【課題】スループットの低下を防ぐこと。
【解決手段】基板を立てた状態で回転可能に保持し、保持した前記基板を第一位置及び第二位置に配置可能な基板搬送部と、前記第一位置に配置された前記基板の第一面及び第二面のそれぞれに液状体を吐出する液状体ノズルを有する塗布部と、前記第二位置に配置された前記基板の周縁部の一部を収容する収容機構及び前記周縁部に洗浄液を吐出する洗浄液吐出機構を有し、前記周縁部の前記液状体を除去する除去部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】スピン塗布法を用いて塗布液を基板に塗布する場合において、塗布液の塗布量を少量にしつつ、塗布液を基板面内に均一に塗布する。
【解決手段】塗布処理方法は、ウェハを加速回転させた状態で、そのウェハの中心部にノズルからレジスト液を吐出して、ウェハ上にレジスト液を塗布する塗布工程Ｓ３と、その後、ウェハの回転を減速し、ウェハ上のレジスト液を平坦化する平坦化工程Ｓ４と、その後、ウェハの回転を加速して、ウェハ上のレジスト液を乾燥させる乾燥工程Ｓ５と、を有する。塗布工程Ｓ３では、ウェハの回転の加速度を第１の加速度、前記第１の加速度よりも大きい第２の加速度、前記第２の加速度よりも小さい第３の加速度の順に変化させ、当該ウェハを常に加速回転させる。 （もっと読む）

【課題】高い膜厚均一性を有するカラーレジスト膜を基板上に形成することが可能なレジスト塗布装置およびレジスト膜形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるレジスト塗布装置は、基板の中央部における温度よりも基板の周辺部における温度が高くなるように基板の温度を調整するよう構成された基板温度調整部と、中央部よりも周辺部において温度が高くなるように基板温度調整部により温度調整された基板上にカラーレジスト液を供給するカラーレジスト液供給部と、カラーレジスト液が供給された基板を回転する基板回転部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に対して反射防止膜を形成する工程、レジスト膜を形成する工程、露光後の基板に対して現像を行う工程を実施する塗布、現像装置において、装置の奥行き寸法を抑えること。
【解決手段】基板にレジスト膜を形成するためのＣＯＴ層Ｂ４と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのＢＣＴ層Ｂ５と、レジスト膜の上に反射防止膜を形成するためのＴＣＴ層Ｂ３と、現像処理を行うためのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とを互に積層する。これら積層体の前後に各層に対応する受け渡しステージを積層した受け渡しステージ群を設け、受け渡しステージを介して各層の間で基板の受け渡しができる。またレジスト液を基板に塗布するユニットなどの薬液ユニットについては、横並びの３連カップを共通の処理容器内に配置し、これらカップ内でレジスト塗布などの液処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら、液処理を行う液処理装置において、ミストやパーティクルの流出を抑え、且つ排気ポートから排気するための排気流量を抑えることができる技術を提供すること。

【解決手段】基板の回転により基板上の液を振り切るときには、外カップの下縁部をベース部の上方の第１の高さ位置に位置させ、装置が待機状態にあるときには前記外カップの下縁部の下方側から外部の気体を排気空間に流入させるために当該下縁部を第１の高さ位置よりも高い第２の高さ位置に位置させる昇降部と、前記処理液を案内するために、前記外カップの下縁部から内側に下向きに傾斜しながら伸び出す傾斜面部とを備えるように液処理装置を構成する。スピンチャックが回転しているときに前記排気空間の気体が外カップの下縁部に回り込んでベース体との間から外カップの外にミストやパーティクルが流出することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に高粘度の液体を均一に塗布することができる塗布装置および方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハーＷの塗布面と直交した回転軸３の回転対称軸Ｃと鉛直軸Ｖとが角度θを有しているので、回転対称軸Ｃと直交するシリコンウェハーＷの塗布面も水平面１０１、上面２００、下面２０１と角度θを有し、０度より大きく０．５度以下でわずかに傾いている。滴下された回転中心０から遠心力によって広がろうとする高粘度のレジストＲは、スピンヘッド１がわずかに傾いて回転していることにより、重力による力とレジストＲの表面張力とのバランスによって、力を回転中心０に向かって受け、高粘度のレジストＲを均一に塗布できるレジスト塗布装置１０を得ることができる。また、回転軸３の回転対称軸Ｃと鉛直軸Ｖとの角度θが固定されているので構造の簡単なレジスト塗布装置１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の全面に各種の塗布液を塗布する際に、基板の全面を塗布液で被覆するのに必要な塗布液の液量を、削減することができる塗布処理方法を提供する。
【解決手段】回転する基板の表面に塗布液を供給し、供給された塗布液を基板の外周側に拡散させることによって、基板の表面に塗布液を塗布する塗布処理方法において、回転する基板の表面に塗布液を供給する供給位置を、外周側に拡散する塗布液の移動に伴って外周側に移動させながら、塗布液を基板の表面に供給する供給工程Ｓ１７を有する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の省量化及び装置の小型化を図り、基板である半導体ウエハＷ上の塗布膜の膜厚について高い均一性を得ること。
【解決手段】ウエハＷを基板保持部であるスピンチャック２に略水平に保持させ、塗布ノズル４の吐出口４１を、前記ウエハＷに対して近接させた状態で相対的に移動させながら、前記吐出口４１から毛細管現象により塗布液を引き出してウエハＷに塗布する。毛細管現象を利用して塗布液を塗布しているので、塗布液の省量化及び装置の小型化を図ることができる。この後ウエハＷ上の塗布液がウエハＷから飛散しない回転数で当該ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ上の塗布膜の膜厚の面内均一性を向上させる。 （もっと読む）