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国際特許分類[C01G9/02]の内容

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【課題】従来技術においては、酸化亜鉛結晶の形状に関してマイクロメートルスケールでの制御が主であり、ナノメートルスケールでの制御については報告されていなかった。
【解決手段】本発明者は、マイクロスケールで制御された酸化亜鉛結晶に対してナノスケールの構造を同時に付与することを目的として研究を行った。その結果、アニオン性界面活性剤の存在下においては、マイクロスケールの板状の酸化亜鉛結晶に対してナノスケールの構造を付与することが可能であることがわかった。本発明は、アニオン性界面活性剤を含む水溶液に亜鉛イオンを加えることでアニオン性界面活性剤層と酸化亜鉛層とからなる多層構造を有する酸化亜鉛結晶を生成する酸化亜鉛結晶の生成方法などを提案する。また、アニオン性界面活性剤を含む水溶液に亜鉛イオンを加えることで板状の酸化亜鉛結晶を生成する酸化亜鉛結晶の生成方法などを提案する。 (もっと読む)


【課題】繰り返し使用時に意図しない微小黒点が画像に発生することが抑制される電子写真感光体を提供する。
【解決手段】導電性支持体102と、前記導電性支持体上に配置されており、金属酸化物で構成された中空粒子の表面にアクセプター性化合物が付着した中空金属酸化物粒子及び結着樹脂を含む下引層104と、前記下引層上に配置された感光層103と、を有する電子写真感光体101。 (もっと読む)


【課題】原料容量が20L以上もの大スケールにおいても、光学特性が優れた薄片状酸化亜鉛粒子を安定して製造しうる、薄片状酸化亜鉛粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】亜鉛塩及び水を含む20L以上の混合物に、下記式(1)におけるaが0.45以上となる攪拌条件下で、該亜鉛塩に対してモル比2.0〜3.0のアルカリを、アルカリ溶液として添加時間30〜70秒で添加する工程を有する、薄片状酸化亜鉛粉末の製造方法。
s(θ)=e-aθ (1)
(式(1)中、Is(θ)は分離強度、eは自然対数の底、θは混合開始からの攪拌時間(単位:秒)を表す。) (もっと読む)


【課題】希少金属を使用せず、安価であり、優れた機械的強度とともに、良好な化学的耐久性を有する透明導電性基板、これを用いた電子デバイスおよびタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電性基板1は、絶縁性を有する透明基板12と、前記透明基板12上に形成された酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物を低原子価金属/亜鉛の原子数比で0.02〜0.1の割合となるようにドープし、比抵抗が、2.0×10-3Ω・cm以下である透明導電膜13とを少なくとも備え、前記透明導電膜13は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積(PLD)法またはエレクトロンビーム(EB)蒸着法にて成膜される。 (もっと読む)


【課題】より優れた紫外線吸収性を発揮するとともに、良好な透明性を有し、例えば基材に内添もしくはコーティングした場合にも基材の透明性を損なうことがない、微粒子状金属酸化物を提供する。
【解決手段】本発明にかかる微粒子状金属酸化物は、Zn、TiおよびCeからなる群より選ばれる少なくとも1種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にCu、Ag、Mnに由来する成分が含有されてなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低コスト・低環境負荷で大面積化・量産化を実現することのできる導電性ZnO膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】クエン酸の存在下、液相析出法によって酸化亜鉛(ZnO)の結晶を基板上に析出させる。クエン酸がZnOの(0001)面の表面に吸着することによって、析出反応において結晶のc軸方向の異方性成長が抑制され、基板表面に緻密な結晶膜が形成される。その後、形成されたZnO結晶膜に対して紫外線を照射することによって、膜内に取り込まれた有機酸を光分解する。その結果、有機酸にトラップされていたキャリアが結晶膜内に放出され、ZnO結晶膜に好適な導電性が付与される。 (もっと読む)


【課題】電気的特性に優れる金属酸化物半導体薄膜を低温でも形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体粒子分散組成物を用いた金属酸化物半導体薄膜、透明導電膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体粒子と分散媒を含有する金属酸化物半導体粒子分散組成物であって、前記金属酸化物半導体粒子は、平均粒子径が1〜50nmであり、かつ、平均粒子径/平均結晶子径が1〜3である金属酸化物半導体粒子分散組成物。 (もっと読む)


【課題】移動度が高く電気的特性に優れ、印刷法でも製造可能な金属酸化物半導体薄膜を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体薄膜の製造方法及び該金属酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物を含有する金属酸化物半導体薄膜であって、前記金属酸化物は、下記式(1)に規定する関係を満たすことを特徴とする金属酸化物半導体薄膜。
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【課題】有機亜鉛化合物を原料とし、発火性がなく取扱いが容易であり、300℃以下の加熱で透明な酸化亜鉛薄膜および3B族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を形成できる酸化亜鉛薄膜製造用組成物を提供する。
【解決手段】有機亜鉛化合物の部分加水分解生成物を含む酸化亜鉛薄膜製造用組成物。水の添加量が有機亜鉛化合物に対するモル比で0.05以上〜0.4未満である。有機亜鉛化合物と3B族元素化合物との溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物の部分加水分解物を含み、3B族元素化合物は、有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3であるドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。水の添加量が有機亜鉛化合物および3B族元素化合物の合計量に対するモル比で0.05以上〜0.4未満である。有機亜鉛化合物の部分加水分解物に3B族元素化合物を有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3の割合になるよう添加して得られる生成物を含む、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。水の添加量が、有機亜鉛化合物に対するモル比で0.05以上〜0.4未満である。 (もっと読む)


【課題】有機亜鉛化合物またはその部分加水分解物をベースとした組成物から、製膜時の基板の加熱温度が300℃以下の低温成膜においても可視光線に対して80%以上の平均透過率と、帯電防止薄膜などに利用可能な程度に低い体積抵抗率を有する酸化亜鉛薄膜を提供する。
【解決手段】下記組成物を、不活性ガス雰囲気下、基板表面に塗布し、次いで、得られた塗布膜を加熱する操作を少なくとも1回行うことを含む、可視光線に対して80%以上の平均透過率を有する酸化亜鉛薄膜の製造方法。有機亜鉛化合物またはその部分加水分解物を電子供与性有機溶媒と電子供与性有機溶媒とは異なる種類の有機溶媒との混合溶媒に溶解した溶液である組成物。前記組成物3B族元素化合物をさらに含むことができる。前記製造方法で得られた酸化亜鉛薄膜からなる帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜。 (もっと読む)


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