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国際特許分類[B81B3/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | マイクロ構造技術 (6,196) | マイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置 (4,227) | 可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置 (2,808)

国際特許分類[B81B3/00]に分類される特許

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【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、X1−X2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部50と、各可動支持部50の側部から延出し、各可動支持部50にてY1−Y2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子60と、を有する。固定電極部は、X1−X2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部50と、各固定支持部51の側部から延出し、各固定支持部51にてY1−Y2方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子62と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがX1−X2方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組66にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子60と固定電極子62とが交互に配列されている。 (もっと読む)


【課題】設計の自由度を向上させるとともに、印加電圧を少なくして偏向角を大きくする。
【解決手段】光スキャナOSは、外枠となる固定枠1と、主軸トーションバー3と、主軸トーションバー3の直交方向に長尺となるよう配設されるとともに、一端を主軸トーションバー3に接続し、他端を固定枠1に固定した片持ち梁構造の保持部41と、保持部41を変形させるための力を電圧印加に応じて生じさせる圧電素子42と、主軸トーションバー3を基準に揺動するミラー部21とを含む。駆動回路から圧電素子42に対して印加される電圧は、光スキャナOS自身の固有振動数に近似または一致するとともに、保持部41に、当該の保持部41の短手方向に対し交差する節を少なくとも1つ発生させる周波数である。保持部41は、前記短手方向におけるミラー部21側の部分のみで、主軸トーションバー3に接続される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ミラースキャナの構造及び製造方法に係り、共振周波数の精度良い調整を行うことにある。
【解決手段】ミラースキャナ10は、フレーム12と、光源からの光を反射するミラー部14と、フレーム12とミラー部14とを連結して該ミラー部14を該フレーム12に対して支持するトーションバー16a,16bと、トーションバー16a,16bに平行に設けられてフレーム12とミラー部14とを連結する複数本の溶断可能なバーからなる棒部材18a,18bと、を設ける。 (もっと読む)


【課題】均一厚み寸法を有する機能膜を備えたMEMSデバイスを製造するMEMSデバイスの製造方法、MEMSデバイス、及び超音波トランスデューサーを提供する
【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、基板11の第一面11Aに、平坦な先端面と側面部とを有する凸部を形成する凸部形成工程と、第一面11Aに側壁部121及びメンブレン122を有する支持膜12を形成する成膜工程と、突出先端面と重なる位置に孔部31を有するマスク層を形成するマスク工程と、孔部から支持膜12のメンブレン122までを、厚み方向に沿ってエッチングした後、メンブレン122の表面に沿って側壁部121までをサイドエッチングしてキャビティCを形成するエッチング工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス1は、第1の面10aに第1の電極11を有する半導体装置としてのICチップ10と、基部21、前記基部21から延伸された振動部を有し、第1の面10aと対向する第2の面20aに第2の電極としての引き出し電極29を有する振動片としての振動ジャイロ素子20と、を備えている。第1の面10aには、絶縁樹脂からなり第1の電極11と配線36を介して電気的に接続された第3の電極37の少なくとも一部を露出させる開口部32aを有する筒状支持部32が設けられ、第1の面10aおよび開口部32aにより形成された凹部に導電性接着剤98が埋設され、引き出し電極29に設けられたバンプ12が凹部内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】SON構造101のダイアフラム100を有するシリコン基板1およびその製造方法において、SON構造101を構成する空洞2内の下側のシリコン面3に凸状の島4を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 (もっと読む)


【課題】専用装置を必要とせず、製造スループットを低下させることなく端子上のパッシベーション膜を除去した表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の表示装置は、基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及びスイッチング素子によって駆動されるMEMSシャッターを有する複数の画素と、基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、
を含む。MEMSシャッターは、開口部を有するシャッター、シャッターに接続された第1バネ、第1バネに接続された第1アンカー、第2バネ、及び第2バネに接続された第2アンカーを有し、シャッター、第1バネ、第2バネ、第1アンカー及び第2アンカーの基板の表面に対して垂直方向の面に絶縁膜を有し、複数の端子の表面、並びにシャッター、第1バネ、第2バネ、第1アンカー及び第2アンカーの基板の表面に対して平行方向であり且つ基板に対面する側と反対側の面には、絶縁膜がない。 (もっと読む)


【課題】駆動部の共振周波数がばらついても変動部をスキャンさせる。
【解決手段】光スキャナOSは、所定方向に揺動可能な可動部2と、電圧の印加により変形し、互いに協働して可動部2を揺動させる複数の駆動部4とを備える。可動部2の共振周波数fsmと、駆動部4の共振周波数fsuとはfsm < fsuを満たす。 (もっと読む)


【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるMEMSデバイスを得る。
【解決手段】MEMSデバイスDは、支持基板2aの側面2eに露出させた貫通電極22a〜22eの断面部を、可動電極4、5および固定電極20a〜21bの電位取出口として利用可能とした加速度センサ(第1のセンサ)S1と、この加速度センサS1に支持基板2aを介して積層されるセンサ基板1Aを有した圧力センサ(第2のセンサ)S2とを備える。 (もっと読む)


【課題】3つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置および駆動電圧制御回路を提供する。
【解決手段】可変容量素子2の駆動容量C1は、駆動電圧制御回路31から出力される駆動電圧Vdに応じて変化する。駆動電圧制御回路31は、駆動容量C1の検出値と目標値とを比較する比較器32と、比較器32の比較結果に応じた駆動電圧Vdを発生させる駆動電圧発生回路34とを備える。駆動電圧発生回路34の電流出力型レベル変換回路は、比較器32の比較結果に応じて平滑化容量にソース電流またはシンク電流を流し、駆動電圧Vdを昇圧または降圧する。平滑化容量には、スイッチを用いて接続および遮断が可能な補助容量が並列接続される。 (もっと読む)


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