【課題】半導体メモリ装置の読み出し動作および書き込み動作フェイルを防止することができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】読み出し信号または書き込み信号に応答して、選択的にイネーブルされる第１テストモード信号ないし第３テストモード信号に応じて遅延量が調整されるストローブクロックを生成するストローブクロック生成部１０と、ストローブクロックの第１レベルに応答してアドレスをラッチし、ストローブクロックの第２レベルに応答して、アドレスをデコーディングして内部アドレスを生成する内部アドレス生成部２０と、内部アドレスをデコーディングして選択的にイネーブルされる出力イネーブル信号を生成する出力イネーブル信号生成部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号に基づいて位相の一致した相補の出力信号を生成する。
【解決手段】半導体装置に含まれるスプリッター回路１０は、入力信号ＩＮＴを受けて反転信号ＩＢ１を出力するインバータＩＮＶ１と、反転信号ＩＢ１を受けて非反転信号ＩＴ１（第１の出力信号）を出力するインバータＩＮＶ２が縦続接続される信号パスＰＡＳＳ１を含む。また、スプリッター回路１０は、入力信号ＩＮＴを受けて反転信号ＩＢ３（第２の出力信号）を出力するインバータＩＮＶ３を含む信号パスＰＡＳＳ２を含む。また、インバータＩＮＶ３と補助インバータＩＮＶＣは出力信号線を共有する。インバータＩＮＶ３と補助インバータＩＮＶＣは、共に、入力信号ＩＮＴの反転信号を電源とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動時における動作完了直後のビット線のプリチャージ電圧復帰するまでの時間を高速化し、読み取りエラーを防止する。
【解決手段】メモリセルＢＬＣＥＬＬ＜０＞、ＢＬＣＥＬＬ＜１＞と、メモリセルのビット線対ｂｌ／ｂｌｂと、ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ回路ＢＬＳＡと、センスアンプ回路ＢＬＳＡのグローバルビット線対ｇｂｌ／ｇｂｌｂと、を有する半導体記憶装置である。センスアンプ回路ＢＬＳＡは、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ１及びＰ２と、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ１〜Ｎ６と、を含むＳＲＡＭ型であり、該ＳＲＡＭの接続ノードａ及び接続ノードｂに専用のイコライズ線ｅｑｃを設けることによって、各駆動信号線に分布する寄生容量を分散させる。 （もっと読む）

【課題】外部電圧ＶＤＤの変動に伴うレイテンシカウンタのラッチマージンの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、外部クロック信号に基づいて生成される内部クロック信号ＬＣＬＫＯＥＦＴと、外部から供給されるリードコマンドに応じて生成される内部リードコマンドＭＤＲＤＴとを受け、内部リードコマンドＤＲＣを生成するレイテンシカウンタ５５を備え、レイテンシカウンタ５５は、出力ゲート信号ＣＯＴ０〜ＣＯＴ７のそれぞれを遅延させることにより入力ゲート信号ＣＩＴ０〜ＣＩＴ７を生成する遅延回路部２００を有し、遅延回路部２００は、外部電圧ＶＤＤで動作する遅延素子と、内部電圧ＶＰＥＲＩで動作する遅延素子とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、温度変化によるデータのラッチタイミングの調整によって生ずるシステムのビジー期間を抑制しなければならない。
【解決手段】タイミング制御回路１１６は、任意の温度でデータＤＱｉとストローブ信号がキャリブレーションによってマッチングされたストローブ信号ＤＱＳ，ＤＱＳＢを受信し、内部ストローブ信号ＩＤＱＳ、ＩＤＱＳＢを生成し、ラッチ回路１１８に出力する。ラッチ回路１１８は、内部ストローブ信号ＩＤＱＳ、ＩＤＱＳＢのエッジのタイミングでデータＤＱｉをラッチする。タイミング制御回路１１６は、温度検知回路１２４と内部ストローブ信号ＩＤＱＳ、ＩＤＱＳＢの伝送経路に間挿され、温度検知回路１２４からの温度信号Ｔにしたがって、前記マッチングを維持するように内部ストローブ信号ＩＤＱＳ、ＩＤＱＳＢの時間変動を抑制する可変遅延回路１２２を含む。 （もっと読む）

