに依存しないで生成され、基準電圧ＶＲＥＦに基づき、ソースフォロアによって内部電源電圧ＤＶＤＤが電源電圧ＶＤＤに依存しないで生成される。内部電源電圧ＤＶＤＤに基づき、ロジック回路９の貫通電流が流れる。よって、ロジック回路９の貫通電流は電源電圧ＶＤＤに依存しない。また、内部電源電圧ＤＶＤＤは、ロジック回路９が仕様上動作できる最低のロジック回路９用の電源電圧である。よって、ロジック回路９の貫通電流は少ない。 （もっと読む）

【課題】予め入力オフセット電圧を把握することなく、入力オフセット電圧を利得に応じて増幅させないようにすることができるとともに、温度補償をすることができる非反転増幅回路の提供。
【解決手段】非反転増幅回路２は、アンプ部３と、ボルテージフォロワ部４とを備える。アンプ部３は、負帰還部を有するオペアンプ３１と、オペアンプ３１の負帰還部に接続される帰還抵抗３２と、オペアンプ３１の反転入力端子に一端が接続される入力抵抗３３とを備える。ボルテージフォロワ部４は、負帰還部を有するオペアンプ４１を備える。オペアンプ４１は、非反転入力端子が接地されるとともに、出力端子がアンプ部３の入力抵抗３３の他端に接続されている。さらに、オペアンプ３１、及びオペアンプ４１は、同一パッケージ内のオペアンプである。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の製造時に生じる抵抗素子のばらつきによる増幅器の負荷変動や温度変化による増幅特性に与える影響を軽減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 増幅回路２と、半導体基板上に回路形成した抵抗素子を有するバンドギャップリファレンス電流源５からの電流を電圧変換して前記増幅回路２にバイアス電圧を供給するバイアス回路３と、バイアス回路３内に半導体接合で形成したモニタ抵抗素子５ＭＲと、モニタ抵抗素子５ＭＲを測定する半導体基板上に設けた測定端子６と、バンドギャップリファレンス電流源５の一部を構成し、回路電流を調整する抵抗値が異なる複数の調整抵抗素子７１とを備え、モニタ抵抗素子５ＭＲの抵抗値が所望値より低い場合は、所望値より高い調整抵抗素子を選択し、モニタ抵抗素子の抵抗値が所望値より高い場合は、所望値より低い調整抵抗素子を選択し、増幅回路２のバイアス電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、被バイアスのＭＯＳトランジスタを電源電圧、温度、プロセスバラツキ等によらず一定とすることができるバイアス電圧回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１のＭＯＳトランジスタＭＢ１及び第２のＭＯＳトランジスタＭＢ２を含み、該第１のＭＯＳトランジスタ及び該第２のＭＯＳトランジスタから被バイアスＭＯＳトランジスタＭ２にバイアス電圧Ｖｂを供給するバイアス回路であって、
前記第１のＭＯＳトランジスタ及び前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインに、等しい電流を供給する等電流供給回路１０と、
前記第１のＭＯＳトランジスタのゲート、前記第２のＭＯＳトランジスタのゲート及びドレインに共通に接続され、前記バイアス電圧を出力するバイアス電圧出力線ｂｉａｓｎと、
前記第１のＭＯＳトランジスタのソースとグランドとの間に接続され、線形領域で動作する駆動電圧がゲートに印加される第３のＭＯＳトランジスタＭＢ３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】精度良く増幅器における増幅段トランジスタのトランスコンダクタンスを一定に制御することのできるバイアス電流生成回路を提供する。
【解決手段】スイッチ４がオンされて定電流源が接続されることで、供給する電流量を変化させるバイアス電流供給回路から電流を供給されてバイアス電圧を発生するバイアス回路７と、スイッチ４がオンの場合とオフの場合のバイアス電圧を比較して、変化量を検出する比較検出回路５と、変化量が所定の値に近づくように可変電流源２からの電流を制御するバイアス制御回路６を備え、制御されたバイアス電流を増幅器に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】複数の通信方式で電力増幅器を共用する場合、低電圧検出しきい値を高く設定したり、サイズ、コストの増大を招いたりすることなく、電源回路入力部の過渡的な電圧降下を低減すること。
【解決手段】本発明の無線通信装置は、電源と、複数の通信方式で共用する電力増幅部と、電源からの電源電圧を降圧又は昇圧して電力増幅部に供給するためのＤＣ／ＤＣコンバータと、電源からの電源電圧をＤＣ／ＤＣコンバータを迂回して電力増幅部に直接供給するためのバイパスに設けられたバイパススイッチと、通信方式に応じてＤＣ／ＤＣコンバータまたはバイパススイッチのいずれかをＯＮにし、電源からの電源電圧をＤＣ／ＤＣコンバータまたはバイパスのいずれかを使用して電力増幅部に供給する制御部と、を有する。制御部は、バイパスを使用する通信方式の場合、当該通信方式による送信動作の開始前の一定期間において、バイパススイッチのＯＮ／ＯＦＦを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】温度変動における複数の高周波増幅器間のバイアス変動特性のばらつきを低減することのできるＦＥＴバイアス回路を提供する。
【解決手段】高周波増幅器１は、第１段増幅器１０と、第１段増幅器１０の後段に接続される第２段増幅器２０と、第２段増幅器２０の後段に並列接続される第３段Ａ増幅器３１及び第３段Ｂ増幅器４１（Ａ，Ｂを第３段増幅器３０と呼ぶ）と、第３段増幅器３０を制御するＡ／Ｄ変換器１３，ＣＰＵ１２，Ｄ／Ａ変換器１１と、を有している。ここで、第３段Ａ増幅器３１には、ＦＥＴ３２と、ドレイン電流Ｖｄｓｄｃを測定するための抵抗Ｒｄと、温度センサ３４と、ゲート電圧Ｖｇｓを制御するための演算増幅器３３と、コンデンサＣ１，Ｃ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 異なる信号系統間でのゲイン制御電圧−ゲイン特性のバラツキを抑制する。
【解決手段】 ＬＲの各チャンネルに設けた２つのゲイン可変回路３Ａ、４Ａを、減衰回路９Ａ、１０Ａと反転増幅回路１１、１２で構成し、減衰回路９Ａは、入力端子とグランド間に抵抗ＲＡ１、コンデンサＣＡ２、ＦＥＴＱＡのソース−ドレイン端子間を直列接続し、ＣＡ２とＦＥＴＱＡの接続点を抵抗ＲＡ４を介して＋Ｖｃと接続し、ゲイン制御電圧ＧＶを差動増幅器２０の（−）端子に入力し、（＋）端子をＦＥＴと直流阻止コンデンサの接続点と接続し、差動増幅器２０の出力をＦＥＴＱＡのゲート端子に印加する。ゲイン可変回路４Ａも３Ａと全く同様に構成し、各ゲイン可変回路３Ａ、４Ａに共通のゲイン制御電圧ＧＶを供給する。 （もっと読む）

