【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】予備成形体を形成するスプレイフォーミング堆積方法において、前記予備成形体の温度斑に起因する空孔部分や熱応力による割れの発生を防止して、歩留まりの向上を図り得るスプレイフォーミング堆積方法を提供する。
【解決手段】流下する溶融金属Ｍに気体を噴射して金属液滴７のスプレイとなし、この金属液滴７を移動するコレクタ５上に堆積して予備成形体８を形成するスプレイフォーミング堆積方法において、前記コレクタ５内部または近傍に加熱手段６を配設し、この加熱手段６によって前記コレクタ５を予熱しながら、前記金属液滴７をコレクタ５上に順次堆積させるスプレイフォーミング堆積方法。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【解決課題】金属などの高温溶湯を高圧のガスにより噴霧、微粒化して成形体を製造するに当って、機械的性質に優れた高品質の成形体を高い歩留で得るためのガスアトマイザーを提供すること。
【解決手段】流下する高温溶湯（Ｓ）を高圧ガスにより噴霧、微粒化して成形体（５）を製造するガスアトマイザー（Ａ）において、前記高温溶湯流（Ｓ）を包囲する高圧ガス室（ＧＲ）と、この高圧ガス室（ＧＲ）の下部内側に連通して配設された噴霧用ノズル（ＡＮ）と、同高圧ガス室（ＧＲ）の下部外側に連通して配設された冷却用ノズル（ＣＮ）とからなることを特徴とする高温溶湯のガスアトマイザー（Ａ）。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により成膜された場合に純Ａｌ膜よりも高い反射率を有すると共に、優れた耐アルカリ性、耐酸性および耐湿性を有し、これにより、保護被膜なしでも反射率低下が起り難いＡｌ合金反射膜、このようなＡｌ合金反射膜を有する反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素を合計で０．４〜２．５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、原子間力顕微鏡で測定した膜表面の粗さが４ｎｍ以下であることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、 (3) この反射膜を形成するためのＡｌ合金スパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】熱間加工性に優れたＢ添加オーステナイト系ステンレス鋳鋼及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＢ添加オーステナイト系ステンレス鋳鋼は、全元素の合計１００質量％に対してＢを０．５０〜１．５０質量％含み、初晶オーステナイトの粒度番号が７．０以上であり、且つ、ボライド及び共晶オーステナイトからなる共晶組織の含有割合Ｙ（％）が、Ｙ≦４５．４５×Ｃ_Ｂ（式中、Ｃ_ＢはＢ添加オーステナイト系ステンレス鋳鋼に含まれるＢの含有量（質量％）である。）で示される関係を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．０５〜１０原子％含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲットであり、後方散乱電子回折像法によってＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、および＜３１１＞が下記（１）〜（３）の要件：
（１）＜００１＞±１５°と＜０１１＞±１５°と＜１１１＞±１５°と＜３１１＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、スパッタリング面全面積に対するＰ値の比率は７０％以上、
（２）Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率の比率は３０％以上、
（３）Ｐ値に対する、＜１１１＞±１５°の面積率は１０％以下
の要件を満足するＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

例えば以下の化合物から選ばれる熱磁気材料を含む、熱交換器用の連続気泡多孔性成型物。
（１）一般式（Ｉ）の化合物
（Ａ_yＢ_y-1）_2+δＣ_wＤ_xＥ_z （Ｉ）
式中、
Ａは、Ｍｎ又はＣｏであり、
Ｂは、Ｆｅ、Ｃｒ、又はＮｉであり、
ＣとＤとＥは、ＣとＤとＥのうち少なくとも２つ異なり、濃度がゼロでなく、Ｐ、Ｂ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｎ、Ａｓ、およびＳｂから選ばれ、ＣとＤとＥの少なくとも一つがＧｅ又はＳｉであり、
δは、−０．１〜０．１の範囲の数字であり、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚは、０〜１の範囲の数字である（ただし、ｗ＋ｘ＋ｚ＝１）； （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、ＬａおよびＣｕを主体とするＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】低コストの製造設備により簡易かつ確実に多孔質体を形成可能な多孔質体形成方法等を提案する。
【解決手段】材料粉末をＡノズル１１Ｎから所定温度の作動ガスＧとともに高速噴射して基材Ｂ上に堆積させて多孔質体を含む皮膜Ｒを形成するコールドスプレー工程と、多孔質体を基材Ｂから分離する多孔質体分離工程と、を有する。また、絶縁油中に浸漬した電極と被加工物との間に放電を発生させて電極の形成材料を被加工物の表面に溶着させて皮膜を形成するマイクロスパークコーティング装置において、上記多孔質体を電極として用いる。 （もっと読む）