【課題】外部電圧変動によるコマンドラッチミスの発生を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置６００は、入力される第１のパルス信号１ｓｈｏｔ．ＣＭＤに由来する第１の入力信号と、入力される第２のパルス信号Ｏｕｔ．ＣＬＫに由来する第２の入力信号と、が入力されるラッチ回路６１２と、ラッチ回路の出力を第２のパルス信号に依存するタイミングで後段へ出力する出力回路６１３と、第２のパルス信号に基づいて、第１の入力信号のパルス幅を第１のパルス信号のパルス幅よりも大きくしてラッチ回路へ供給するか、または、第２の入力信号のパルス幅を第２のパルス信号のパルス幅よりも大きくしてラッチ回路へ供給する前処理回路６１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】テスト時に、読み出しビット線に接続するＹスイッチと共通のローカル入出力線に接続される被救済ビット線に接続するＹスイッチに接続するＹＳ制御信号のオープン不良を検出可能とする半導体装置の提供。
【解決手段】テストモード時に、選択されたＹＳ制御信号（ＹＳ８）の非活性からメインアンプを活性化させる制御信号（ＭＡＥ）の活性化までの時間（ｔ４）を調整し、通常動作時よりも長くすることで、被救済ビット線に接続するＹスイッチに接続するＹＳ制御信号（ＹＳ０）のオープン不良を検出する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによる閾値電圧の変動に起因する歩留まりの悪化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数のトランジスタが並列に接続された所定並列回路と、複数のトランジスタのオンオフ状態を制御しつつ所定並列回路のインピーダンスが所定値になったかを検出し、該インピーダンスが所定値になったときの複数のトランジスタのオンオフ状態に応じた制御値を生成する制御値生成部と、電源電圧を生成する電圧発生部と、電源電圧で動作する動作トランジスタと、制御値に基づいて電源電圧を制御する制御部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｙ方向に隣接する２つの回路ブロックに対しＸ方向に延在する制御線からタイミング信号を同時に供給する。
【解決手段】例えば、Ｙ方向に配列されたポートＰＴ１，ＰＴ２と、ポートＰＴ１，ＰＴ２にそれぞれ接続された回路Ｃ１，Ｃ２と、Ｘ方向に延在し回路Ｃ１，Ｃ２それぞれに含まれるサブ回路ＳＣ１，ＳＣ２を共通に制御する制御線ＣＴＬ１を備える。サブ回路ＳＣ１，ＳＣ２のＹ方向における中間座標である座標Ｙ１は、ポートＰＴ１，ＰＴ２のＹ方向における中間座標Ｙ０とは異なる。制御線ＣＴＬ１からサブ回路ＳＣ１，ＳＣ２へのＹ方向における距離は互いに等しい。本発明によれば回路Ｃ１，Ｃ２の動作タイミングを正確に一致させることが可能となる。しかも、複数の制御線を必要とする場合であっても、制御線ごとに対応するサブ回路までの距離を一定とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】クロック信号にジッタ成分が重畳している場合であってもＤＬＬ回路を正しくロックさせる。
【解決手段】カウンタ部１０２のカウント値に応じてクロック信号ＬＣＬＫを生成するディレイライン１０１と、クロック信号ＬＣＬＫを反転させるか否かを制御する反転制御部１０３とを備える。カウンタ部１０２のカウント値を第１の初期値にリセットした後、反転制御部１０３はクロック信号ＬＣＬＫを反転させ又は反転させることなく出力する。次に、カウンタ部１０２のカウント値を第２の初期値にリセットする。本発明によれば、ジッタなどの影響によってクロック信号ＬＣＬＫを誤って反転させ、或いは誤って反転させなかった場合であっても、ダウンカウント（またはアップカウント）が多数回連続することがなくなる。これにより、第１及び第２の初期値としてオフセットした値を用いることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本実施形態は、出力ドライバのドライブ能力のキャリブレーション精度を向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１、第２のプルアップドライバユニットPUDUa、PUDUbは、プルアップドライバを調整する。プルダウンドライバユニットPDDUbは、プルダウンドライバを調整する。キャリブレーション回路CBCは、プルアップドライバのキャリブレーション時、基準電圧Ｖ_ＲＥＦと、基準抵抗RZQに基づく第１のプルアップドライバの出力電圧を比較して第１、第２のプルアップドライバユニットのドライブ能力を決定し、プルダウンドライバのキャリブレーション時、基準電圧と、第２のプルアップドライバとプルダウンドライバの接続ノードの電圧を比較してプルダウンドライバのドライブ能力を決定する単一の比較器COMPを有している。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、信号線の電位変化のタイミングを、書き込みワード線の電位変化のタイミングより遅らせる。これによって、データの書き込みミスを防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】ギアダウンモードのオン／オフによるラッチタイミング差をなくす。
【解決手段】クロック信号ＣＬＫ１を分周することによってクロック信号ＣＬＫ２を生成する分周回路２と、チップ選択信号ＣＳ１とクロック信号ＣＬＫ２を論理合成することによりチップ選択信号ＣＳ２を生成する論理回路４と、チップ選択信号ＣＳ２に基づいて活性化されコマンド信号ＣＭＤ１に基づいてコマンド信号ＣＭＤ２を生成するコマンド生成回路６とを備える。本発明によれば、分周されたクロック信号に同期してコマンド信号のラッチを行うのではなく、分周されたクロック信号に同期してコマンド生成回路を活性化させていることから、分周されていないクロック信号に同期してコマンド信号のラッチ動作を行うことができる。これにより、ギアダウンモードのオン／オフによるラッチタイミングに差が生じなくなる。 （もっと読む）

