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国際特許分類[B01J3/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 物理的または化学的方法または装置一般 (124,790) | 化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置 (50,456) | 物質の化学的または物理的変化を生じさせるため低圧または高圧を利用するプロセス;そのための装置 (1,161)

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【課題】 有機物を効率よくかつ簡易にガス化させる方法を提供する。
【解決手段】 有機物を、水素活性化金属からなる触媒及び/又はアルカリ性物質からなる触媒の存在下において、亜臨界水又は超臨界水と接触させることを特徴とする有機物のガス化方法。 (もっと読む)


【課題】 高温高圧の水と発生ガス吸収物質を用いて、熱力学的化学平衡を維持したまま、超臨界に比べて比較的低い圧力で、水を熱化学的分解することにより水素を製造する方法を提供する。
【課題を解決する手段】 炭素を含有する物質を高温高圧の水と反応させ、炭素を含有する物質を熱化学的に分解しつつ、水を還元して水素を生成させる方法であって、二酸化炭素吸収物質を、少なくとも生成したすべての二酸化炭素を吸収できる量反応系に存在させ、かつ、圧力80気圧以上温度600℃以上の条件で実質上酸化剤を加えることなく熱化学的分解を行う。 (もっと読む)


【課題】シリカ湿潤ゲルに金属化合物を液相で含浸する方法においては、化合物の種類や濃度により、ゲル内部への浸透に長時間を要したり、内部まで十分浸透しないため、モノリス状金属化合物複合シリカエアロゲルが得られない場合が多々見られた。
【課題を解決する手段】シリカ湿潤ゲル体に、金属化合物を混合した乾燥媒体を含浸し、乾燥させて金属化合物とシリカ粒子が複合化したシリカエアロゲルを得る方法において、含浸工程と乾燥工程を共に乾燥媒体の超臨界条件で行うことを特徴とするモノリス状金属化合物複合シリカエアロゲルの製造方法。 (もっと読む)


【課題】小型で高スループットの真空処理装置を提供する。
【解決手段】この真空処理装置3の真空槽11内に、水平姿勢と起立姿勢になれる基板ホルダ41、42を複数台設け、いずれか一台の基板ホルダ41を水平姿勢にし、他の基板ホルダ42を起立姿勢にすると、水平姿勢の基板ホルダ41と基板昇降機構との間で基板6の受け渡しができるように構成する。水平姿勢で基板を載置した後、その基板ホルダ41を起立姿勢にすると、基板6は垂直になるので、複数の基板を垂直な状態にしてスパッタリングを行うことができる。ダストが付着せず、欠陥が無い薄膜を効率よく形成できる。 (もっと読む)



【目的】この発明は、赤外線ランプを使用した放射加熱により基板を加熱処理する方法に於いて、反応ガスが分解して反応管の内側の壁面に成膜するのを防止した反応管冷却方法を提供することを目的とする。
【構成】この発明に於いては、赤外線ランプ7と赤外線を通過させる石英反応管3との間に石英の隔壁4を設けて石英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記隔壁との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成された通路に冷却用エア−を通過させる。 (もっと読む)


【目的】 成膜の終了した基板の温度を急速に冷却して基板処理時間の短縮化を図るとともに熱拡散により発生する加工形状の変化および添加不純物の濃度異常を低減化する。
【構成】 真空処理装置の成長室4に基板1を配置するとともに基板1に対向してヒータ2を設ける。ヒータ2はヒータ移動機構13により上下に移動可能である。基板処理が終了した後、ヒータの電源を遮断するとともにヒータを基板1より遠ざけることにより入射する熱量を少なくして自身の熱放射による急速冷却を行い、熱拡散を抑える。 (もっと読む)


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