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国際特許分類[B41J2/455]の内容

国際特許分類[B41J2/455]に分類される特許

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【課題】リーク電流により発光する発光素子の光量を、光検出部(センサー)の検出値(オフセット値)に適切に反映させる。
【解決手段】第1の発光素子と、第2の発光素子と、第1の発光素子を駆動する第1の駆動素子と、第2の発光素子を駆動する第2の駆動素子と、第1の駆動素子に電気的に接続される第1の配線と、第2の駆動素子に電気的に接続される第2の配線と、第1の位置で第1の配線に接続されて第1の配線に電源を供給する第1の電源供給部と、第1の位置の第1の方向で第1の位置と第1の間隔を空ける第2の位置で第2の配線に接続されて第2の配線に電源を供給する第2の電源供給部と、光を検出する第1の光検出部と、第1の光検出部の第1の方向で第1の光検出部と第1の間隔の半分以下の第2の間隔を空けて基板に配されて光を検出する第2の光検出部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】列状に配列された複数の発光素子において、列方向の長さと列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する発光素子から光を効率よく取り出す。
【解決手段】発光部102を構成する発光サイリスタ列のそれぞれの発光サイリスタLの発光領域311は、点灯信号線75の2つの主部75aおよび2つの副部75cで取り囲まれている。接続部75dは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、2つの副部75cの一方と発光領域311上に設けられたn型オーミック電極321とを接続している。そして、副部75cは、隣接する発光サイリスタLの発光領域311の間の分離溝の中に設けられている。 (もっと読む)


【課題】発光素子に印加される点灯のための電位の変動を抑制した発光チップを提供する。
【解決手段】発光チップCa1(C)は、基板80上に列状に配列された発光サイリスタL1、L2、L3、…、転送サイリスタT1、T2、T3、…、書込サイリスタM1、M2、M3、…を備える。転送サイリスタT1、T2、T3、…をそれぞれ番号順に2つをペアにしてそれぞれの間に結合ダイオードDx1、Dx2、Dx3、…を備える。さらに、発光サイリスタLが非点灯であるときに、点灯時に発光サイリスタLに流れる電流と等しい電流が流れる擬似電流部104を備えている。擬似電流部104は、擬似発光サイリスタLd、擬似書込サイリスタMdを備えている。 (もっと読む)


【課題】発光素子からの光を検出するセンサーを複数備えた構成において、発光素子に駆動信号を印加する駆動回路をオフさせたときの各センサーの検出値(オフセット値)の確認動作を光量補正の度に行なうこと無く、光量補正に要する時間の短縮を可能とする。
【解決手段】第1の発光素子の第1の駆動回路および第2の発光素子の第2の駆動回路をオフさせた状態で、第1・第2の発光素子の光を検出する第1・第2の検出部の検出値を確認して、記憶部に記憶する工程と、第1の駆動回路および第2の駆動回路をオフさせた状態で、第1の検出部の検出値を確認する工程と、当該工程で確認した第1の検出部の検出値に基づいて第1の発光素子の光量を補正し、当該工程で確認した第1の検出部の検出値と記憶部に記憶される第1の検出部の検出値および第2の検出部の検出値に基づいて第2の発光素子の光量を補正する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】注目画素を取巻く主・副走査の画素を格納機能から同時に取出して、注目画素に対してデータ識別できることにより、1画素単位での線画を忠実に認識するデジタル発光素子書込み装置を提供する。
【解決手段】注目ラインの副走査3ライン目の画素を順にマトリクス判断していく。主走査5の画素101では、マトリクスより縦線と判断できる。ここで2値データから4値のコード化に変換する場合、偶数画素か奇数画素かも判断し、縦パターンの奇数と判断すると画素101は、01bコードとなる。さらに画素102では、横線の奇数と判断し、11bコードとなり、画素103は、0データの奇数で00bコード、画素104では、1dot孤立点の偶数と判断し、10bコード、画素105では、斜め線の偶数と判断し11bコードとなる。注目画素を取巻く主・副の画素を格納機能から同時に取出すことで、1画素単位で忠実に線画を表現する。 (もっと読む)