【課題】常に安定して読出し動作が行えるようにする。
【解決手段】パラレルデータ信号とストローブ信号とを互いに同期したタイミングで出力する半導体メモリの読出し制御を行う半導体装置は、ストローブ信号を可変可能な遅延時間分遅延させる第１の位相制御回路と、第１の位相制御回路で遅延させたストローブ信号を、可変可能な遅延時間分遅延させる第２の位相制御回路と、第１の位相制御回路で遅延させたストローブ信号のエッジでパラレルデータ信号を保持する第１の保持回路と、第２の位相制御回路で遅延させたストローブ信号のエッジでパラレルデータ信号を保持する第２の保持回路と、第２の保持回路がパラレルデータ信号の信号変化点で保持動作を行うように第１の位相制御回路の遅延時間を調整する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作周波数が高くなっても動作マージンの確保を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫ、／ＣＫから生成された内部クロック信号ＩＣＬＫを２分周し、２相の第１のクロック信号１ＣＬＫ（１：０）を生成する第１の分周回路９２と、前記外部クロック信号を遅延させた遅延同期クロック信号ＬＣＬＫ１を可変遅延素子１０２で遅延させた第３のクロック信号ＬＣＬＫＤと入力信号の位相を一致制御する遅延同期回路１００と、前記第３のクロック信号に対して第１、第２相の第１のクロック信号が時間的に正順でない場合に、前記第１、第２相の第１のクロック信号を入れ替える調整回路９３と、前記遅延同期クロック信号をｎ分周し、ｎ相の第２のクロック信号ＬＣＬＫ２（１：０）を生成する第２の分周回路９４と、複数のデータ出力を制御する制御回路８０を備える。 （もっと読む）

【課題】データストローブ信号に発生するグリッジを有効に除去し、正確なデータ転送を可能にするメモリインタフェース回路を提供する。
【解決手段】システムクロック信号ＣＬＫに同期したマスク制御信号ＲＥＮをある遅延調整値αだけ遅延させた信号を用いてデータラッチに使用するようにデータストローブ信号ＤＱＳをマスクする第１のマスク回路１０３と、遅延調整値αに一定の余裕度ｔを持たせてマスク制御信号ＲＥＮを遅延させた信号を用いてデータストローブ信号ＤＱＳをマスクする第２のマスク回路１０４と、第１のマスク回路１０３の出力におけるエッジ回数のカウント値と第２のマスク回路１０４の出力におけるエッジ回数のカウント値とを比較して、両カウント値の一致を確認しつつ遅延調整値αを変更し、不一致が起こった場合には遅延調整値αを戻すように動作する比較回路１１１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】同一ワード線上の各メモリセルの電位を一括で確定する事で、書き込み動作を短縮させることを可能とした半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】１つの電位制御回路に、複数のスイッチング特性を有するトランジスタを接続することで、書き込み電位を一括で確定する。電位を段階的に変化（上昇又は下降）させ続け、推移させながら所望の書き込み電位を確定し、書き込まれたデータに対する読み出しの結果のデータの正誤を常に監視することで、高精度な書き込み動作と高精度な読み出し動作を実現する。また酸化物半導体を用いたトランジスタの良好なスイッチング特性と高い保持特性を利用する。 （もっと読む）

【課題】クロック伝送回路３の電流消費量の増大を抑えつつ、リードデータのジッタを軽減する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫよりも周期の長い長周期クロック信号を供給し、アクティブ期間に続くリード期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫを供給するクロック出力制御回路７３と、クロック出力制御回路７３から出力された内部クロック信号ＬＣＬＫ及び長周期クロック信号を伝送するクロック伝送回路３と、データ入出力端子１４と、クロック伝送回路３によって伝送された内部クロック信号ＬＣＬＫに同期して、データ入出力端子１４にリードデータを出力する入出力回路６４とを備える。 （もっと読む）