【課題】圧電アクチュエータの力を効率よく利用してミラーの回転方向に大きな変位を得るとともに、垂直方向の並進運動を大幅に抑制する。
【解決手段】ミラー部（12）を挟んで両側に一対の圧電アクチュエータ部（14）が配置される。圧電アクチュエータ部（14）の一端（14A）は連結部（16）を介してミラー部（12）の端部（12A）に接続され、圧電アクチュエータ部（14）の他端（14B）は固定部（30）に固定支持される。また、ミラー部（12）は、垂直方向への並進運動する抑制する垂直移動抑制構造(32)を介して固定部（30）に接続されている。回転軸（18）付近に接続されるトーションバー（20）とトーションバー（20）の基端部を支持するトーションバー支持部（22）とにより垂直移動抑制構造（32）を構成できる。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高コスト化することなく、共振周波数の変動を低減したＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】静電力が印加されると機械的に振動する梁状の振動子１０１と、前記振動子１０１を振動可能に支持する支持部と、空隙１０３を介して前記振動子１０１と対向する面を有する少なくとも１つの電極１０２とを有し、前記振動子１０１の振動により発生する電流を前記振動子１０１又は前記少なくとも１つの電極１０２に接続された出力端子を介して出力するＭＥＭＳ共振器２００であって、前記振動子は前記梁の長手軸を中心としたねじり共振モードで振動を行い、前記振動子１０１および前記電極１０２の互いに対向する面は、互いに異なる導電型の半導体からなり、前記振動子１０１において、前記電極１０２に対向する面を含む表面部分１１１は、他の部分より高い密度で不純物がドープされている。 （もっと読む）

【目的】 特に、Ａｌ−Ｇｅ共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１基材２１と、第２基材２２と、第１基材２１と第２基材２２間に位置し、第１基材２１側に形成された第１の接続金属層５４と第２基材２２側に形成された第２の接続金属層５５とを共晶接合してなる接合部５０と、を有して構成され、接合部５０は、第１基材２１側から第２基材２２側にかけて、Ｔａ層５３、ＡｌあるいはＡｌ合金で形成された第１の接続金属層５４、及び、Ｇｅで形成された第２の接続金属層５５の順に積層されており、Ｔａ層５３の膜厚ｔ１は、２００Å以上１５００Å以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動ミラーの傾斜に伴う可動ミラーの変形の発生が防止された光偏向器を提供する。
【解決手段】光偏向器１００は、可動ミラー１１０と、可動ミラー１１０を第一の軸１８１まわりに傾斜可能に支持する一対のヒンジ１２０と、ヒンジ１２０をそれぞれ支持する一対の固定部１３０とを有している。可動ミラー１１０とヒンジ１２０と固定部１３０は、第一の軸１８１に直交する第二の軸１８２に沿って整列している。光偏向器１００はさらに、可動ミラー１１０を第一の軸１８１まわりに傾斜させる駆動素子たとえば一対の駆動電極１６０を有している。光偏向器１００はさらに、可動ミラー１１０の傾斜により可動ミラー１１０に生じる変形を緩衝する緩衝部１４０を有している。 （もっと読む）

【課題】振動板の振動が外部に漏洩しにくくし、エネルギー損失を低減できる圧電マイクロブロアを提供する。
【解決手段】圧電素子２０を有する振動板２の周囲を固定し、振動板との間でブロア室３を形成するケース１と、ケース１の外周部に設けられ、ケース１から外部への振動伝搬を実質的に抑制する複数の連結部４と、を有する。振動板２の中央部と対向するケース１の天板部１０に第１開口部１１が形成され、振動板２をベンディングモードで駆動させることにより、空気を第１開口部１１から排出する。振動板２の振動がケース１から外部へ漏洩するのを連結部４が抑制し、エネルギー損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】高速応答性に優れ、大きく変位することが可能な変形材料、および、それを用いたアクチュエーターを提供すること。
【解決手段】本発明の変形材料は、酸化還元反応により、分子鎖が伸縮する刺激応答性化合物と、ポリアルキレンオキシドと、有機塩および／または無機塩と、を含むことを特徴とする。刺激応答性化合物は、回転軸として機能する結合を有するユニットＡと、前記ユニットＡの第１の結合部位に配置された第１のユニットＢと、前記ユニットＡの第２の結合部位に配置された第２のユニットＢと、第１のユニットＣと、第２のユニットＣと、を含むものであり、前記第１のユニットＢと前記第２のユニットＢとが酸化還元反応によって結合し、前記第１のユニットＣおよび前記第２のユニットＣが液晶性を有する官能基であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）