【課題】歪み補償機構の低消費電力化を実現可能な増幅装置を提供する。
【解決手段】増幅装置１は、増幅器１１、熱電変換部１２、及びバイアス回路１３を有する。増幅器１１は、増幅素子としての電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を有する。熱電変換部１２は、増幅器１１の自己発熱により生じる温度勾配を利用した熱電変換によって電圧信号を生成する。さらに、バイアス回路１３は、熱電変換部１２によって生成された電圧信号を入力し、増幅器１１が有するＦＥＴに印加されるゲートバイアス電圧を電圧信号の大きさに応じて増減させる。 （もっと読む）

【課題】アイドル電流の温度係数を大きくすることが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】信号を増幅して出力するトランジスタＱ１を有する増幅段回路１１と、トランジスタＱ１と実質的に同じ層構造をなし、コレクタが電圧供給端子Ｖｄｃに接続され、エミッタがトランジスタＱ１のベースに接続されたトランジスタＱ２、アノードがトランジスタＱ２のエミッタに接続され、カソードが接地され、トランジスタＱ２のオン電圧よりも低いオン電圧を有するダイオードＤ１、及び、制御電圧供給端子Ｖｃｏｎから供給される電圧を、温度上昇に対して電圧が減少する負の係数を持つように設定して、トランジスタＱ２のベースに供給する電圧供給回路２３を有し、トランジスタＱ１と同一基板上に形成されたバイアス回路２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積の増大を防ぎ、温度依存特性のない基準電流を発生させることのできる基準電流発生回路を提供。
【解決手段】差動増幅器12を備える定電流発生回路14と、定電流発生回路14に接続され差動増幅器16を備える定電流発生回路18と、定電流発生回路18に接続され、基準電圧Vref1およびVref2を出力する出力回路20とを有し、定電流発生回路18は、熱電圧に比例する定電流を加算するトランジスタのミラー比を選択可能とし、ダイオード電圧に比例する定電流を発生させる差動増幅回路16の入力に、高インピーダンスMOSゲートを介して抵抗R1による分割電圧を印加する際に、分割されたノードを切替え可能として基準電流を発生する。 （もっと読む）

【課題】増幅器回路（１０）およびバイアスノイズを低減する方法を提供する。
【解決手段】増幅器回路は、所望のバイアス信号（２６）を増幅器に供給する受動バイアス印加源（１６）と、所望のバイアス信号を供給するために受動バイアス印加源に電圧印加する能動バイアス印加源（１８）とを含む。増幅器回路はまた、増幅器が、受動バイアス印加源によって所望のバイアス信号を依然として供給されながら、能動バイアス印加源によって生成される電子ノイズから切り離されたままになるように、入力信号を増幅するように構成される場合に、能動バイアス印加源を受動バイアス印加源から選択的に分離させる分離器（２８）を含む。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を行っても出力部のトランジスタを確実に動作させ、出力信号を確実に出力させる発振信号出力回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路１１０からバイアス電圧を増幅部１３０、発振部１２０に印加して発振信号を出力し、発振信号の出力信号ＸＴＢを容量結合し、出力信号ＸＴＢをバイアス電圧でかさ上げし、出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮを生成する。生成された出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮを出力段１５０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ４Ａ、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ４Ａに入力し、稼動させる。出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮの電圧が同時に下がれば、電圧が下がり、電流も下がるのでＨ側が出力され、出力信号ＸＴＰ、ＸＴＮの電圧が同時に上がれば、電圧が上がり、電流も上がるのでＬ側が出力される。従って、出力段１５０は大きな利得を得て確実に動作し、閾値電圧がばらついても、バイアス電圧が変化し、確実に出力信号を出力する。 （もっと読む）