特定の触媒系の存在下で、置換されていてもよいエチレン性不飽和化合物を一酸化炭素および水素と反応させることによってヒドロホルミル化する方法。特定の触媒系は、（ａ）ＶＩＩＩ族金属カチオン源と、（ｂ）一般式Ｘ^１−Ｒ−Ｘ^２を有するジホスフィン配位子（式中、Ｘ^１およびＸ^２はそれぞれ独立に置換されていてもよい少なくとも５つの環原子を有する環状基を表し、環原子の１つはリン原子であり、Ｒは、ｓｐ２混成炭素原子によって各リン原子に結合した置換されていてもよい二価の架橋基を表す）と、（ｃ）１８℃の水溶液中で測定してｐＫａ＜３の酸、またはそれから誘導された塩と、（ｄ）ハロゲン化物アニオン源とを含む。さらに、この方法で使用されるいくつかの特定の二座ジホスフィンが記載される。 （もっと読む）

（ａ）パラジウム及び／又はプラチナソース；及び（ｅ）式Ｉ、Ｒ^１Ｒ^２＞Ｐ^１−Ｒ^３−Ｐ^２＜Ｒ^４Ｒ^５ （Ｉ）の、非対称二座ジホスフィン配位子（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、リン原子を表し；Ｒ^３は、二価有機架橋原子団を表し；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、又はＲ^１及びＲ^２は一緒に、及び／又はＲ^４及びＲ^５は一緒に、該リンに共有結合させられた有機基を表し；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４及びＲ^５は、ホスフィノ基Ｒ^１Ｒ^２＞Ｐ^１が、ホスフィノ基Ｐ^２＜Ｒ^４Ｒ^５と異なるように選択される。）を含む触媒システムの存在下で不飽和化合物を一酸化炭素と接触させることによる、不飽和化合物のカルボニル化のための方法。 （もっと読む）

（ａ）パラジウムソース；及び（ｂ）式ＩＩの二座ジホスフィン配位子：
Ｒ^１＞Ｐ^１−Ｒ−Ｐ^２＜Ｒ^２Ｒ^３（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、リン原子を表し；Ｒ^１は、場合によっては置換される、２個の第三級炭素原子により該リン原子に連結された二価有機基を表し；Ｒ^２及びＲ^３は、独立に、第三級炭素原子（これを介して各基が該リン原子に連結される。）を含有する、１個から２０個の原子の一価の基を表すか、又は、Ｒ^２及びＲ^３は、一緒に、場合によっては置換される、少なくとも２個の第三級炭素原子（これを介して該基が該リン原子に連結される。）を含有する二価有機基を形成し；Ｒは、３個の原子（これを介してＰ^１がＰ^２に直線的に連結する。）を含有する二価架橋基を表す。）；及び（ｃ）陰イオンソースを含む触媒システムの存在下で、共役ジエンを一酸化炭素及び、活性水素原子を有する共反応物質と反応させることを含む、共役ジエンのカルボニル化のためのプロセス。 （もっと読む）

本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、およびｃ）酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、触媒系、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法、反応媒質および該触媒系の使用方法を提供する。
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制御された配位構造を有する担持型反応性触媒およびその製造方法が開示される。担持型触媒は、原子の最上位層すなわち外層を有する触媒粒子を含み、その中で原子の少なくとも一部分は制御された配位数２を示す。そのような触媒は、その中で分子の大半が枝分れ状よりはむしろ直鎖状である制御剤を含む中間前駆体組成物から製造することができる。担持型触媒（１０）は、当初その表面にヒドロキシル基を含む担体（１２）と、縮合反応によって担体（１２）のヒドロキシル基に化学的に結合される固定剤（１４）と、固定剤に何らかの方法（図示せず）で結合されまたは付着される触媒粒子（６）とを含む。本発明の担持型触媒は、高選択性での過酸化水素の調製および他の化学転化反応に対して有用である。

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（ａ）パラジウム源、および
（ｂ）式ＩＩ
Ｒ^１Ｒ^２＞Ｐ^１−Ｒ^３_ｍ−Ｒ−Ｒ^４_ｎ−Ｐ^２＜Ｒ^５Ｒ^６ （ＩＩ）
（式中、Ｐ^１およびＰ^２は、リン原子を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５およびＲ^６は、第３級炭素原子を含みそれを介してそれぞれの基が前記リン原子に結合している、同じか異なる、場合により置換されている有機基を独立に表し、Ｒ^３およびＲ^４は、同じか異なる、場合により置換されているメチレン基を独立に表し、Ｒは、二価の架橋基Ｃ^１−Ｃ^２を含みそれを介してＲがＲ^３およびＲ^４に結合している有機基を表し、ｍおよびｎは、０〜４の範囲の自然数を独立に表し、前記架橋基の炭素原子Ｃ^１およびＣ^２間の結合の周りの回転は、０℃〜２５０℃の範囲の温度において制限され、Ｃ^１、Ｃ^２およびＣ^１に直接結合したＰ^１の方向にある原子から成る３つの原子配列が占める面ならびにＣ^１、Ｃ^２およびＣ^２に直接結合したＰ^２の方向にある原子から成る３つの原子配列が占める面との間の二面角は、０〜１２０°の範囲にある）の２座ジホスフィンリガンド、および、
（ｃ）アニオン源
を含む触媒系の存在下で、共役ジエンを、一酸化炭素および易動性水素原子を有する共反応体と反応させることを含む、共役ジエンのカルボニル化方法。 （もっと読む）