【課題】非接触式のエラー検出により物理的な障害を無くすとともに非接触式にした場合に発生するレーザ加工ヘッドの経年変化による検出の低下および新規なワーク素材等に対応した検出等を提供する。
【解決手段】ワークＷの加工に対しモニタリングを行う加工モニタリング装置３１である。そして、ワークＷの加工時に発生する光を検出する検出部１１ａと、検出部１１ａによる検出結果に基づき特定のゲインを設定するコントローラ３３とを備える。コントローラ３３は、検出結果に対し複数に分割された分割倍率を分割数分変化させて所定の算出を行い算出結果が許容値に入った場合の分割倍率を抽出する抽出処理を実行し、抽出処理を設定回数実行し最も多く抽出された分割倍率を特定のゲインとする。 （もっと読む）

【課題】レーザー・パンチ複合加工機による板状ワークの加工方法及びレーザー・パンチ複合加工機を提供する。
【解決手段】レーザー・パンチ複合加工機による板状のワークのレーザー・パンチ加工方法であって、ワークに対してパンチング加工を行う工程と、レーザー切断加工に先立って、レーザー・パンチ複合加工機１に上下動可能に備えた付着具本体２７の下方位置にレーザー切断加工開始位置を位置決めし、前記付着具本体２７に備えた付着具接触部３５をワーク上面に接触して、当該付着具接触部３５のスパッタ溶着防止剤をレーザー切断加工開始位置の所定範囲に付着する工程、前記パンチング加工位置を内側に含むように、製品の輪郭をレーザー切断加工を行う工程、の各工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に無端の閉じた形状の加工痕を容易に形成でき、ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができるガラス基板のレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】環状に設けられたシリンドリカルレンズ７により、レーザ光源６から出射されたレーザ光５をガラス基板２の切断予定線に対応させて集光する。シリンドリカルレンズ７に対するレーザ光５の照射位置は、駆動装置により方向ａに移動される。レーザ光５はその光軸に直交する面内で、方向ｂの幅Ｗ_５がシリンドリカルレンズの幅Ｗ_７よりも大きい。そして、駆動装置により、レーザ光５の照射位置を方向ａに移動させる過程で、レーザ光源６からレーザ光５を複数回出射させることにより、切断予定線に対応する加工痕２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能な半導体基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す半導体基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき半導体基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された半導体基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】円弧等の任意の形状に沿ったガラス基板の切断が容易であり、ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができ、更にゴミの発生が防止されたガラス基板のレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】例えば、波長が２５０〜４００ｎｍのパルスレーザ光２を、結像レンズ５により切断対象のガラス基板１０に結像させ、Ｘ−Ｙテーブル１１によりガラス基板１０を移動させて、切断予定線に沿ってレーザ加工痕２０を形成する。この場合に、スリット部材３の横長の開口４の長手方向が切断予定線の方向に向かうようにスリット部材３を回転させる。これにより、ガラス基板１０に照射されるレーザ光のビーム形状は横長の方向性を有すると共に、形成されたレーザ加工痕２０は切断予定線の方向を向く方向性を有するものとなり、ガラス基板１０が不規則に割れることはなく、切断予定線に沿って割れが発生する。 （もっと読む）

【課題】ピコ秒レーザ等の極短パルスレーザを用いた高速かつ高精度の孔あけ加工技術を確立する。
【解決手段】ピコ秒レーザ発振器12と、レーザビームＬのワークαに対する入射角度を調整する入射角度調整用光学系28、ワークにおける回転半径を調整する回転半径調整用光学系32、及び集光光学系34を有するビームローテータ18と、ガルバノスキャナ36及びプロジェクションレンズ38を有する加工ヘッド20と、加工ヘッド20を必要量上下動させる上下動駆動機構と、ワークαを載置する加工テーブル40と、加工テーブル40を必要量上下動させる上下動駆動機構と、加工テーブル40を必要量回転させる回転駆動機構とを備え、ビームローテータ18の集光光学系34が、無収差レンズよりなることを特徴とする極短パルスレーザによる多次元パターン形成装置10。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）