国際特許分類[C04B35/453]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物 (33,771) | 石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;天然石の処理 (33,771) | 組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理 (8,938) | 酸化物を基とするもの (3,608) | 酸化亜鉛,酸化スズまたは酸化ビスマスまたはそれらと他の酸化物,例.亜鉛酸塩,スズ酸塩またはビスマス酸塩,の固溶体を基とするもの (315)
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酸化スズまたはスズ酸塩を基とするもの (68)
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酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法、該透明導電膜形成材料を用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法
【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン(低原子価)ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が2%超10%以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて700℃以上1200℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。
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酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器
【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをGa/(Zn+Ga+Sn)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有し、且つスズをSn/(Zn+Ga+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有する。
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複合酸化物焼結体、その製造方法及びそれを用いて得られる酸化物透明導電膜
【課題】異常放電を抑制できるスパッタリングターゲット及び成膜方法を提供し、またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主にZn、Al、Ti及びOから構成され、原子比で(Al+Ti)/(Zn+Al+Ti)=0.004〜0.055、Al/(Zn+Al+Ti)=0.002〜0.025、Ti/(Zn+Al+Ti)=0.002〜0.048、主に酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶ウルツ型構造を有する粒子、及びAl及びTiを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO3類似構造及び/又はZn2Ti3O8類似構造を有する粒子で、ZnとAlが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲット。
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ZnO蒸着材の製造方法及びこの方法で得られたZnO膜
【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.1〜500μmの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は3〜50%の範囲の気孔率を有することが好ましく、1〜500μmの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が99.0%以上あって平均粒径が0.1〜10μmであるZnO粉末とバインダと有機溶媒とを混合してZnO粉末の濃度が45〜75重量%のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が50〜300μmの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してZnO多孔質焼結体を得る工程とを有する。
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スパッタリングターゲットおよび半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。
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薄膜形成用の蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シート
【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第1酸化物粉末と第2酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第1酸化物粉末がY2O3粉末であって、第1酸化物粉末の第1酸化物純度が98%以上であり、第2酸化物粉末はZnO、MgO及びCaOからなる群より選ばれた1種の粉末又は2種以上の混合粉末であって、第2酸化物粉末の第2酸化物純度が98%以上であり、蒸着材が第1酸化物粒子と第2酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第1酸化物と第2酸化物との比率が5〜85:95〜15であり、かつ、ペレットの塩基度が0.1以上であることを特徴とする。
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スパッタリングターゲット
【課題】薄い膜厚(200nm以下)で抵抗率が低いZnO系薄膜を、安定したDCスパッタで得られるZnO系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いZnO系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Znを含む酸化物相と、AlおよびTiを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするZnO系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。
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酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Gaおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属(M金属)の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるZnMXOy相およびMXOy相(x、yは任意の整数である)は検出されないものである。
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薄膜形成用の蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シート
【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第1酸化物粉末と第2酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、上記第1酸化物粉末がZnO粉末であって、この第1酸化物粉末の第1酸化物純度が98%以上であり、上記第2酸化物粉末がCaO粉末であって、この第2酸化物粉末の第2酸化物純度が98%以上であり、蒸着材が第1酸化物粒子と第2酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第1酸化物と第2酸化物との比率が5〜85:95〜15であり、かつ、ペレットの塩基度が0.1以上であることを特徴とする。
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In−Ga−Zn系酸化物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット
【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、
X線回折測定(Cukα線)により、入射角(2θ)が、7.0°〜8.4°、30.6°〜32.0°、33.8°〜35.8°、53.5°〜56.5°及び56.5°〜59.5°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、2θが30.6°〜32.0°及び33.8°〜35.8°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。
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