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国際特許分類[C01G9/02]の内容

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【課題】所定パターンを有するとともに、表面抵抗率や光透過率等のばらつきが少ない金属酸化膜の形成方法およびそのような金属酸化膜を提供する。
【解決手段】基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第1工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第2工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第3工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】揮発性シリコーンを含まない、酸化亜鉛や酸化チタンの高濃度分散体、および、酸化亜鉛や酸化チタンを含有する、皮膚への塗布後にべとつき感の少ない化粧料を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛または酸化チタンと、平均重合度3〜10のイソパラフィンと、分散剤として、HLB値が2〜5であるポリエーテル変性シリコーンと、を含有する分散体であって、酸化亜鉛または酸化チタンが、分散体全質量の60質量%以上を占める分散体、および該分散体を配合したことを特徴とする化粧料。 (もっと読む)


【課題】亜鉛が含有された廃酸をリサイクルした亜鉛酸化物粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による亜鉛が含有された廃酸をリサイクルした亜鉛酸化物粉末の製造方法は、亜鉛を含む廃酸を収集する段階と、前記亜鉛を含む廃酸に有機溶媒を添加し、亜鉛を有機溶媒で抽出する段階と、前記抽出によって得られた亜鉛を含む有機溶液に酸を添加し、亜鉛を逆抽出する段階と、前記逆抽出によって得られた亜鉛系酸溶液にアルカリを添加して反応させて、亜鉛系沈殿物を形成する段階と、前記亜鉛系沈殿物を選択的に分離し、洗浄及び乾燥する段階と、乾燥した亜鉛系沈殿物をか焼し、亜鉛酸化物を得る段階とを含む。本発明によれば、インジウム−錫酸化物またはインジウム−亜鉛酸化物廃スクラップの再生工程に使用された亜鉛が含有された廃酸をリサイクルすることができるので、環境汚染を防止することができると共に、資源を節約することもでき、不純物を含有する廃酸を低い工程費用で且つ短時間に効果的に精製し、亜鉛酸化物を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】凝集が進行しにくく分散性が優れる球状ナノ粒子の製法を提供する。
【解決手段】液相中に1〜1000nmの大きさの原料粒子あるいは金属酸化物粒子を分散させ、この液相中の粒子に1レーザーパルスあたり0.5J/cm以下の弱いレーザー光を照射して、原料粒子を一旦溶融かつ融合させ、その後液相中で急冷することにより10〜1000nmの大きさの球状ナノ粒子を製造する、あるいは金属酸化物粒子に還元反応を起こさせて、これにより金属球状ナノ粒子若しくは還元球状ナノ粒子またはこれらの複合構造の粒子を生成させる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で短時間に低コストでかつ高密度の無機化合物バルク体を得ることのできる無機化合物バルク体の製造方法、無機化合物バルク体並びに半導体抵抗素子材を提供する。
【解決手段】密閉容器と密閉容器内に向けて衝撃波を供給する衝撃波発生手段と、を用意する。密閉容器内に固化対象の無機化合物粉末部と、金属粉末部と、を隣接配置し、衝撃波発生手段により金属粉末部側から密閉容器内に向けて衝撃波を供給し、その際の衝撃波発生手段の衝撃エネルギーにより金属粉末部を介して無機化合物粉末を瞬時圧縮溶融し、徐冷固化することで、クラックのない高密度の無機化合物バルク体を得る。 (もっと読む)


【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したp型ZnOナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたP(リン)を含有するZnOターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のc面に配向成長したリンを含有するp型ZnOナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、p型ZnOナノ構造体として、p型ZnOナノワイヤやp型ZnOナノシートを形成することができる。該ZnOナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 (もっと読む)


【課題】有機亜鉛化合物を原料とし、発火性がなく取扱いが容易であり、300℃以下の加熱で透明な3B族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を形成できる、酸化亜鉛薄膜製造用組成物、およびこの組成物を用いた、透明な3B族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】有機亜鉛化合物と3B族元素化合物との溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物を部分的に加水分解して得られる生成物を含み、3B族元素化合物は、有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3である、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。有機亜鉛化合物溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物を部分的に加水分解した後、3B族元素化合物を有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3の割合になるよう添加して得られる生成物を含む、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。この組成物を基板表面に塗布し、加熱して3B族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を形成する方法。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛バリスタを製造するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】ドープした酸化亜鉛と高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、次いでこれを使用して低温の焼結(900℃未満)によって従来技術により酸化亜鉛バリスタを作製することができるように、酸化亜鉛へのドーピングおよび酸化亜鉛粒子の高インピーダンス焼結材料との焼結を2つの独立した処理手順によって実施する。得られた酸化亜鉛バリスタは、内部電極として純銀を使用することができ、バリスタ特性、サーミスタ特性、キャパシタ特性、インダクタ特性、圧電性および磁性のうちの1つまたは複数を特に有する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板1を準備する。前記基板1上に先ずシード層11を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層11上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 (もっと読む)


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