任意に置換される、式（１）により表わされる第一の繰り返し単位を含むポリマー：
【化１】


式中、Ｆは二価の残基であり、Ｇは各々独立に二価の残基であり、ｒは１以上であり、ｐは各々独立に０又は１であり、各々対応するｑは他方の０又は１であり、ここでＧは、ｎが１のときへテロ原子を含有する。 （もっと読む）

本発明は、単量体の新規な合成方法、及び特に半導体高分子の製造における使用に関する。単量体、特に非対称フルオレン化合物のような非対称化合物は、半導体高分子の製造に有用な材料である。非対称フルオレン化合物のような非対称単量体を製造するための公知の方法は、副生成物のために高価である。本発明による方法は、かような副生成物の形成を回避でき、請求項１〜１４に詳細に記載される。 （もっと読む）

【課題】本発明はａｓ−インダセン誘導体類を含有する液晶媒体および其の液晶媒体を具備する電気光学的表示要素に関する。本発明は負誘電異方性でＶＡ表示器用の液晶媒体での使用に適するａｓ−インダセン誘導体類に関する。
【解決手段】本発明は式（Ｉ）のａｓインダセン誘導体類に関する：



但し、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^１、Ｒ^２、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、ｍ、ｎ及び環Ｂ及びＢ’は請求項１に定義される通りである。 （もっと読む）

アントラセン材料を含む発光層を含んでなるエレクトロルミネッセンス・デバイスであって、このアントラセン材料は、2位に少なくとも1つのアリール環を有し、6位に水素またはアルキル基を有し、12個以下の芳香族炭素環を含み、当該アントラセン基の9位に少なくとも1つのナフタレン基を有し、その10位にアリール基を有し、さらに該アントラセン材料の環には炭素環だけが含まれているエレクトロルミネッセンス・デバイス。
（もっと読む）

フッ素化されたペンタセン誘導体、例えば新規化合物であるテトラデカフルオロペンタセン、5, 6, 7, 12, 13, 14−ヘキサフルオロペンタセン、5, 7, 12, 14−テトラフルオロペンタセン、及び6, 13−ジフルオロペンタセン、並びにそれらの中間体を提供し、さらに、フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの中間体の製造方法を提供する。
ペンタセン骨格にオキソ基、水酸基、又はアルコキシル基を導入し、４フッ化硫黄によりフッ素化し、還元剤を用いて部分的に脱フッ素化することにより、ペンタセン骨格の所望の位置がフッ素化されたペンタセン誘導体を得る。 （もっと読む）

本発明は、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びａは、明細書に定義されるものであるが、但し、基Ｒ^１又はＲ^２の少なくとも１つは水素ではない］で示されるフルオランテン誘導体、その製造方法並びに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における発光体分子としてのフルオランテン誘導体の使用、本発明によるフルオランテン誘導体を発光体分子として含有する発光層、本発明による発光層を有するＯＬＥＤ並びに本発明によるＯＬＥＤを有する装置に関する。
（もっと読む）