【課題】 比較的コンパクトでありながら、発光不良等が少なく、動作信頼性が高い発光装置を提供する。
【解決手段】 基板、発光部、基板および発光部の少なくとも一部を被覆する絶縁保護層を有する発光素子と、前記発光素子が載置された、導体部部を有する回路基板と、前記回路基板の上面から前記基板の側面にかけて被着され、回路基板と基板とを接合した接合部材と、接合部材の表面および絶縁保護層の表面を通り、前記導体部と前記発光素子とを電気的に接続した導体層とを備え、前記発光素子の前記基板は、前記側面の側の前記一方主面の周縁部に、前記一方主面および前記側面と繋がる傾斜部を有し、前記絶縁保護層が、前記基板の前記一方主面から前記傾斜部にかけて被覆されているとともに、前記接合部材が、前記回路基板の前記上面および前記基板の側面から前記傾斜部を被覆する前記絶縁保護層の表面にかけて被着されていることを特徴とする発光装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】高精細化に対応でき、組立後の光学調整を不要にすることが可能な発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第1発光素子が設けられた第1ベース基板31と、平面的に第1発光素子と重ならないように第2発光素子が設けられた第2ベース基板32と、第1ベース基板31と第2ベース基板32との間に配置され、第1発光素子の光を透過する第1マイクロレンズ41が設けられた第3ベース基板32aと、第2ベース基板32上に配置され、第2発光素子の光を透過する第2マイクロレンズ42が設けられた第1レンズ基板33と、第1レンズ基板33上に配置され、第1発光素子及び第2発光素子の光を透過する第3マイクロレンズ43が設けられた第2レンズ基板34と、を有し、各基板は、それぞれ所定の距離をおいて積層配置されていると共に、支柱51,52に支持及び固定されている。 (もっと読む)


【課題】有機ELが配される基板を光透過性基板で支持する露光ヘッドにおいて、光透過製基板で反射される光量を抑えて、光の利用効率の向上を図る技術を提供する。
【解決手段】光透過性の第1の基板と、有機ELおよび当該有機ELを封止する光透過性の封止部材を有するとともに、当該有機ELを第1の基板に向けて第1の基板に支持される第2の基板と、第1の基板と第2の基板の間に充填されて、第2の基板の有機ELが発光して第2の基板の封止部材を透過する光が透過するとともに、空気の屈折率より大きい屈折率を有する充填部材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】有機ELと遮光部材の間に光透過性基板を配した露光ヘッドにおいて、ゴーストの発生を抑制することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】有機ELおよび当該有機ELを封止する封止部材が配されるシリコン基板と、シリコン基板の有機ELおよび封止部材を覆うとともに、有機ELの発光する光が透過する光透過性基板と、有機ELに開口する開口部を有し、有機ELから光透過性基板を透過して開口部に入射する光が通過する孔が配されるとともに、孔の方向から見て開口部がシリコン基板より小さくシリコン基板の内側に配される遮光部材と、遮光部材の孔を通過する光を結像する光学系と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、pnpn構造を利用した論理演算回路等を提供する。
【解決手段】(a)は第1のNOT回路300の断面構造を、(b)は第1のNOT回路300の等価回路を示す。第1のNOT回路300は、p型の第1半導体層201と、n型の第2半導体層202と、p型の第3半導体層203とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くpnpトランジスタ(Q1)と、n型の第2半導体層202と、p型の第3半導体層203と、n型の第4半導体層204とが、それぞれエミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域として働くnpnトランジスタ(Q2)とが組み合わされた回路である。なお、pnpトランジスタ(Q1)とnpnトランジスタ(Q2)とは縦に積層されている。
【選択図】図
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